发光器件、发光装置、电子设备及照明装置制造方法及图纸

提供一种寿命长的发光器件。本发明专利技术的一个方式是一种一对电极间包括EL层的发光器件，其中通过作为EL层所包括的空穴注入层及电子传输层使用特定的结构，以自发地变化的方式控制驱动时的载流子平衡而抑制发光器件的初始劣化。另外，此时通过增高EL层所包括的发光层与电子传输层的叠层界面的电子注入势垒，其自发变化的速度变慢，所以可以实现从长期劣化的观点来看很良好的发光器件。点来看很良好的发光器件。点来看很良好的发光器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件、发光装置、电子设备及照明装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。但是本专利技术的一个方式不局限于此。本专利技术的一个方式涉及一种物体、方法、制造方法或驱动方法。或者，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。

技术介绍

[0002]使用有机化合物且利用电致发光(EL：Electroluminescence)的发光器件(也称为有机EL器件、有机EL元件)的实用化非常活跃。在这些发光器件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光物质的有机化合物层(EL层)。通过对该元件施加电压，注入载流子，利用该载流子的再结合能量，可以获得来自发光物质的发光。
[0003]因为这种发光器件是自发光型发光器件，所以当用于显示器的像素时比起液晶有可见度更高、不需要背光源等优势。因此，该发光器件适合于平板显示器元件。另外，使用这种发光器件的显示器可以被制造成薄且轻，这也是极大的优点。而且，非常快的响应速度也是其特征之一。
[0004]此外，因为这种发光器件的发光层可以在二维上连续地形成，所以可以获得面发光。因为这是在以白炽灯泡或LED为代表的点光源或者以荧光灯为代表的线光源中难以得到的特征，所以作为可用于照明等的面光源，上述发光器件的利用价值也高。
[0005]如上所述，使用发光器件的显示面板或照明装置适用于各种各样的电子设备，为了追求具有更良好的效率及寿命的发光器件的进一步研究开发日益活跃。
[0006]专利文献1公开了在接触于空穴注入层的第一空穴传输层与发光层之间设置其HOMO能级介于第一空穴注入层的HOMO能级与主体材料的HOMO能级之间的空穴传输性材料的结构。[先行技术文献][专利文献][0007][专利文献1]国际公开第2011/065136号小册子

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0008]到现在发光器件的特性显著地提高，但是还不足以满足对效率、可靠性等特性的高度要求。
[0009]于是，本专利技术的一个方式的目的是提供一种新颖的发光器件。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种发光效率良好的发光器件。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种寿命长的发光器件。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种驱动电压低的发光器件。
[0010]另外，本专利技术的另一个方式的目的是提供一种可靠性高的发光装置、电子设备及
显示装置。另外，本专利技术的另一个方式的目的是提供一种功耗小的发光装置、电子设备及显示装置。
[0011]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显看出上述目的以外的目的，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出上述目的以外的目的。解决技术问题的手段
[0012]本专利技术的一个方式是一种在一对电极间包括EL层的发光器件，其中通过作为EL层所包括的空穴注入层及电子传输层使用特定的结构以自发地变化的方式控制驱动时的载流子平衡而抑制发光器件的初始劣化。另外，通过增高EL层所包括的发光层与电子传输层的叠层界面的电子注入势垒，其自发变化的速度变慢，所以可以实现从长期劣化的观点来看也很良好的发光器件。其结果，驱动发光器件时的劣化曲线的形状在驱动初期或长期驱动时都接近于更平坦的形状。该电子注入势垒也可以抑制从阴极一侧注入到发光层的电子到达空穴传输层且抑制电子注入所导致的空穴传输层的劣化。
[0013]本专利技术的一个方式是一种发光器件，包括阳极与阴极间的EL层，其中EL层从阳极一侧依次包括空穴注入层、发光层及电子传输层，空穴注入层与阳极接触，空穴注入层包括第一物质及第二物质，第一物质对第二物质具有电子接收性，第二物质的HOMO能级为
‑
5.7eV以上且
‑
5.4eV以下，发光层包括第三物质及第四物质，第四物质为主体材料，电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层，第一电子传输层与发光层接触，第一电子传输层包括第五物质，第二电子传输层包括第六物质，第五物质为电子传输性材料，第六物质为金属、金属盐、金属氧化物或金属配合物，第五物质的LUMO能级比第四物质的LUMO能级深且它们之差为0.15eV以上且0.40eV以下。此时，第二电子传输层可以还包括作为电子传输性材料的第七物质。
[0014]本专利技术的另一个方式是一种发光器件，包括阳极与阴极间的EL层，其中EL层从阳极一侧依次包括空穴注入层、发光层及电子传输层，空穴注入层与阳极接触，空穴注入层包括第一物质及第二物质，第一物质对第二物质具有电子接收性，第二物质的HOMO能级为
‑
5.7eV以上且
‑
5.4eV以下，发光层包括第三物质及第四物质，第四物质为主体材料，电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层，第一电子传输层与发光层接触，第一电子传输层包括第五物质及第六物质，第二电子传输层包括第七物质，第五物质及第七物质为电子传输性材料，第六物质为金属、金属盐、金属氧化物或金属配合物，第五物质的LUMO能级比第四物质的LUMO能级深且它们之差为0.15eV以上且0.40eV以下。
[0015]本专利技术的另一个方式是一种发光器件，包括阳极与阴极间的EL层，其中EL层从阳极一侧依次包括空穴注入层、发光层及电子传输层，空穴注入层与阳极接触，空穴注入层包括第一物质及第二物质，第一物质对第二物质具有电子接收性，第二物质的HOMO能级为
‑
5.7eV以上且
‑
5.4eV以下，发光层包括第三物质及第四物质，第四物质为主体材料，电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层，第一电子传输层与发光层接触，第一电子传输层包括第五物质及第六物质，第二电子传输层包括第七物质及第八物质，第一电子传输层中的第六物质的比例大于第二电子传输层中的第八物质的比例，第五物质及第七物质为电子传输性材料，第六物质及第八物质为金属、金属盐、金属氧化物或金属配合物，第五物质的LUMO能级比第四物质的LUMO能级深且它们之差为0.15eV以上且0.40eV以下。此时，各
层中的第六物质及第八物质的比例优选以重量％表示。
[0016]另外，在上述结构中，第六物质与第八物质优选相同。并且，在上述各结构中，第五物质与第七物质优选相同。
[0017]在上述各结构中，第五物质的LUMO能级优选比第四物质的LUMO能级深且它们之差为0.20eV以上且0.40eV以下。
[0018]在上述各结构中，第五物质的HOMO能级优选为
‑
6.0eV以上。
[0019]在上述各结构中，第五物质的电场强度[V/cm]的平方根为600时的电子迁移率优选为1
×
10
‑7cm2/Vs以上且5
×
10
‑5cm2/Vs以下。
[0020]在上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光器件，包括：阳极与阴极间的EL层，其中，所述EL层从所述阳极一侧包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述空穴注入层与所述阳极接触，所述空穴注入层包括第一物质及第二物质，所述第一物质对所述第二物质具有电子接收性，所述第二物质的HOMO能级为
‑
5.7eV以上且
‑
5.4eV以下，所述发光层包括第三物质及第四物质，所述第四物质为主体材料，所述电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层，所述第一电子传输层与所述发光层接触，所述第一电子传输层包括第五物质，所述第二电子传输层包括第六物质，所述第五物质为电子传输性材料，所述第六物质为金属、金属盐、金属氧化物或金属配合物，并且，所述第五物质的LUMO能级比所述第四物质的LUMO能级深且它们之差为0.15eV以上且0.40eV以下。2.一种发光器件，包括：阳极与阴极间的EL层，其中，所述EL层从所述阳极一侧包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述空穴注入层与所述阳极接触，所述空穴注入层包括第一物质及第二物质，所述第一物质对所述第二物质具有电子接收性，所述第二物质的HOMO能级为
‑
5.7eV以上且
‑
5.4eV以下，所述发光层包括第三物质及第四物质，所述第四物质为主体材料，所述电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层，所述第一电子传输层与所述发光层接触，所述第一电子传输层包括第五物质及第六物质，所述第二电子传输层包括第七物质，所述第五物质及所述第七物质为电子传输性材料，所述第六物质为金属、金属盐、金属氧化物或金属配合物，并且，所述第五物质的LUMO能级比所述第四物质的LUMO能级深且它们之差为0.15eV以上且0.40eV以下。3.一种发光器件，包括：阳极与阴极间的EL层，其中，所述EL层从所述阳极一侧依次包括空穴注入层、发光层及电子传输层，所述空穴注入层与所述阳极接触，所述空穴注入层包括第一物质及第二物质，所述第一物质对所述第二物质具有电子接收性，所述第二物质的HOMO能级为
‑
5.7eV以上且
‑
5.4eV以下，
所述发光层包括第三物质及第四物质，所述第四物质为主体材料，所述电子传输层包括第一电子传输层及第二电子传输层，所述第一电子传输层与所述发光层接触，所述第一电子传输层包括第五物质及第六物质，所述第二电子传输层包括第七物质及第八物质，所述第一电子传输层中的所述第六物质的比例大于所述第二电子传输层中的所述第八物质的比例，所述第五物质及所述第七物质为电子传输性材料，所述第六物质及所述第八物质为金属、金属盐、金属氧化物或金属配合物，并且，所述第五物质的LUMO能级比所述第四物质...

【专利技术属性】
技术研发人员：濑尾哲史，门间裕史，奥山拓梦，桥本直明，泷田悠介，铃木恒德，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：