增强FLASH存储器随机读写能力的方法、装置、系统及介质制造方法及图纸

本申请公开了一种增强FLASH存储器随机读写能力的方法、装置、系统及介质，属于存储器数据读写领域，该方法主要包括，将FLASH存储器配置为读取增强模式；以及，在读取增强模式下对FLASH存储器存储的数据进行读取。本申请的有益效果是，通过将FLASH配置为读取增强模式，在硬件完全无需修改变更的情况下，通过软件的方式，使得在读取FLASH存储器的数据时，传输指令和地址阶段的速率大大提升，从而提升读取FLASH存储器的速度。FLASH存储器的速度。FLASH存储器的速度。

【技术实现步骤摘要】
增强FLASH存储器随机读写能力的方法、装置、系统及介质


[0001]本申请涉及存储器数据读写领域，特别涉及一种增强FLASH存储器随机读写能力的方法、装置、系统及介质。

技术介绍

[0002]现有技术中，在进行多线读取FLASH存储器数据时，其命令及读取地址都为以单根数据线方式进行传输，并且需要占用8个虚拟周期，传输指令和地址的速度比较缓慢；要想提升读取性能，需要在硬件上进行修改才可实现，即需要硬件去适配以支持读取增强模式。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的问题，本申请主要提供一种在硬件不支持读取增强模式时，实现增强FLASH存储器随机读写能力的方法、装置、系统及介质。在不改变硬件的情况下，通过将FLASH配置为读取增强模式并进入该模式，使得后续在读取FLASH存储器的数据时，大大提升随机读取性能。
[0004]为了实现上述目的，本申请采用的一个技术方案是：提供一种增强FLASH存储器随机读写能力的方法，其包括：
[0005]将FLASH存储器配置为读取增强模式；以及，在读取增强模式下对FLASH存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增强FLASH存储器随机读写能力的方法，其特征在于，包括：将所述FLASH存储器配置为读取增强模式；以及，在所述读取增强模式下对所述FLASH存储器存储的数据进行读取；其中，所述读取增强模式为将传输指令和地址阶段设置为，第一次读取数据时传输8位传输指令、24位地址、8位启动读取增强模式位以及4位虚拟周期，随后每一次读取数据只需要传输所述24位地址、所述8位启动读取增强模式位以及所述4位虚拟周期的模式。2.根据权利要求1所述的增强FLASH存储器随机读写能力的方法，其特征在于，所述读取增强模式在每一次读取数据时，对所述24位地址以及所述8位启动读取增强模式位按照多线方式进行传输。3.根据权利要求1或2所述的增强FLASH存储器随机读写能力的方法，其特征在于，将所述FLASH存储器设置为读取增强模式的过程包括，将操作所述FLASH存储器的操作代码复制到RAM内存中；在所述RAM内存中，对所述FLASH存储器的运行环境进行重新配置，并将FLASH存储器相关硬件配置为所述读取增强模式；以及，将运行程序从所述RAM内存中切换至所述FLASH存储器中进行运行。4.根据权利要求3所述的增强FLASH存储器随机读写能力的方法，其特征在于，所述在所述RAM内存中，将FLASH存储器相关硬件配置为所述读取增强模式的过程包括，将所述FLASH存储器相关硬件复位初始化至单线模式下，之后再将所述FLASH存储器相关硬件修改配置至多线模式下；以及，将所述多线模式下的所述FLASH存储器相关硬件配置为，将传输指令和地址阶段设置为，发送一次所述8位传输指令、所述24位地址、所述8位启动读取增强模式位以及所述4位虚拟周期的模式，并在此模式下发送一次读取命令；随后将所述FLASH存储器相关硬件修改配置为，将所述传输指令和所述地址阶段设置为，发送...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙林，朱勇，韩标，李孙华，
申请(专利权)人：深圳百瑞互联技术有限公司，
类型：发明
国别省市：