电路基底及其制造方法技术

一种电路基底及其制造方法，电路基底包括图案化基底、图案化绝缘结构以及信号线。图案化绝缘结构包括多个装置部以及多个线路部。多个装置部位于图案化基底上。多个线路部位于图案化基底上，且连接对应的装置部。至少一个线路部包含经离子掺杂的第一绝缘部以及相连第一绝缘部的第二绝缘部。多条信号线位于第一绝缘部上。缘部上。缘部上。

【技术实现步骤摘要】
电路基底及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种电路基底，且特别涉及一种可伸缩的电路基底及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着电子技术的高度发展，电子产品不断推陈出新。为使电子产品能应用于各种不同的领域，可拉伸、轻薄及外型不受限的特性逐渐受到重视。也就是说，电子产品逐渐被要求依据不同的应用方式以及应用环境而具有不同的外型，因此电子产品需具有可拉伸性。
[0003]然而，电子产品在被拉伸的状态下，可能会因为承受应力造成结构上的断裂，甚至进一步造成内部线路的断路。因此，如何使可拉伸的电子产品具有良好的制造良率(yield)及产品可靠度(reliability)，实为目前亟欲解决的课题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种电路基底，能改善电路基底因为伸缩而断裂的问题。
[0005]本专利技术提供一种电路基底的制造方法，能改善电路基底因为伸缩而断裂的问题。
[0006]本专利技术的至少一实施例提供一种电路基底。电路基底包括图案化基底、图案化绝缘结构以及信号线。图案化绝缘结构包括多个装置部以及多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路基底，包括：一图案化基底；一图案化绝缘结构，包括：多个装置部，位于该图案化基底上；以及多个线路部，位于该图案化基底上，且连接对应的该些装置部，其中至少一个该线路部包含经离子掺杂的一第一绝缘部以及相连该第一绝缘部的一第二绝缘部；以及一信号线，位于该第一绝缘部上。2.如权利要求1所述的电路基底，其中该第一绝缘部经由离子掺杂以增加该第一绝缘部中至少一种化学元素的浓度，该化学元素在该第一绝缘部中的浓度大于该化学元素在该第二绝缘部中的浓度的一个数量级以上。3.如权利要求1所述的电路基底，其中该第一绝缘部经由一化学元素所掺杂，且该第二绝缘部中不包含该化学元素。4.如权利要求1所述的电路基底，其中该些线路部的宽度小于该些装置部的宽度，且该图案化绝缘结构包括多个第一开孔，各该第一开孔被对应的四个该些装置部以及对应的四个该些线路部所环绕。5.如权利要求4所述的电路基底，其中该第一绝缘部相较于该第二绝缘部更靠近该些第一开孔的长边。6.如权利要求4所述的电路基底，部分该些第一开孔沿着一第一方向延伸，且另一部分该些第一开孔沿着一第二方向延伸，其中沿着该第一方向延伸的部分该些第一开孔以及沿着该第二方向延伸的另一部分该些第一开孔交替排列。7.如权利要求1所述的电路基底，还包括：多个半导体层，位于该些装置部上，其中该些半导体层与该些线路部的该第一绝缘部包括相同的离子掺杂材料；多个栅极，重叠于该些半导体层；多个栅极绝缘结构，位于该些栅极与该些半导体层之间；以及多个源极与多个漏极，电性连接至该些半导体层。8.如权利要求1所述的电路基底，其中该图案化绝缘结构包括氧化硅与氮化硅的堆叠结构。9.如权利要求1所述的电路基底，其中该第一绝缘部经由磷、硼、碳、氮、氧或前述材料的组合所掺杂。10.如权利要求1所述的电路基底，其中该第一绝缘部残留压应力。11.如权利要求1所述的电路基底，其中该些线路部的厚度小于该些装置部的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘韵文，林恭正，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：