一种具有反射层与栅极的场致发射显示器构造，包括有：阴极构造，具有电子发射源层及阴极基板；及阳极构造，具有荧光粉体层及阳极基板；其中该阴极构造具有阴极阻隔壁，位于该阴极基板之上且位于该电子发射源层横向间隔之间；其中该阴极构造具有栅极，由金属网罩构成且位于该阴极阻隔壁的上方；其中该场致发射显示器构造进一步具有支撑装置，位于该金属网罩与该阳极构造之间，且面向阳极侧具有反射层，而该反射层具有反射该荧光粉体层发出的光的能力。通过提供该栅极层，除发挥该支撑装置应用于场致发射显示器上的支撑及反射特性外，并具栅极功能，并可提升组装程序的合格率降低组装设备成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种场致发射显示器(Field Emission Display；FED)具有栅极构造的制作技术，尤指一种可应用于碳纳米管为电子发射源层的场致发射显示器制作技术。
技术介绍
平面显示器(FPD)种类包括场致发射显示器(FED)、液晶显示器(TFT-LCD)、等离子体显示器(PDP)、有机发光二极管显示器(OLED)、液晶投影式显示器等等，轻、薄是上述平面显示器的共同特点，依照各该平面显示器的不同特质，有些可应用于小尺寸面版如手机；有些则可应用于中、大型尺寸如计算机屏幕、电视屏幕；或应用于超大型尺寸如室外数字式看板。各种平面显示器技术的发展，均是希望朝向兼具高画质、大画面、并提高使用寿命等特性。其中所谓的场致发射显示器是近年来新兴的平面显示器之一，其原因在其有自发光的效果，除较LCD能有更佳的亮度表现外，加上更宽广的视角，能源消耗低，反应速度快，操作温度较广等特性，且所得影像画质类似于传统的阴极射线管(CRT)，而其体积却远较阴极射线管(CRT)轻、薄，再加上将近年所开发的纳米碳管，应用于内，势必促进其发展。一种现有的三极场致发射显示器参考图1所示，其结构至少包含阳极构造10a与阴极构造20a于一单元结构之中，阳极与阴极之间设置有绝缘支撑装置(或spacer)15a，提供为单元阳极与单元阴极间真空区域的间隔，及作为阳极构造10a与阴极构造20a之间的支撑，为防止显示器中的两大片面板崩溃，参阅图1所示，一阳极构造10a至少包含一阳极玻璃基板11a，一阳极导电层12a，一荧光粉体层(phosphors layer)13a；而一阴极构造20a至少包含一阴极玻璃基板21a，一阴极导电层22a，一电子发射源层23a，一介电层24a，一栅极层25a；其中各该单元内阳极构造10a与阴极构造20a之间隔是由绝缘支撑装置15a配置，其功能为保持阴极构造与阳极构造之间的真空区域的维系，并由阳极导电层12a提供的高压，使阴极构造20a上的电子发射源层23a产生电子并射向阳极构造10a上的荧光粉体层13a激发而使荧光粉体发光。此外，前述所谓的阴极构造20a的阴极导电层22a是由平行并列的阴极导线配置而成，栅极层25a也由平行并列的栅极导线配置而成，两者导线的配置互成垂直关系，在功能上是在栅极层与阴极电极层间提供一电压以形成电场，由栅极汲引电子发射源的电子束，并由栅极导线与阴极电极导线的垂直配置关系，以达成各单元电子发射源的控制关系，以达成动态画面呈现的目的；又，为了使电子在场致发射显晶示器中移动，由真空设备将显示器抽真空至10-7托(torr)，使电子获得一良好的自由移动路径(mean freepath)，同时应避免电子发射源和荧光粉区的污染及毒化。另，为使电子有足够能量去冲击荧光粉，故在两板间需有适当间隙，并提供阳极电极层一高电压，以使得始于栅极汲引出的电子束有足够的加速度能量来冲击荧光粉，达到使荧光粉能充分产生发光效应。现有技术对于该等结构的制作，一种以薄膜微影制程，可精细制作微米规格的结构，然由于该制作均以繁复的制程程序难以达成量产化的目标，近年来一种栅极网罩46’结构的设置，如图2所示的结构，其应用于场致发射显示器，如图3所示的结构，由于该栅极是以一种金属网罩46’取代现有的以微影制程制作于阴极板上，该等栅极网罩可视为一种独立组件设置为阴极板2’与阳极板1’之间，阴极以介电层(Dielectric layer)(具阻隔的肋作用)24’作为与电极层之间的间隙与支撑，阳极则以支撑装置(Spacer)3’为间隔支撑，以上该等支撑是以提供于真空环境下，防止阴阳面板的崩塌，并以形成一真空区域以作为阴极电子发射源产生电子束移动的路径以撞击阳极粉体层发光，然该等支撑装置，是以一固定间隔配置，且栅极网罩46’，通常是由厚度可为50μm至200μm的多个栅极导线461’薄片所构成，因此于电路配置下操作，由于电路多以一种脉冲频率震荡，往往易使此栅极网罩产生共振效应，此时于场致发射显示器常有共鸣的声响发出，并影响画面的表现，与产品的品味。近年来，一种新型的绝缘材质的面板形支撑装置过去常被导入液晶平面显示器面板内层间隔来使用，参阅图11所示的结构，该材质膨胀系数与玻璃相近，面板厚度可为500μm至1500μm，并可被蚀刻为多个孔隙42，孔隙直径己可满足目前场致发射显示器的阴阳极单元矩阵配列的需求，因此也可被考虑为场致发射显示器内阴阳极间的支撑装置应用。由于现有的支撑装置多以玻璃球或十字型玻璃来支撑，又或以长条状的支撑物来支撑。该等支撑装置需以一固着剂以粘附于阴极或阳极，因此在制程上需经过粘附固着剂，然后粘附在阳极构造或阴极构造上，再经过一烧结制程以完成支撑装置的固着，然配合场致发射显示面板的画面呈现需求，且不致影响画面呈现的效果，因此支撑装置的规模大都介于50μm到200μm之间，其外观尺寸相当微小，因此该结构在制程上便会有下述复杂度的存在一、制程繁复由于现有的支撑装置外观尺寸小，要由吸附设备或移载设备布植支撑装置要求精确提高，对位及实施的复杂及困难度提高。二、支撑装置沾附固着剂易产生污染由于现有支撑装置需通过沾浆，才能粘着在面板上，其后必需再经加热让沾浆进行固着，让面板和支撑装置完成固定封着，将沾有沾浆支撑装置布植在面板上，造成沾浆对面板形成一污染源，其二为经高温烧结，在沾浆内的溶剂因而挥发出来，势必对面板造成二次污染。所以，若以前述所谓的绝缘图案化矩阵孔隙支撑装置可轻易解决以上的问题，并可大大减低制程成本。为此申请人曾提出一专利申请，其是一种绝缘支撑装置的特色加以改良应用，如图11所示，在该绝缘支撑装置38设置一反射层，据此，除发挥该绝缘支撑装置应用于场致发射显示器上的支撑功能外，并可提升荧光粉的发光效率，又，该支撑装置相较于现有的支撑器实施容易，无须借助高成本且耗时的布植设备实施，据此，专利技术人乃再利用此具反射层的支撑装置再结合前述所谓的一栅极网罩以制作一种具反射层的栅极支撑装置，除具前述申请人的专利案的支撑与增加亮度的功效外，并结合一简易及可独立制作的栅极层；配合本专利技术装置的实施，所制作场致发射显示器的阴极结构，与阳极结构，需进一步有一配合的设置，然该配合设置仍较现有技术制作阴极与阳极可更简易。
技术实现思路
有鉴于现有技术制作的栅极网罩的场致发射显示器仍因共振的缺憾仍待克服，专利技术人乃改良具反射层的栅极支撑装置，除具备反射层可提升荧光粉体的发光效率外，并具作为阴极与阳极的支撑效果，且可改善栅极网罩的共振现象。本专利技术的主要目的，是提供一种具反射层的栅极支撑装置，可在一种具反射层的绝缘支撑装置上结合一种栅极网罩以构成本专利技术的结构。本专利技术的又一目的，是提供一种具反射层的栅极支撑装置，可独立制作，成本低廉合格率高。本专利技术的另一目的，是对应本专利技术的阴极结构与阳极结构制作简化，且各该结构均可独立分别制作后，再予以组合，以形成一种配合本专利技术实施的场致发射显示器结构。为达上述所谓的诸目的，本专利技术提供了一种具反射层的栅极支撑装置，在一种具有多个透孔的绝缘板的一侧以蒸镀或溅镀实施制作一反射层以对应阳极，在该具有多个透孔的绝缘板的另一侧接合一具有多个金属栅极导线的栅极网罩以对应阴极，所谓的栅极导线平行并列，与阴极电极层的阴极导线配置垂本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有反射层与栅极的场致发射显示器构造，其特征在于，包括有： 阴极构造，具有电子发射源层及阴极基板；及 阳极构造，具有荧光粉体层及阳极基板； 其中该阴极构造具有阴极阻隔壁，位于该阴极基板之上且位于该电子发射源层横向间隔之间； 其中该阴极构造具有栅极，由金属网罩构成且位于该阴极阻隔壁的上方； 其中该场致发射显示器构造进一步具有支撑装置，位于该金属网罩与该阳极构造之间，且面向阳极侧具有反射层，而该反射层具有反射该荧光粉体层发出的光的能力。
【技术特征摘要】
1.一种具有反射层与栅极的场致发射显示器构造，其特征在于，包括有阴极构造，具有电子发射源层及阴极基板；及阳极构造，具有荧光粉体层及阳极基板；其中该阴极构造具有阴极阻隔壁，位于该阴极基板之上且位于该电子发射源层横向间隔之间；其中该阴极构造具有栅极，由金属网罩构成且位于该阴极阻隔壁的上方；其中该场致发射显示器构造进一步具有支撑装置，位于该金属网罩与该阳极构造之间，且面向阳极侧具有反射层，而该反射层具有反射该荧光粉体层发出的光的能力。2.如权利要求1所述的具有反射层与栅极的场致发射显示器构造，其特征在于，该反射层面对该荧光粉体层。3.如权利要求1所述的具有反射层与栅极的场致发射显示器构造，其特征在于，该荧光粉体层为网印或喷涂方式所涂布。4.如权利要求1所述的具有反射层与栅极的场致发射显示器构造，其特征在于，该电子发射源层为网印或喷涂方式所涂布。5.如权利要求1所述的具有反射层与栅极的场致发射显示器构造，其特征在于，该电子发射源层包含有经改质后的碳纳米管，具有高电子发射率。6.如权利要求2所述的具有反射层与栅极的场致发射显示器构造，其特征在于，该反射层及支撑装置具有多个孔隙，每一该电子发射源层位于该孔隙...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹德凤，郑奎文，
申请(专利权)人：东元奈米应材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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