解决MOS管开关电源引起重启的电路制造技术

本实用新型专利技术解决MOS管开关电源引起重启的电路，包括输入端与电源电路电连接的MOS管开关，分别与MOS管开关的控制端、电源电路电连接的控制电路，一端与控制电路电连接，另一端与MCU芯片电连接的延时电路，一端与电源电路电连接，另一端与MCU芯片电连接的稳压电路，MOS管开关的输出端与负载电连接。本方案电路结构简单、成本低、作用大，可通用于各种电子产品的电源供电MOS管开关电路中。电源供电MOS管开关电路中。电源供电MOS管开关电路中。

【技术实现步骤摘要】
解决MOS管开关电源引起重启的电路


[0001]本技术涉及电子产品
，尤其涉及解决MOS管开关电源引起重启的电路。

技术介绍

[0002]电子产品的电源电路采用MOS管开关时，且电源电路输出有大电容存在情况下，开关瞬间容易引起输入电压异常，导致系统的供电波动产生死机、重启现象。
[0003]为了了克服上述问题，我们专利技术了解决MOS管开关电源引起重启的电路。

技术实现思路

[0004]本技术的专利技术目的在于解决电源电路采用MOS管开关时，且电源电路输出有大电容存在情况下，开关瞬间容易引起输入电压异常，导致系统的供电波动产生重启现象的问题。其具体解决方案如下：
[0005]解决MOS管开关电源引起重启的电路，包括输入端与电源电路电连接的MOS管开关，分别与MOS管开关的控制端、电源电路电连接的控制电路，一端与控制电路电连接，另一端与MCU芯片电连接的延时电路，一端与电源电路电连接，另一端与MCU芯片电连接的稳压电路，MOS管开关的输出端与负载电连接。
[0006]进一步地，所述MOS管开关包括MOS管Q6，其源极S为输入端，其漏极D同时与电阻R58的一端、电解EC3的正极电连接，并作为电压+B2的输出端给负载供电，电阻R58的另一端、电解EC3的负极同时接地，MOS管Q6的栅极G为控制端。
[0007]进一步地，所述控制电路包括三极管Q7，其集电极C同时与MOS管Q6栅极G、电阻R16的一端电连接，电阻R16的另一端与电源电路的+B1供电端电连接，三极管Q7的发射极E接地，三极管Q7的基极B与延时电路的输出端电连接。
[0008]进一步地，所述延时电路包括输入端为电阻R41的一端，电阻R41的另一端同时与电容C54、电阻R40的一端电连接，并作为延时电路的输出端与三极管Q7的基极B电连接，延时电路的输入端与所述MCU芯片的POWER_CTRL控制脚电连接。
[0009]进一步地，所述电阻R41为充电电阻，电容C54为充电电容，电阻R40为放电电阻同时起分压作用。
[0010]进一步地，所述MCU芯片的POWER_CTRL控制脚为高电平时，电阻R41对电容C54充电，基极B的电平逐渐升高，三极管Q7逐渐导通，集电极C电平逐渐降低，MOS管Q6的栅极G电平逐渐降低，MOS管Q6缓慢导通，漏极D的电压+B2逐渐升高，对电解EC3缓慢充电。
[0011]进一步地，所述稳压电路从所述电源电路取电，经过稳压后，提供电源供电给MCU芯片工作。
[0012]进一步地，所述MOS管的型号为SI2503。所述三极管Q7的型号为9014。
[0013]进一步地，所述MCU芯片型号为STM8L051F3P6或STM8S003F3P6或N76E003AT20或GD32F103RCT6中的任一种，电源电路型号为MP9486A。
[0014]进一步地，所述电阻R41为68K，R40为47K，R16为100K，R58为10K，电容C54为105pF,电解EC3为220uF。
[0015]综上所述，采用本技术的技术方案具有以下有益效果：
[0016]本方案解决了电源电路采用MOS管开关时，且电源电路输出有大电容存在情况下，开关瞬间容易引起输入电压异常，导致系统的供电波动产生重启现象的问题。本方案在MOS管开关之前的控制电路输入端增加了一个延时电路，使得输入控制电平不是突然变高，而是逐渐升高的电平，控制电路的输出是一个逐渐变低的电平，MOS管开关逐渐导通，使负载的供电电源的大电容有一个缓慢充电升高的过程，这样就避免了开关瞬间引起输入电压波动的现象，也不会出现系统死机、重启的现象，提高了电路的稳定性，保证了电子产品的品质，延长了电子产品的使用寿命。本方案电路结构简单、成本低、作用大，可通用于各种电子产品的电源供电MOS管开关电路中。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还能够根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术解决MOS管开关电源引起重启的电路的方框图；
[0019]图2为本技术解决MOS管开关电源引起重启的电路的电路图。
[0020]附图标记说明：
[0021]10
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电源电路，20
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MOS管开关，30
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控制电路，40
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MCU芯片，50
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延时电路，60
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稳压电路，70
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负载。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]如图1、2所示，解决MOS管开关电源引起重启的电路，包括输入端与电源电路10电连接的MOS管开关20，分别与MOS管开关20的控制端、电源电路10电连接的控制电路30，一端与控制电路30电连接，另一端与MCU芯片40电连接的延时电路50，一端与电源电路10电连接，另一端与MCU芯片40电连接的稳压电路60，MOS管开关20的输出端与负载70电连接。
[0024]进一步地，MOS管开关20包括MOS管Q6，其源极S为输入端，其漏极D同时与电阻R58的一端、电解EC3的正极电连接，并作为电压+B2的输出端给负载70供电，电阻R58的另一端、电解EC3的负极同时接地，MOS管Q6的栅极G为控制端。
[0025]进一步地，控制电路30包括三极管Q7，其集电极C同时与MOS管Q6栅极G、电阻R16的一端电连接，电阻R16的另一端与电源电路10的+B1供电端电连接，三极管Q7的发射极E接地，三极管Q7的基极B与延时电路50的输出端电连接。
[0026]进一步地，延时电路50包括输入端为电阻R41的一端，电阻R41的另一端同时与电
容C54、电阻R40的一端电连接，并作为延时电路50的输出端与三极管Q7的基极B电连接，延时电路50的输入端与MCU芯片40的POWER_CTRL控制脚电连接。
[0027]进一步地，电阻R41为充电电阻，电容C54为充电电容，电阻R40为放电电阻同时起分压作用。
[0028]进一步地，MCU芯片40的POWER_CTRL控制脚为高电平时，电阻R41对电容C54充电，基极B的电平逐渐升高，三极管Q7逐渐导通，集电极C电平逐渐降低，MOS管Q6的栅极G电平逐渐降低，MOS管Q6缓慢导通，漏极D的电压+B2逐渐升高，对电解EC3缓慢充电。
[0029]进一步地，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.解决MOS管开关电源引起重启的电路，其特征在于：包括输入端与电源电路电连接的MOS管开关，分别与MOS管开关的控制端、电源电路电连接的控制电路，一端与控制电路电连接，另一端与MCU芯片电连接的延时电路，一端与电源电路电连接，另一端与MCU芯片电连接的稳压电路，MOS管开关的输出端与负载电连接。2.根据权利要求1所述解决MOS管开关电源引起重启的电路，其特征在于：所述MOS管开关包括MOS管Q6，其源极S为输入端，其漏极D同时与电阻R58的一端、电解EC3的正极电连接，并作为电压+B2的输出端给负载供电，电阻R58的另一端、电解EC3的负极同时接地，MOS管Q6的栅极G为控制端。3.根据权利要求2所述解决MOS管开关电源引起重启的电路，其特征在于：所述控制电路包括三极管Q7，其集电极C同时与MOS管Q6栅极G、电阻R16的一端电连接，电阻R16的另一端与电源电路的+B1供电端电连接，三极管Q7的发射极E接地，三极管Q7的基极B与延时电路的输出端电连接。4.根据权利要求3所述解决MOS管开关电源引起重启的电路，其特征在于：所述延时电路包括输入端为电阻R41的一端，电阻R41的另一端同时与电容C54、电阻R40的一端电连接，并作为延时电路的输出端与三极管Q7的基极B电连接，延时电路的输入端与所述MCU芯片的POWER_CTRL控制脚电连接。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：马颖杰，谭晓勇，宁志敏，李腾达，
申请(专利权)人：深圳市博实结科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：