含氮化合物、电子元件和电子装置制造方法及图纸

本公开提供了一种含氮化合物，具有由取代的氧杂二氢菲基团和三芳基胺基团所形成的核心基团。在氧杂二氢菲的两侧苯环上稠合芳环可以进一步提高核心结构的电子密度，提高化合物的空穴传输效率。将该含氮化合物可以用于有机电致发光器件或者光电转化器件的空穴传输层，以提高有机电致发光器件或者光电转化器件的发光性能和使用寿命。发光性能和使用寿命。发光性能和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物、电子元件和电子装置


[0001]本公开涉及有机材料
，尤其涉及一种含氮化合物、电子元件和电子装置。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元件的应用范围越来越广泛。该类电子元件，例如有机电致发光器件或者光电转化器件，通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。
[0003]举例而言，当电子元件为有机电致发光器件时，其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的有机发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向有机发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在有机发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得有机发光层对外发光。
[0004]所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构式如化学式1所示：其中，环A和环B中的一个选自苯环、萘环、蒽环或菲环，另一个为萘环或菲环；R1和R2彼此相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为1
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6的取代或未取代的烷基、碳原子数为6
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14的取代或未取代的芳基，或者R1和R2相互连接形成碳原子数为5
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10的环烷基；所述R1和R2上的取代基相同或不同，各自独立地选自氘、氰基、卤素基团或碳原子数为1
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4的烷基；L1、L2和L彼此相同或不同，且分别独立地选自单键、碳原子数为6
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30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5
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30的取代或未取代的亚杂芳基；Ar1和Ar2彼此相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6
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33的取代或未取代的芳基、碳原子数为3
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30的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为18
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24的三芳基硅基；n3表示R3的个数；n3为0、1、2、3、4、5、6、7、8或者9；当n3大于1时，任意两个R3相同或者不相同；各R3独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
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12的卤代烷基、碳原子数为1
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12的烷基、碳原子数为1
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12的氘代烷基、碳原子数为1
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12的烷氧基、碳原子数为3
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12的环烷基、碳原子数为1
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12的烷硫基、碳原子数为3
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12的三烷基硅基、碳原子数6
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18的芳基硅基、碳原子数为6
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20的芳基、碳原子数为3
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20的杂芳基、碳原子数为6
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20的芳氧基、碳原子数为6
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20的芳硫基，任选地，任意两个相邻的R3相互连接形成碳原子数为6或10的芳环；L1、L2、L、Ar1、Ar2中的各取代基彼此相同或不同，各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
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12的烷基、碳原子数为1
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12的卤代烷基、碳原子数为1
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12的烷氧基、碳原子数为1
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12的烷硫基、碳原子数为6
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20的芳基、碳原子数为3
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20的杂芳基、碳原子数为6
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20的芳氧基、碳原子数为6
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20的芳硫基、碳原子数为3
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12的三烷基硅基和碳原子数为3
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12的环烷基；任选地，在L1、L2、L、Ar1和Ar2中，任意两个相邻的取代基形成取代或未取代的5
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14元环，且所述14元环上的取代基为碳原子数为1
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6的烷基。2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，R1和R2彼此相同或不同，且各自独立地选自甲基、苯基或萘基，或者R1和R2相互连接形成环戊烷、环己烷或金刚烷。3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，所述Ar1和Ar2彼此相同或不同，且分别独立地选自碳原子数为6
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33的取代或未取代的芳基、碳原子数为5
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25的取代或未取代的杂芳基、三苯基硅基；其中Ar1、Ar2中的各取代基彼此相同或不同，各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
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4的烷基、碳原子数为1
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【专利技术属性】
技术研发人员：张林伟，许佳聪，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：