【技术实现步骤摘要】
数字聚合酶链式反应微流控装置及其制备方法
[0001]本公开涉及但不限于数字化荧光检测
，具体涉及一种数字聚合酶链式反应微流控装置及其制备方法。
技术介绍
[0002]数字聚合酶链式反应(Digital Polymerase Chain Reaction，简称dPCR)，dPCR是一种提供数字化DNA量化信息的定量分析方法，采用分而治之(divide and conquer)的检测策略，利用微流控技术将样品和PCR试剂的混合物分散在芯片中一个个微型微反应腔内，对每个腔室中的目标分子进行独立PCR扩增。
[0003]经本申请专利技术人研究发现，现有数字聚合酶链式反应微流控装置存在进样及扩增过程中反应液未完全填充或填充后出现窜扰等问题。
[0004]公开内容
[0005]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0006]本公开示例性实施例所要解决的技术问题是，提供一种数字聚合酶链式反应微流控装置及其制备方法，以解决现有结构存在反应液未完全填充或填充后出现
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种数字聚合酶链式反应微流控装置，其特征在于，包括相对设置的第一基板和第二基板；所述第一基板包括第一基底、设置在所述第一基底朝向所述第二基板一侧的微腔限定层以及设置在所述微腔限定层远离所述第一基底一侧的第一表面修饰层；所述微腔限定层包括多个作为微反应腔的凹槽和位于相邻凹槽之间的限定坝，至少一个凹槽内的所述第一表面修饰层设置有第一修饰结构，所述第一修饰结构被配置为增加微反应腔内部的亲水特性。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一表面修饰层包括覆盖所述凹槽中槽底壁的槽底壁修饰层和覆盖所述凹槽中槽侧壁的槽侧壁修饰层，所述第一修饰结构设置在所述槽底壁修饰层远离所述第一基底一侧的表面上。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一修饰结构包括在所述槽底壁修饰层远离所述第一基底一侧表面上设置的至少一个第一凸起。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，在平行于所述第一基底的平面内，所述第一凸起的第一特征长度为0.5μm至2μm，相邻第一凸起之间的第一间距为0.5倍至2.0倍的第一特征长度，所述第一特征长度为所述第一凸起的最大尺寸；在垂直于所述第一基底的平面内，所述第一凸起的第一高度为0.1μm至20μm。5.根据权利要求1至4任一项所述的装置，其特征在于，所述限定坝远离所述第一基底的一侧设置有第二修饰结构，所述第二修饰结构被配置为增加微反应腔外部的疏水特性。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一表面修饰层包括覆盖所述凹槽中槽底壁的槽底壁修饰层、覆盖所述凹槽中槽侧壁的槽侧壁修饰层以及覆盖所述限定坝中坝顶壁的坝顶壁修饰层；至少一个坝顶壁修饰层远离所述第一基底的一侧设置有第二表面修饰层，所述第二修饰结构设置在所述第二表面修饰层远离所述第一基底一侧的表面上。7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一表面修饰层包括覆盖所述凹槽中槽底壁的槽底壁修饰层和覆盖所述凹槽中槽侧壁的槽侧壁修饰层；所述第二修饰结构设置在所述限定坝中坝顶壁远离所述第一基底一侧的表面上。8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第二修饰结构包括在第二表面修饰层或限定坝中坝顶壁远离所述第一基底一侧表面上设置的至少一个第二凸起。9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，在平行于所述第一基底的平面内，所述第二凸起的第二特征长度为0.5μm至2μm，相邻第二凸起之间的第二间距为0.5倍至2.0倍的第一特征长度，所述第二特征长度是所述第二凸起的最大尺寸；在垂直于所述第一基底的平面内，所述第二凸起的第二高度为0.1μm至20μm。10.根据权利要求1至4任一项所述的装置，其特征在于，所述第一表面修饰层包括覆盖所述凹槽中槽底壁的槽底壁修饰层、覆盖所述凹槽中槽侧壁的槽侧壁修饰层以及覆盖所述限定坝中坝顶壁的坝顶壁修饰层；至少一个坝顶壁修饰层远离所述第一基底一侧的表面上设置有导流结构，所述导流结构位于所述坝顶壁修饰层靠近所述凹槽的一侧，所述导流结构被配置为提高反应液进入所述微反应腔的效率。11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述导流结构包括在所述坝顶壁修饰层远离所述第一基底一侧表面上设置的至少一个导流柱。12.根据权利要求11所述的装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓睿君，邓林，刘祝凯，丁丁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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