电子倍增器单元和包括其的光电倍增器制造技术

本发明专利技术涉及一种电子倍增器单元等，其通过响应一次电子的入射而多级连续发射二次电子来实现电子的级联倍增。电子倍增器单元具有配置有让一次电子进入的入口孔的第一支撑构件和定位成面向第一支撑构件的第二支撑构件。该第一和第二支撑构件固定用于级联倍增的电子倍增部分和阳极。电子倍增部分包括：至少一个盒型的第一倍增器电极，和具有定位成面向第一倍增器电极并且配置成接收来自第一倍增器电极的二次电子并发射二次电子至第一倍增器电极所在一侧的反射型二次电子发射表面的第二倍增器电极。阳极位于从第一倍增器电极发射的二次电子不能直接到达的位置，且第二倍增器电极改变二次电子的行进路径，使其被保持在第一和第二支撑构件之间的空间内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种电子倍增器单元和包括该电子倍增器单元的光电 倍增器，该电子倍增器单元通过响应一次电子的入射而多级连续发射 二次电子来实现电子的级联倍增。
技术介绍
已知下列常规技术是在根据本专利技术的电子倍增器单元和包括其的 光电倍增器之前的现有技术。日本专利申请公开第7-245078号 曰本专利申请公开第4-315758号 WO98/33202 美国专利第5，914，561号
技术实现思路
本专利技术者研究了上述引用的常规技术并发现了以下问题。 艮P，迄今为止光电倍增器作为光电传感器应用于多种
特别是，在X-射线和辐射射线的检测的应用中，有必要将包括光电倍 增器的检测器部分用重金属，例如Pb来屏蔽，并且设备的总重量取决 于重金属屏蔽的重量。例如，用作医疗检查系统的，摄相机设备至少配置有一对上下摄像头，每个摄像头具有这样的结构除了用于暴露以二维形式排列的光电倍增器的面板的检测窗之外，多个光电倍增器完全被Pb屏蔽遮盖。必须增加使用的光电倍增器的数量用于改进检测清晰度，并且，自然 地，包括重金属屏蔽在内的检测器部分的重量的增加将会对设备的重 量和大小的减少造成障碍。于是，前述文本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子倍增器单元，其特征在于，包括：第一支撑构件，具有让一次电子进入的入口孔；第二支撑构件，定位成面向所述第一支撑构件；第一倍增器电极，由所述第一和第二支撑构件固定并具有反射型二次电子发射表面，该反射型二次电子发射表面配置成响应于穿过所述入口孔的一次电子的入射而发射二次电子进入所述第一和第二支撑构件之间的空间内；第二倍增器电极，由所述第一和第二支撑构件固定并具有反射型二次电子发射表面，该反射型二次电子发射表面定位成面向所述第一倍增器电极，并且配置成响应来自所述第一倍增器电极的二次电子而发射新的二次电子至所述第一倍增器电极所在的一侧；阳极，用于提取在所述第一和第二支撑构件之间的空间内连续倍增而...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-1-25 60/646,506;US 2005-3-16 11/080,6651.一种电子倍增器单元，其特征在于，包括第一支撑构件，具有让一次电子进入的入口孔；第二支撑构件，定位成面向所述第一支撑构件；第一倍增器电极，由所述第一和第二支撑构件固定并具有反射型二次电子发射表面，该反射型二次电子发射表面配置成响应于穿过所述入口孔的一次电子的入射而发射二次电子进入所述第一和第二支撑构件之间的空间内；第二倍增器电极，由所述第一和第二支撑构件固定并具有反射型二次电子发射表面，该反射型二次电子发射表面定位成面向所述第一倍增器电极，并且配置成响应来自所述第一倍增器电极的二次电子而发射新的二次电子至所述第一倍增器电极所在的一侧；阳极，用于提取在所述第一和第二支撑构件之间的空间内连续倍增而得到的二次电子作为信号，所述阳极由所述第一和第二支撑构件固定在从所述第一倍增器电极发射的二次电子不会直接到达的位置。2. 根据权利要求l所述的电子倍增器单元，其特征在于， 从所述第一倍增器电极至所述阳极的电子行进距离保持在不小于所述第一支撑构件和所述第二支撑构件之间的距离的2倍。3. 根据权利要求2所述的电子倍增器单元，其特征在于， 从所述第一倍增器电极至所述阳极的电子行进距离保持在不小于所述第一支撑构件和所述第二支撑构件之间的距离的4倍。4. 根据权利要求l所述的电子倍增器单元，其特征在于， 进一步包括固定于所述第一支撑构件以使得其下部基底沿着所述第一支撑构件的外部周围延伸的聚焦电极。5. 根据权利要求4所述的电子倍增器单元，其特征在于， 所述聚焦电极由两端被切割成渐尖形式的梯形金属板构成。6. 根据权利要求4所述的电子倍增器单元，其特征在于， 所述聚焦电极由一部分沿垂直于所述聚焦电极的下部基底的方向突出的金属板构成。7. 根据权利要求l所述的电子倍增器单元，其特征在于， 所述入口孔配置成其中心距离所述第一支撑构件的中心隔开预定距离的状态。8. 根据权利要求1所述的电子倍增器单元，其特征在于，进一步包括倍增器电极单元，配置在从所述第二倍增器电极朝向所述阳极的 电子行进路径上，并由多级栅格型倍增器电极构成，其中所述倍增器 电极单元由所述第一和第二支撑构件固定。9. 根据权利要求8所述的电子倍增器单元，其特征在于，进一步包括一个或多个盒型倍增器电极，配置在从所述第二倍增器电极朝向 所述倍增器电极单元的电子行进路径上，其中所述盒型倍增器电极由 所述第一和第二支撑构件固定。10. 根据权利要求l所述的电子倍增器单元，其特征在于，进一步 包括倍增器电极单元，配置在从所述第二倍增器电极朝向所述阳极的 电子行进路径上，并由多级网眼型倍增器电极构成，其中所述倍增器 电极单元由所述第一和第二支撑构件固定。11. 根据权利要求IO所述的电子倍增器单元，其特征在于，进一 步包括一个或多个盒型倍增器电极，配置在从所述第二倍增器电极朝向 所述倍增器电极单元的电子行进路径上，其中所述盒型倍增器电极由 所述第一和第二支撑构件固定。12. 根据权利要求l所述的电子倍增器单元，其特征在于，进一步 包括控制电极，其一端固定在所述入口孔的边缘部分，另一端配置成 位于从所述第一倍增器电极朝向第二倍增器...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村公嗣，大桥洋祐，大石启一，伊藤益保，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]