一种芯片间导电桥结构及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片间的导电桥结构及制造方法，可以在桥接区域中的待刻蚀层和层面结构中的至少一层中刻蚀形成开口，所述开口的下面设置有曲面，所述曲面为至少包含一对相邻两条边为非直角的面，优选地，曲面为含有圆角的面，所述开口可以使得其中的光刻胶不被甩出，在光刻胶涂覆和显影时，所述开口可以确保层面结构顶面上的光刻胶以合适的厚度、宽度以及较佳的形貌被有效保留下来，进而在以该光刻胶层为掩膜刻蚀待刻蚀层而形成导电桥时，光刻胶可以有效保护层面结构及其顶面上的待刻蚀层，进而达到所需的导电桥形貌和宽度，性能可靠，避免形成的导电桥出现短路或断路，进而提高产品制造良率和测试的准确性。高产品制造良率和测试的准确性。高产品制造良率和测试的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片间导电桥结构及制造方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造及半导体
，具体而言涉及一种芯片间的导电桥结构及制造方法。

技术介绍

[0002]芯片也可以将多个不同功能的逻辑元件、模拟元件、有源元件，以及无源元件、微机电系统(MEMS)、光学元件等其他元件，组合到一个单元中，形成一个可提供多种功能的系统或子系统，不同IC集成，可以实现更复杂的系统，使相同功能下的芯片尺寸更小，设计周期、市场周期更短，成本较低。
[0003]晶圆级系统芯片封装是在衬底上完成封装集成制程，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求。
[0004]目前常用的芯片电学性能测试方法有点测（Chip Probing，CP）或者针测（probe test），为了提高点测效率，降低单片晶圆的点测时间，通过会在形成芯片的过程中一道在两个或多个芯片之间的划片道（或称切割道）中形成呈凸台状的导电桥，该导电桥能将两个或多个芯片电性连接起来，由此可以在点测时使得两个或多个芯片一起测试。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片间的导电桥结构及制造方法，其特征在于，包括：第一芯片区（1），衬底（10），第一介质层（11）、第一导电层（12），第二介质层（13）、第二导电层（14），焊盘（15），第三介质层（16），第二芯片区（2），焊盘（21），划片道（3），开口（31），曲面（311），开口（32），开口（33），层面结构（4）；所述衬底（10）具有多个芯片区，相邻芯片区之间设有划片道（3）；所述划片道（3）中形成有顶面相对所述衬底（10）的上表面凸起的层面结构（4），所述层面结构（4）的顶面的至少一个位置处形成有开口。2.根据权利要求1所述的一种芯片间的导电桥结构，其特征在于，所述开口可以设置为第二介质层（13）上的开口（31）、第二导电层（14）上的开口（32），以及第三介质层（16）上的开口（33）中的其中至少一个；所述开口的下面设置有曲面（311），所述下面可以为除顶面外的所有面包括如侧面、底面、侧底面等至少一面；所述曲面（311）设置为至少包含一对相邻两条边为非直角的面，优选地，所述曲面（311）为含有圆角的面。3.根据权利要求1所述的一种芯片间的导电桥结构，其特征在于，所述开口设置有至少一个沟槽，所述沟槽设置有曲面（311）；在沿所述层面结构（4）的顶面的长度方向上，所述沟槽仅位于所述划片道内或者延伸到所述划片道两侧的芯片区中，在沿所述层面结构（4）的顶面的宽度方向上，所述沟槽的宽度小于所述层面结构（4）的顶面的宽度。4.根据权利要求1所述的一种芯片间的导电桥结构，其特征在于，所述层面结构（4）的顶面的高度大于顶面的宽度。5.根据权利要求1所述的一种芯片间的导电桥结构，其特征在于，所述芯片为微机电系统（MEMS，Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System）芯片；所述层面结构（4）包括依次堆叠的第一介质层（11）、第一导电层（12、第二介质层（13）、第二导电层（14）、和第三介质层（16）等至少两层以上的层叠组合；所述待刻蚀层包括导电的第二导电层（14）。6.根据权利要求1所述的一种芯片间的导电桥结构，其特征在于，所述第一芯片区（1）设置有电性接触的焊盘（15），所述焊盘（15）的数量设置为一个或多个；所述第二芯片区...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊凯，余玄，黄静梅，
申请(专利权)人：深圳市德金元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：