在片S参数测量系统校准方法及电子设备技术方案

本发明专利技术提供一种在片S参数测量系统校准方法及电子设备。该方法包括：采用待校准的在片S参数测量系统的两个端口分别测量在片直通标准、在片负载标准和在片反射标准，对应得到直通S参数、负载S参数和反射S参数；基于转移参数与S参数的对应关系、直通S参数、负载S参数和反射S参数确定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值；将直通S参数、负载S参数和反射S参数进行端口互换，并根据端口互换后的结果，确定A2/D2的值、B2/D2的值、C2/D2的值，进而确定八项误差。本发明专利技术能够提高在片S参数测量系统的测量效率。明能够提高在片S参数测量系统的测量效率。明能够提高在片S参数测量系统的测量效率。

【技术实现步骤摘要】
在片S参数测量系统校准方法及电子设备


[0001]本专利技术涉及在片S参数校准
，尤其涉及一种在片S参数测量系统校准方法及电子设备。

技术介绍

[0002]在片S参数测量系统一般应用在微电子行业中，在该测量系统每次使用前，需要选取合适的校准方法对该测量系统进行校准，以使测量结果更准确。目前，在片校准方法主要包括SOLT(Short
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Open
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Load
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Thru)校准方法、LRM(Line
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Reflect
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Match)校准方法、LRRM(Line
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Reflect
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Reflect
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Match)校准方法和TRL(Thru
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Reflect
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Line)校准方法等。
[0003]各种校准方法都有相应的特点，校准方法包含校准算法和对应的校准标准，校准方法的选取影响着在片S参数测量系统的校准准确度。各种校准方法一般采用8
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在片S参数测量系统校准方法，其特征在于，包括：采用待校准的在片S参数测量系统的两个端口测量在片直通标准，得到直通S参数；采用所述待校准的在片S参数测量系统的两个端口测量在片负载标准，得到负载S参数；采用所述待校准的在片S参数测量系统的两个端口测量在片反射标准，得到反射S参数；基于转移参数与S参数的对应关系、所述直通S参数、所述负载S参数和所述反射S参数确定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值；将所述直通S参数、所述负载S参数和所述反射S参数进行端口互换，并根据端口互换后的结果，确定A2/D2的值、B2/D2的值、C2/D2的值，其中，所述在片直通标准、所述在片反射标准均未定义，所述在片负载标准已定义；根据A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值、A2/D2的值、B2/D2的值、C2/D2的值以及D1D2的值校准所述待校准的在片S参数测量系统；其中，A1、B1、C1、D1、A2、B2、C2、D2为用于校准所述待校准的在片S参数测量系统的八项误差项。2.根据权利要求1所述的在片S参数测量系统校准方法，其特征在于，所述基于转移参数与S参数的对应关系、所述直通S参数、所述负载S参数和所述反射S参数确定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值，包括：根据所述直通S参数和所述转移参数与S参数的对应关系确定所述待校准的在片S参数测量系统的直通原始参数矩阵，并根据所述直通原始参数矩阵确定级联关系式；根据所述级联关系式、所述负载S参数和所述反射S参数，确定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值。3.根据权利要求2所述的在片S参数测量系统校准方法，其特征在于，所述在片直通标准为一个；所述在片负载标准为一组，包括第一在片负载标准和第二在片负载标准；所述在片反射标准为一组，包括两个短路标准或者两个开路标准。4.根据权利要求2所述的在片S参数测量系统校准方法，其特征在于，所述在片直通标准为一个；所述在片负载标准为一组，包括第一在片负载标准和第二在片负载标准；所述在片反射标准为两组，第一组在片反射标准包括两个短路标准，第二组在片反射标准包括两个开路标准。5.根据权利要求4所述的在片S参数测量系统校准方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述负载S参数和所述在片负载标准构建导纳关系式；根据第一组在片反射标准构建第一误差网络关系式；根据第二组在片反射标准构建第二误差网络关系式；所述根据所述级联关系式、所述负载S参数和所述反射S参数，确定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值，包括：根据所述级联关系式、导纳关系式、第一误差网络关系式、第二误差网络关系式，确定A1/D1的值、B1/D1的值、C1/D1的值；其中，所述级联关系式为：E
T
＝E1E2其中，
所述转移参数与S参数的对应关系为：其中，E1为所述待校准的在片S参数系统测的第一误差网络，E2为所述待校准的在片S参数系统测的第二误差网络，S
11
、S
12
、S
21
、S
22
为S参数，A
T
、B
T
、C
T
、D
T
为转移参数。6.根据权利要求5所述的在片S参数测量系统校准方法，其特征在于，导纳关系式为：其中，Y
1,A,load
为第一端口的负载标准的实际导纳测量值，Z
1,M,load
为所述第一端口负载标...

【专利技术属性】
技术研发人员：王一帮，齐志华，吴爱华，霍晔，梁法国，栾鹏，刘晨，李彦丽，孙静，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：