一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备，包括等离子全方位离子沉积设备本体，所述等离子全方位离子沉积设备本体底部开设有凹槽，所述等离子全方位离子沉积设备本体的底部设有底座。本实用新型专利技术中，等离子全方位离子沉积设备本体产生的震动经过第一弹簧传至缓冲板上，第一弹簧具有缓冲作用，缓冲了一部分震动，缓冲板经过第一固定柱、连杆和挡板将震动传至第二弹簧上，第二弹簧具有缓冲作用，缓冲了一部分震动，避免等离子全方位离子沉积设备本体与地面直接硬接触，避免震动导致等离子全方位离子沉积设备本体内部安装的零件出现松动，提高等离子全方位离子沉积设备本体的使用寿命。积设备本体的使用寿命。积设备本体的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备


[0001]本技术涉及离子沉积设备
，尤其涉及一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备。

技术介绍

[0002]等离子全方位离子沉积技术简称为PI ID技术，它是等离子增强化学气相沉积技术的一种，利用PI ID技术可以制备出类金刚石涂层，简称DLC涂层，尽管DLC涂层具有高硬度、低摩擦系数、耐磨耐腐蚀等多种优异的性能，随着科技的进步，对材料性能的要求就越来越苛刻。
[0003]现有授权公告号为CN202558925U，专利名称为：一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备，包括真空镀膜室、抽气系统、人机控制系统、充气系统等部分，真空镀膜室内设有用于放置镀膜工件的绝缘支架。
[0004]现有技术中的等离子全方位离子沉积设备大多是直接放在地面上使用的，然而，设备在使用的过程中会产生震动，设备与地面直接硬接触导致震动无法得到缓冲，在这种情况下，使用时间过长，会导致设备内部安装的零件出现松动或者脱落，降低设备的使用寿命。

技术实现思路

[0005]为了解决上述
技术介绍
中所提到的技术问题，而提出的一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0007]一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备，包括等离子全方位离子沉积设备本体，所述等离子全方位离子沉积设备本体底部开设有凹槽，所述等离子全方位离子沉积设备本体的底部设有底座，所述底座两端固定安装有竖板，两个所述竖板之间滑动连接有缓冲板，所述缓冲板上弹性连接有多个第一弹簧，所述第一弹簧的自由端与凹槽顶部弹性连接。
[0008]作为上述技术方案的进一步描述：
[0009]所述缓冲板顶部固定安装有多个第一伸缩杆，所述第一伸缩杆的自由端与凹槽顶部固定安装，所述第一弹簧套接在第一伸缩杆外侧。
[0010]作为上述技术方案的进一步描述：
[0011]多个所述第一伸缩杆在缓冲板顶部等间距设置。
[0012]作为上述技术方案的进一步描述：
[0013]所述缓冲板底部固定安装有两个第一固定柱，所述竖板上弹性连接有第二弹簧，所述第二弹簧的自由端弹性连接有挡板，所述挡板上固定安装有第二固定柱，所述第二固定柱上转动安装有连杆，所述连杆的自由端与第一固定柱转动安装。
[0014]作为上述技术方案的进一步描述：
[0015]所述挡板上固定安装有第二伸缩杆，所述第二伸缩杆的自由端与竖板固定安装，所述第二弹簧套接在第二伸缩杆的外侧。
[0016]作为上述技术方案的进一步描述：
[0017]所述第二固定柱焊接在挡板上。
[0018]作为上述技术方案的进一步描述：
[0019]所述缓冲板两侧开设有安装槽，所述安装槽内转动安装有多个与竖板外表壁滚动接触的转动球。
[0020]综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：
[0021]1、本技术中，等离子全方位离子沉积设备本体产生的震动经过第一弹簧传至缓冲板上，第一弹簧具有缓冲作用，缓冲了一部分震动，缓冲板经过第一固定柱、连杆和挡板将震动传至第二弹簧上，第二弹簧具有缓冲作用，缓冲了一部分震动，避免等离子全方位离子沉积设备本体与地面直接硬接触，避免震动导致等离子全方位离子沉积设备本体内部安装的零件出现松动，提高等离子全方位离子沉积设备本体的使用寿命。
[0022]2、本技术中，安装槽内转动安装有多个与竖板外表壁滚动接触的转动球，转动球减小了缓冲板与竖板之间的摩擦力，便于缓冲板在两个竖板之间滑动，提高装置运行的稳定性。
附图说明
[0023]图1示出了根据本技术实施例提供的一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备的轴测示意图；
[0024]图2示出了根据本技术实施例提供的一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备的主视剖视示意图；
[0025]图3示出了根据本技术实施例提供的一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备的A处的放大示意图；
[0026]图4示出了根据本技术实施例提供的一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备的B处的放大示意图。
[0027]图例说明：
[0028]2、等离子全方位离子沉积设备本体；201、凹槽；4、底座；5、竖板；6、第一伸缩杆；7、第一弹簧；8、缓冲板；801、安装槽；9、第一固定柱；10、连杆；11、第二伸缩杆；12、第二弹簧；13、挡板；14、第二固定柱；15、转动球。
具体实施方式
[0029]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]请参阅图1
‑
4，本技术提供一种技术方案：一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备，包括等离子全方位离子沉积设备本体2，等离子全方位离子沉积设备本体2底部开设有凹槽201，等离子全方位离子沉积设备本体2的底部设有底座4，底座4两端固定
安装有竖板5，两个竖板5之间滑动连接有缓冲板8，缓冲板8上弹性连接有多个第一弹簧7，第一弹簧7的自由端与凹槽201顶部弹性连接，缓冲板8顶部固定安装有多个第一伸缩杆6，第一伸缩杆6的自由端与凹槽201顶部固定安装，第一弹簧7套接在第一伸缩杆6外侧，多个第一伸缩杆6在缓冲板8顶部等间距设置。
[0031]具体的，如图1
‑
4所示，缓冲板8底部固定安装有两个第一固定柱9，竖板5上弹性连接有第二弹簧12，第二弹簧12的自由端弹性连接有挡板13，挡板13上固定安装有第二固定柱14，第二固定柱14上转动安装有连杆10，连杆10的自由端与第一固定柱9转动安装，挡板13上固定安装有第二伸缩杆11，第二伸缩杆11的自由端与竖板5固定安装，第二弹簧12套接在第二伸缩杆11的外侧，第二固定柱14焊接在挡板13上，缓冲板8两侧开设有安装槽801，安装槽801内转动安装有多个与竖板5外表壁滚动接触的转动球15，转动球15减小了缓冲板8与竖板5之间的摩擦力，便于缓冲板8在两个竖板5之间滑动，提高装置运行的稳定性，等离子全方位离子沉积设备本体2产生的震动经过第一弹簧7传至缓冲板8上，第一弹簧7具有缓冲作用，缓冲了一部分震动，缓冲板8经过第一固定柱9、连杆10和挡板13将震动传至第二弹簧12上，第二弹簧12具有缓冲作用，缓冲了一部分震动，避免等离子全方位离子沉积设备本体2与地面直接硬接触，避免震动导致等离子全方位离子沉积设备本体2内部安装的零件出现松动，提高等离子全方位离子沉积设备本体2的使用寿命。
[0032]工作原理：使用时，等离子全方位离子沉积设备本体2产生的震动经过第一弹簧7传至缓冲板8上，第一弹簧7具有缓冲本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备，包括等离子全方位离子沉积设备本体(2)，其特征在于，所述等离子全方位离子沉积设备本体(2)底部开设有凹槽(201)，所述等离子全方位离子沉积设备本体(2)的底部设有底座(4)，所述底座(4)两端固定安装有竖板(5)，两个所述竖板(5)之间滑动连接有缓冲板(8)，所述缓冲板(8)上弹性连接有多个第一弹簧(7)，所述第一弹簧(7)的自由端与凹槽(201)顶部弹性连接。2.根据权利要求1所述的一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备，其特征在于，所述缓冲板(8)顶部固定安装有多个第一伸缩杆(6)，所述第一伸缩杆(6)的自由端与凹槽(201)顶部固定安装，所述第一弹簧(7)套接在第一伸缩杆(6)外侧。3.根据权利要求2所述的一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备，其特征在于，多个所述第一伸缩杆(6)在缓冲板(8)顶部等间距设置。4.根据权利要求3所述的一种提高镀膜速率的等离子全方位离子沉积设备，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国龙，
申请(专利权)人：浙江摩鼎纳米科技有限公司，
类型：新型
国别省市：