从硅树脂中毒中恢复传感器的方法、设备和系统技术方案

本发明专利技术涉及从硅树脂中毒中恢复传感器的方法、设备和系统。本文描述的各种实施例涉及用于从硅树脂中毒中恢复气体传感器的方法、设备和系统。在示例性实施例中，提供了一种从硅树脂中毒中恢复气体感测设备的方法。该方法包括将气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的时段。预定的氢浓度破坏在气体感测设备的催化珠上形成的氧化硅键。该方法还包括向气体感测设备提供甲烷浓度达甲烷暴露时间的时段。该方法还包括基于气体感测设备对甲烷浓度的反应来确定气体感测设备是否满足预定的校准灵敏度。校准灵敏度。校准灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
从硅树脂中毒中恢复传感器的方法、设备和系统


[0001]本公开总体上涉及用于从硅树脂中毒（silicone poisoning）中恢复传感器的方法、设备和系统，并且更具体地涉及用于使用氢从硅树脂中毒中恢复传感器的方法、设备和系统。

技术介绍

[0002]气体传感器是一种可以检测包括例如可燃气体、易燃气体和/或有毒气体的气体物质的存在和/或浓度水平的装置。例如，爆炸下限(LEL)气体传感器可以测量可燃和/或易燃气体物质(诸如丙烷和甲烷)的高达该气体物质的爆炸下限的百分之百(100%)的浓度水平。术语“爆炸下限”是指当有火源时空气中支持燃烧的气体物质的最低浓度水平。申请人已经发现与现有LEL气体传感器相关联的许多缺陷和问题。通过付出的努力、独创性和创新，通过本公开的方法和设备已经解决了许多这些被发现的问题。

技术实现思路

[0003]本文描述的各种实施例涉及用于从硅树脂中毒中恢复气体传感器的方法、设备和系统。在一个示例性实施例中，提供了一种从硅树脂中毒中恢复气体感测设备的方法。该方法包括将气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的持续时间。预定的氢浓度破坏在气体感测设备的催化珠上形成的氧化硅键。该方法还包括向气体感测设备提供甲烷浓度达甲烷暴露时间的时段。该方法还包括基于气体感测设备对甲烷浓度的反应来确定气体感测设备是否满足预定的校准灵敏度。
[0004]在一些实施例中，将气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的持续时间在其中存在硅树脂污染源的实例中发生。在一些实施例中，预定的氢浓度为从1.8体积%至4体积%的过氧化氢。在一些实施例中，氢暴露时间的时段为从10秒至3分钟。在一些实施例中，在气体感测设备暴露于氢浓度之后，甲烷浓度被提供给气体感测设备。在一些实施例中，甲烷浓度大于2.5体积%的甲烷。在一些实施例中，权利要求1的每个步骤以规则的间隔重复。在一些实施例中，规则的间隔在1天和1个月之间。在一些实施例中，在其中气体感测设备不满足预定校准灵敏度的实例中，该方法还包括重复上面讨论的每个步骤。
[0005]在一些实施例中，气体感测设备是低爆炸水平传感器。在一些实施例中，气体感测设备具有从2伏至5伏的电压。在一些实施例中，气体感测设备是基于非硅树脂的低爆炸水平传感器。在一些实施例中，气体感测设备包括至少部分地由铝制成的载体。
[0006]在另一个示例性实施例中，提供了一种恢复设备，其被配置成从硅树脂中毒中恢复气体感测设备。恢复设备包括至少一个处理器，该处理器被配置成将气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的持续时间。预定的氢浓度破坏在气体感测设备的催化珠上形成的氧化硅键。恢复设备还被配置成向气体感测设备提供甲烷浓度达甲烷暴露时间的时段。恢复设备还被配置成基于气体感测设备对甲烷浓度的反应来确定气体感测设备是否满足预定的校准灵敏度。
[0007]在一些实施例中，将气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的持续时间在其中存在硅树脂污染源的实例中发生。在一些实施例中，预定的氢浓度为从1.8体积%至4体积%的过氧化氢。在一些实施例中，氢暴露时间的时段为从10秒至3分钟。在一些实施例中，在气体感测设备暴露于氢浓度之后，甲烷浓度被提供给气体感测设备。在一些实施例中，甲烷浓度大于2.5体积%的甲烷。在一些实施例中，权利要求1的每个步骤以规则的间隔重复。在一些实施例中，规则的间隔在1天和1个月之间。在一些实施例中，在其中气体感测设备不满足预定校准灵敏度的实例中，恢复设备还被配置成重复上面讨论的每个步骤。
[0008]在一些实施例中，气体感测设备是低爆炸水平传感器。在一些实施例中，气体感测设备具有从2伏至5伏的电压。在一些实施例中，气体感测设备是基于非硅树脂的低爆炸水平传感器。在一些实施例中，气体感测设备包括至少部分地由铝制成的载体。
[0009]在下面的详细描述及其附图中，进一步解释了前述说明性
技术实现思路
以及本公开的其他示例性目的和/或优点，以及实现这些目的和优点的方式。
附图说明
[0010]说明性实施例的描述可以结合附图来阅读。应当理解，为了图示的简单和清楚，附图中所示的元件不一定按比例绘制，除非另有描述。例如，一些元件的尺寸可能相对于其他元件被夸大，除非另有描述。结合本公开的教导的实施例相对于这里呈现的附图被示出和描述，在附图中：图1A示出了根据本公开的各种实施例的示例气体感测设备的示例外部视图；图1B示出了根据本公开的各种实施例的示例气体感测设备的示例分解视图；图2示出了根据本公开的各种实施例的示例气体感测设备的各种部件的示例图；图3示出了根据本公开的各种实施例的示例气体感测设备的各种部件的示例图；图4A示出了配置成执行图5的操作的各种实施例的示例恢复设备；图4B示出了在其中在恢复设备上执行图5中讨论的恢复方法的实例中的示例屏幕；和图5示出了根据本公开的各种实施例的示例流程图。
具体实施方式
[0011]现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开的一些实施例，在附图中示出了本公开的一些但不是所有实施例。事实上，这些公开可以以许多不同的形式来体现，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施例；相反，提供这些实施例是为了使本公开满足适用的法律要求。相同的数字始终表示相同的元件。
[0012]短语“在一个实施例中”、“根据一个实施例”等通常意味着该短语之后的特定特征、结构或特性可以包括在本公开的至少一个实施例中，并且可以包括在本公开的不止一个实施例中(重要的是，这些短语不一定指相同的实施例)。
[0013]词语“示例”或“示例性”在本文中用来表示“用作示例、实例或说明”。本文描述为“示例性”的任何实施方式不一定被解释为相比其他实施方式优选或有利。
[0014]如果说明书陈述了部件或特征“可以”、“可”、“能够”、“应该”、“将”、“优选地”、“可能地”、“典型地”、“任选地”、“例如”、“经常”或“可能”(或其他这样的语言)被包括或具有特性，则不要求特定的部件或特征被包括或具有该特性。这样的部件或特征可以任选地被包
括在一些实施例中，或者它可以被排除。
[0015]许多因素可以影响气体传感器读数的准确性和寿命跨度（life span）。气体传感器(具体地LEL传感器)依赖于催化珠，其在操作中与随着时间推移积累在传感器中的硅树脂反应(例如，基于在检测期间气体混合物中的硅树脂、基于环境和/或在储存期间)形成二氧化硅。结果，在各种示例性实施例中，键可以存在于催化珠中，该催化珠是硅树脂中毒的气体感测设备100的一部分。这种键可以包括但不限于二氧化硅、硅铝(Si-Al)和/或碳铝(C-Al)。在一些示例中，在传感器中二氧化硅或其他示例键的存在导致传感器的灵敏度降低(例如硅中毒)。此外，硅树脂中毒可能导致逐渐的催化剂(例如铝)劣化或失活，这可能导致灵敏度损失。
[0016]如本文所述，各种示例性实施例被设计成逆转或以其他方式克服硅树脂中毒。例如，本文描述的示例方法可以作为通气测试（bump test）的一部分提供氢浓度，以破坏二氧化硅键，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种从硅树脂中毒中恢复气体感测设备的方法，所述方法包括：将所述气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的时段，其中，所述预定的氢浓度破坏在所述气体感测设备的催化珠上形成的氧化硅键；向所述气体感测设备提供甲烷浓度达甲烷暴露时间的时段；和基于所述气体感测设备对所述甲烷浓度的反应，确定所述气体感测设备是否满足预定的校准灵敏度。2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的持续时间在其中存在硅树脂污染源的实例中发生。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定的氢浓度为从1.8体积%至4体积%的过氧化氢。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氢暴露时间的时段为从10秒至3分钟。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述气体感测设备暴露于所述氢浓度之后，所述甲烷浓度被提供给所述气体感测设备。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述甲烷浓度大于2.5体积%的甲烷。7.根据权利要求1所述的方法，其中，权利要求1的每个步骤以规则的间隔重复。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述规则的间隔在1天和1个月之间。9.根据权利要求1所述的方法，其中，在其中所述气体感测设备不满足所述预定校准灵敏度的实例中，所述方法还包括重复权利要求1的每个步骤。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体感测设备是低爆炸水平传感器。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述气体感测设备具有从2伏至5伏的电压。12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述气体感测设备是基于非硅树脂的低爆炸水平传感器。13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体感测设备包括至少部分地由铝制成的载体。14.一种配置成从硅树脂中毒中恢复气体感测设备的恢复设备，所述恢复设备包括一个或多个气室和至少一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玲，魏娜，张福丞，
申请(专利权)人：瑞益系统公司，
类型：发明
国别省市：