热载流效应耐受度的测试方法技术

本发明专利技术实施例提供一种热载流效应耐受度的测试方法，应用于存储器的输入输出电路，所述输入输出电路具有输出端，包括：控制所述输出端交替输出第一电平和第二电平，所述第一电平高于所述第二电平；根据所述第一电平和所述第二电平，得到所述输入输出电路的输出性能参数的退化速率；基于所述退化速率，获取所述输入输出电路的热载流效应耐受度。本发明专利技术有利于准确获取半导体器件对热载流效应的耐受度。准确获取半导体器件对热载流效应的耐受度。准确获取半导体器件对热载流效应的耐受度。

【技术实现步骤摘要】
热载流效应耐受度的测试方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种热载流效应耐受度的测试方法。

技术介绍

[0002]随着电子设备的普及应用，人们对电子设备的性能也提出了更高的要求，例如，电子设备中半导体器件性能的稳定性。为保证半导体器件能够长期可靠的工作，通常在出厂前对半导体器件进行产品老化等性能测试试验，以保证半导体器件在预设时间内的性能变化处于预设阈值。
[0003]目前，缺少一种简单有效的针对半导体器件热载流效应耐受度的测试方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种热载流效应耐受度的测试方法，能够简单有效地实现半导体器件热载流效应耐受度的测试。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种热载流效应耐受度的测试方法，应用于存储器的输入输出电路，所述输入输出电路具有输出端，包括：控制所述输出端交替输出第一电平和第二电平，所述第一电平高于所述第二电平；根据所述第一电平和所述第二电平，得到所述输入输出电路的输出性能参数的退化速率；基于所述退化速率，获取所述输入输出电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热载流效应耐受度的测试方法，其特征在于，应用于存储器的输入输出电路，所述输入输出电路具有输出端，包括：控制所述输出端交替输出第一电平和第二电平，所述第一电平高于所述第二电平；根据所述第一电平和所述第二电平，得到所述输入输出电路的输出性能参数的退化速率；基于所述退化速率，获取所述输入输出电路的热载流效应耐受度。2.根据权利要求1所述的热载流效应耐受度的测试方法，其特征在于，所述退化速率包括电平最值退化速率或电平转化速率退化速率中的至少一者。3.根据权利要求2所述的热载流效应耐受度的测试方法，其特征在于，所述电平最值退化速率包括电平峰值退化速率和电平谷值退化速率。4.根据权利要求2所述的热载流效应耐受度的测试方法，其特征在于，所述电平转化速率退化速率包括电平上升沿转化速率退化速率和电平下降沿转化速率退化速率。5.根据权利要求1至4中任一项所述的热载流效应耐受度的测试方法，其特征在于，所述输入输出电路包括：PMOS管和NMOS管，所述输出端分别与所述PMOS管的漏极和所述NMOS管的漏极连接，所述PMOS管的源极与工作电源连接，所述NMOS管的源极接地；控制所述输出端交替输出第一电平和第二电平，包括：在前一时刻，控制所述PMOS管导通和所述NMOS管关断，使所述输出端输出所述第一电平；在后一时刻，控制所述PMOS管关断和所述NMOS管导通，使所述输出端输出所述第二电平；所述获取所述输入输出电路的热载流效应耐受度，包括：基于所述退化速率，获取所述PMOS管的第一热载流效应耐受度，且获取所述NMOS管的第二热载流效应耐受度。6.根据权利要求5所述的热载...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘宜飞，骆晓东，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：