一种用于制备及检查晶圆抛光压力环的治具制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于制备及检查晶圆抛光压力环的治具，本装置包括一圆形底盘，在圆形底盘上标注刻度尺。本装置的圆形底盘用以放置需制备及检查的压力环，圆形底盘上的刻度尺用以精准检查压力环。本实用新型专利技术可以有效的改善，手工制作时，压力环上是否发生偏心的问题，使其定位更为精确。同时也可以用于检查使用过一段时间的压力环是否出现偏移的问题，从而减少硅晶片表面损伤，提高产品的良率。提高产品的良率。提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备及检查晶圆抛光压力环的治具


[0001]本技术与抛光制程工艺有关；具体设计一种用于制备及检查晶圆抛光压力环的治具。

技术介绍

[0002]半导体硅晶片采用边缘抛光加工的目的是去除边缘表面的损伤层，以降低因在加工过程中碰撞而产生碎片的机会，从而使得硅片的边缘表面获得较低的表面粗糙度，故可降低微粒对表面的附着沾污。硅晶片的表面抛光是硅晶片加工的关键工序，其加工精度直接影响硅晶片的性能、合格率等技术指标。
[0003]在半导体硅晶片抛光制程加工工艺过程中，一般先将硅晶片贴片至陶瓷盘上，再将陶瓷盘与硅晶片抛光机压头连接，从而开始抛光制程。在抛光制程加工工艺时，由于硅晶片抛光机压头向下的压力作用，容易出现向下压力施力不均，比较集中与陶瓷盘的中心位置，从而造成陶瓷盘上硅晶片表面损伤及硅晶片边缘翘起，硅晶片平坦度劣化等问题。为了解决这一问题，所以在硅晶片抛光机的压头与陶瓷盘中间会放置一F压力环，压力环主要由粗抛垫及FRP 材质的圆形底片组成，硅晶片抛光时，通过调整压力环上的粗抛垫的尺寸，可以提升硅晶片在抛光制程后表面的平坦度。手工制作时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制备及检查晶圆抛光压力环的治具，其特征在于，用于制备及检查压力环中组件的位置是否发生偏移，所述治具包括：有一圆形底盘，用以放置及检查压力环尺寸；圆形底盘上标注刻度尺，用以检查压力环组件的位置。2.如权利要求1所述的一种用于制备及检查晶圆抛光压力环的治具，其特征在于，所述治具有一圆形底盘，根据压力环要求尺寸设置圆形底盘的尺寸。3.如权利要求1所述的一种用于制备及检查晶圆抛光压力环...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆基益，郑伟，还胜钦，蔡雪良，李汉生，孙小兵，吕亚明，
申请(专利权)人：昆山中辰矽晶有限公司，
类型：新型
国别省市：