一种降低石墨烯方块电阻的方法技术

本发明专利技术涉及石墨烯转移技术领域，尤其涉及一种降低石墨烯方块电阻的方法。该方法包括辊压贴合处理、第一次光固化处理、刻蚀处理和第二次光固化处理，辊压贴合处理中将溢出的UV光固化胶均匀涂覆于背离柔性透明衬底的铜箔的另一侧表面，刻蚀处理时将铜箔完全刻蚀为游离铜离子，游离铜离子被非固化状态的UV光固化胶粘接并束缚于石墨烯的外表面，通过粘接并束缚游离铜离子，得到低方块电阻的石墨烯。本发明专利技术通过辊压可以使得UV光固化胶溢出并涂覆于铜箔背离透明衬底一侧，利用非固化状态的UV光固化胶粘接铜离子，能够降低转移得到的石墨烯的方块电阻，制备工艺简单、成本低廉、可大规模生产。产。产。

【技术实现步骤摘要】
一种降低石墨烯方块电阻的方法


[0001]本专利技术涉及石墨烯转移
，尤其涉及一种降低石墨烯方块电阻的方法。

技术介绍

[0002]石墨烯是2004年从碎片石墨中分离得到的，是一种具有单层碳原子组成特殊的新型碳族材料，发现者因此获得了2010年度的诺贝尔物理学奖。随着石墨烯被发现，单层原子不能组成独立分子的结论被打破，并且被证实有很多独特的性能，比如超高的导电性、超高的强度和超高的散热性能等，引起了各行业学者和专家们的关注。
[0003]目前，同时实现大面积、低缺陷、载流子高迁移率、低方阻和低成本的石墨烯转移技术尚不成熟。如“鼓泡法”转移石墨烯，尽管理论上可以获得高质量石墨烯，但受电解液浓度和电解时间等影响，在工艺操作上极具挑战性，很难实现高质量、大面积石墨烯转移；再如“热剥离胶带法”转移石墨烯，尽管该方法简单，可以获得高质量、大面积石墨烯，但由于热剥离胶十分昂贵，剥离速度与基底材料的韧性会导致石墨烯受力不均产生缺陷等，极大地限制了石墨烯工业化发展。
[0004]鉴于此，有必要提供一种新的石墨烯转移方法，以解决现有技术的不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低石墨烯方块电阻的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：辊压贴合处理提供一柔性透明衬底和一双侧表面均生长有石墨烯的铜箔，在柔性透明衬底和铜箔其中一侧内表面之间填充UV光固化胶，进行辊压贴合处理，直至铜箔与柔性透明衬底粘合并且将溢出的UV光固化胶均匀涂覆于背离柔性透明衬底的铜箔的另一侧外表面，得到辊压后的石墨烯；S2：第一次光固化处理对辊压后的石墨烯中背离铜箔的柔性透明衬底的一侧外表面，进行第一次光固化处理，直至铜箔内表面与柔性透明衬底内表面之间的UV光固化胶处于固化状态，并且铜箔另一侧外表面的UV光固化胶处于非固化状态，得到第一次光固化处理的石墨烯；S3：刻蚀处理将第一次光固化处理后的石墨烯浸泡于刻蚀液中，进行刻蚀处理，直至铜箔完全刻蚀为游离铜离子，且其中一部分游离铜离子被处于非固化状态的UV光固化胶粘接并束缚于石墨烯的外表面，然后从刻蚀液中取出石墨烯，得到刻蚀处理后的石墨烯；S4:第二次光固化处理对刻蚀处理后的石墨烯中处于非固化状态的UV光固化胶一侧，进行第二次光固化处理，直至其固化，得到低方块电阻的石墨烯。2.根据权利要求1所述的降低石墨烯方块电阻的方法，其特征在于，步骤S1中...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐志林，
申请(专利权)人：西藏圣蓝科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：