量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：在惰性气氛下，提供化合物A的脂肪酸溶液和第一量子点的混合溶液体系，在第一加热条件下进行配体交换反应，制备表面结合有化合物A的第二量子点；其中，所述化合物A的结构通式如下，X1为与所述第一量子点结合的第一活性基团；R1为-(CH2)

【技术实现步骤摘要】
量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点材料及其制备方法，以及一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点，又称为半导体纳米晶，通常情况下是由II-VI族或III-V族元素组成，其粒径小于或接近于激子波尔半径。经过近30年的研究与发展，量子点合成技术发展取得了显著突破，其中以CdSe为代表的II-VI族量子点的研究已趋于完善，如：光致发光效率接近100％，发生峰峰宽窄至20～30nm，红绿量子点的器件效率和器件寿命已接近商业化应用需求。由于高质量的量子点均采用全溶液合成方法，非常适合采用旋涂、印刷等溶液加工的方式制备成膜。所以以量子点作为发光层的QLED有望成为下一代新型显示技术的强有力的竞争者。
[0003]然而，量子点的电致发光器件仍然存在效率低、寿命短等问题，而构筑高效能QLED器件常用的旋涂技术通常使用ZnO作为QLED的电子传输层 (ETL)。而由于量子点表面呈非极性，与ZnO接触差，使得电子注入困难，量子点表面结构混乱无序，量子点层超晶格本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在惰性气氛下，提供化合物A的脂肪酸溶液和第一量子点的混合溶液体系，在第一加热条件下进行配体交换反应，制备表面结合有化合物A的第二量子点；其中，所述化合物A的结构通式如下，X1为与所述第一量子点结合的第一活性基团；R1为-(CH2)
n-，R2为直链C
m
H
2m+1
，m、n为正整数，且n+m的取值范围为2～12；提供基板，在所述基板上沉积所述第二量子点制备量子点预制膜；在所述量子点预制膜上沉积含有酯水解催化剂的混合溶液，加热使至少处于量子点预制膜表面的化合物A发生酯水解反应生成第一配体，制备量子点薄膜；或将所述第二量子点与含有酯水解催化剂的混合溶液混合，加热使第二量子点表面的化合物A发生酯水解反应生成结构通式为X
1-CH
2-R
1-COOH的第一配体，得到表面结合有第一配体的第二量子点，在基板上成膜处理，制备量子点薄膜。2.如权利要求1所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一活性基团选自羧基；和/或所述化合物A选自辛二酸单甲酯、庚二酸单乙酯、壬二酸单乙酯中的至少一种。3.如权利要求1所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述化合物A的脂肪酸溶液和第一量子点的混合溶液体系中，化合物A和第一量子点的摩尔比为50～100:1；和/或所述化合物A的脂肪酸溶液中的脂肪酸选自正辛酸、乙酸、正己酸、正丁酸、正戊酸中的至少一种；和/或提供化合物A的脂肪酸溶液和第一量子点的混合溶液体系的步骤，包括：分别配置化合物A的脂肪酸溶液和第一量子点的非极性溶液，混合处理，得到所述混合溶液体系。4.如权利要求1至3任一项所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，在第一加热条件下进行配体交换反应的步骤中，所述第一加热条件的温度为100℃～200℃，所述配体交换反应的时间为20min～40min；和/或所述基板为表面含有电子传输材料的基板，在所述量子点预制膜上沉积含有酯水解催化剂的混合溶液的步骤中，所述含有酯水解催化剂的混合溶液中还含有金属前驱体；且加热使至少处于量子点预制膜面的化合物A水解形成第一配体的步骤，还包括：所述第一配体与所述金属前驱体中的金属结合，形成量子点-第一配体-金属结构。5.如权利要求4所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述电子传输材料为金属化合物纳米颗粒，且所述金属前驱体中的金属与所述电子传输材料中的金属相同。6.如权利要求5所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述电子传输材料为氧化锌纳米颗粒，且所述金属前驱体选自醋酸锌、二乙基锌、氯化锌、溴化锌、碘化锌、硬脂酸锌中的至少一种。7.如权利要求1至3任一项所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二量子点为同时包含化合物A和第二配体的量子点，其中，所述第二配体为具有至少两个以上苯环
的化合物，且所述第二配体含有一个与所述量子点颗粒结合的第二活性基团，所述第二活性基团的极性强于所述第一活性基团的极性；在第一加热条件下进行配体交换反应之后，还包括：在惰性气氛下，在表面结合有化合物A的第二量子点的反应体系中加入第二配体，在第二加热条件下进行配体交换反应，制备表面同时结合有化合物A和第二配体的第二量子点。8.如权利要求7所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二活性基团选自硝基、磺酸基团和三卤甲基中的一种，且所述三卤甲基中的卤原子选自氟、氯、溴中的一种。9.如权利要求8所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二配体选自苯环数为2～6的稠环、联苯、含有-Ar-C＝C-Ar-的超共轭结构中的至少一种，其中，Ar为苯环。10.如权利要求8所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二配体选自如下式1、式2所示化合物中的一种，其中，R3选自氢原子、苯环、烯烃中的一种，X2为所述第二活性基团，11.如权利要求7所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，在表面结合有化合物A的第二量子点的反应体系中加入第二配体的步骤中，按照所述第二配体与所述第一量子点的摩尔比为0.5～4：1的比例，在所述反应体系中加入第二配体；和/或在第二加热条件下进行配体交换反应的步骤中，所述第二加热条件的温度为80℃～100℃，交换反应的时间为8h～16h；且在第一加热条件下进行配体交换反应的步骤中，所述第一加热条件的温度为100℃～150℃，交换反应的时间为2h～4h。12.如权利要求1至3任一项所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二量子点为同时包含化合物A和第三配体的量子点，其中，所述第三配体为结构通式如式3所示的化合物；其中，所述R4选自碳原子数为1至6、末端含有与所述第二量子点结合的第三活性基团的取代基，所述第三活性基团的极性强于所述第一活性基团的极性；且所述第三配体之间通过双键的聚合反应交联形成网络结构；且在第一加热条件下进行配体交换反应之后，还包括：在惰性气氛下，在表面结合有化合物A的第二量子点的反应体系中加入第三配体，在第三加热条件下进行配体交换反应，制备表面同时结合有化...

【专利技术属性】
技术研发人员：张旋宇，刘文勇，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：