太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池的制备方法，包括：在硅片正面或背面沉积激光局部掺杂用纳米硅硼浆，在硅片背面沉积背电极，以及在硅片正面沉积正电极；上述沉积都采用非接触式激光转印方式。本发明专利技术太阳能电池的制备方法，利用激光转印实现了非接触式沉积纳米硅硼浆和电极，降低了硅片的隐裂和碎片率；并且有利于优化电极的规格尺寸和形貌，增加光吸收且提高电池效率，同时改善了硅片的洁净度，消除了污染源，适于规模化生产的应用。适于规模化生产的应用。适于规模化生产的应用。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及光伏领域，具体涉及一种太阳能电池的制备方法。

技术介绍

[0002]PERL电池(Passivated emitter and Rear locally diffused)是钝化发射极、背面定域扩散太阳能电池的简称，其电池效率较高。PERL双面电池不仅能够保证电池正面效率，同时也可以增强双面率。正面利用局部重掺杂形成选择性发射极，降低发射极的复合，改善正面电极与硅的接触电阻率。背面采用局域重掺杂，降低背面的局域复合，减少金属与硅的接触电阻，其技术路线基于选择性发射极，背面局部重掺杂的电池结构，是对P型PERC的升级且电池成本可控的高效晶体硅电池技术路线。
[0003]未来为了满足进一步降低成本及制作柔性组件以扩大应用市场要求，硅片厚度会越来越薄。而采用丝网印刷过程中，由于与硅片接触会对硅片产生一定的压力，不可避免地会加大硅片隐裂或碎片的风险，影响电池片的良率，而且印刷的金属电极宽度较宽，且存在外扩情况，会使遮光面积较大，导致电池片光吸收能力和吸收量的同比降低，进而影响电池片转换效率；同时丝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.太阳能电池的制备方法，包括：在硅片正面或背面沉积激光局部掺杂用纳米硅硼浆，在硅片背面沉积背电极，以及在硅片正面沉积正电极；其特征在于：上述沉积都采用非接触式激光转印方式。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光转印包括如下具体步骤：将硅片置于承载台上，在硅片上方设置转印衬底，转印衬底的底面涂覆待转印材料；转印衬底上方设置激光器，利用激光器产生激光将转印衬底底面的待转印材料扫描转印至硅片上；采用激光转印在硅片正面或背面沉积激光局部掺杂用纳米硅硼浆时，所用的待转印材料为纳米硅硼浆；采用激光转印在硅片背面沉积背电极、采用激光转印在硅片正面沉积正电极时，所用的待转印材料为金属导电材料。3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述金属导电材料为铝浆或银浆。4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述承载台具有加热功能，激光转印之前，承载台对硅片进行加热，使硅片达到预定温度。5.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光转印过程中，激光线直径控制在1μm～20μm，激光脉冲控制在1ns～100ns。6.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光转印过程中，转印衬底底面与硅片的距离控制在1μm～50μm。7.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永峰，杨立功，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：