无机化合物复合材料、量子点发光二极管及其制备方法技术

本申请涉及显示技术领域，提供了一种无机化合物复合材料，包括无机化合物材料，以及结合在所述无机化合物材料表面的偶氮苯类配体；其中，所述偶氮苯类配体包括如下式1、式2所示结构中的至少一种，其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自羟基和氢原子中的一种，且R1、R2、R3、R4、R5和R6中，至少有一个为羟基。至少有一个为羟基。至少有一个为羟基。

【技术实现步骤摘要】
无机化合物复合材料、量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种无机化合物复合材料，一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点(Semiconductor quantum dots，QDs)具有多种特性，包括：(1)可通过改变颗粒尺寸来调节发射光谱；(3)激发光谱比较宽、发射光谱狭窄、吸收性强；(3)光稳定性很好；(4)荧光寿命较长等。量子点材料因具有独特的光学特性而被广泛应用于发光领域，在量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)的应用上得到快速发展。与有机电致发光二极管相比，量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、寿命长、制作成本低等优势。
[0003]量子点由于其尺寸小、比表面积大，且表面缺陷、悬挂键较多等原因，在合成和应用时需要在其表面添加配体来提高材料的应用性能。常用的油性量子点表面往往在合成时附有长链的表面配体如油酸、油胺等，虽然这些配体可以提高量子点在非极性溶剂中的分散性，但是由于量子点发光二极管器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无机化合物复合材料，其特征在于，包括无机化合物材料，以及结合在所述无机化合物材料表面的偶氮苯类配体；其中，所述偶氮苯类配体包括如下式1、式2所示结构中的至少一种，其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自羟基和氢原子中的一种，且R1、R2、R3、R4、R5和R6中，至少有一个为羟基。2.如权利要求1所述的无机化合物复合材料，其特征在于，所述偶氮苯类配体选自顺式3-羟基偶氮苯、反式3-羟基偶氮苯、顺式3,5-二羟基偶氮苯、反式3,5-二羟基偶氮苯、顺式3,4-二羟基偶氮苯、反式3,4-二羟基偶氮苯、顺式4-羟基偶氮苯、反式4-羟基偶氮苯、顺式4-[2-(4-羟基)二氮烯基]苯酚、反式4-[2-(4-羟基)二氮烯基]苯酚中的至少一种。3.如权利要求1所述的无机化合物复合材料，其特征在于，所述偶氮苯类配体的质量为所述无机化合物材料的质量的0.5％～5％。4.如权利要求1至3任一项所述的无机化合物复合材料，其特征在于，所述无机化合物材料选自具有空穴传输能力的无机化合物材料或者具有电子传输能力的无机化合物材料。5.如权利要求4所述的无机化合物复合材料，其特征在于，所述无机化合物材料选自氧化锌、氧化锆和氧化钛中的至少一种；或所述无机化合物材料选自氧化镍、氧化钒、氧化钨和氧化钼中的至少一种。6.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的第一电极和第二电极，设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层，以及设置在所述第一电极和所述量子点发光层之间的第一载流子传输层；所述第一载流子传输层的材料为无机化合物复合材料，包括无机化合物材料，以及结合在所述无机化合物材料表面的偶氮苯类配体；其中，所述偶氮苯类配体的结构如下式1所示，
其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自羟基和氢原子中的一种，且R1、R2、R3、R4、R5和R6中，至少有一个为羟基。7.如权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述偶氮苯类配体选自反式3-羟基偶氮苯、反式3,5-二羟基偶氮苯、反式3,4-二羟基偶氮苯、反式4-羟基偶氮苯、反式4-[2-(4-羟基)二氮烯基]苯酚中的至少一种。8.如权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述偶氮苯类配体的质量为所述无机化合物材料的质量的0.5％～5％。9.如权利要求6至8任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述无机化合物材料选自具有空穴传输能力的无机化合物材料；或者所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，所述无机化合物材料选自具有电子传输能力的无机化合物材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，吴龙佳，何斯纳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：