一种用于闪存的数据恢复方法、装置及系统制造方法及图纸

本申请公开了一种用于闪存的数据恢复方法、装置及系统，闪存中存储有存储数据和校验信息，其中在闪存中写入数据之前，可以对存储数据进行分解得到分解数据，根据分解数据可以得到校验信息。在进行数据的读取时，可以基于第一读电压对闪存进行读取得到第一原始数据，对第一原始数据进行ECC译码和纠错得到第一纠错数据，利用第一原始数据和第一纠错数据，对第三读电压进行补偿得到第三理论最佳读电压，无需传统重读纠错方法所需的额外读操作即可确定闪存读操作所需要的读电压，有效降低了原始误码率。始误码率。始误码率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于闪存的数据恢复方法、装置及系统


[0001]本申请数据处理
，尤其涉及一种用于闪存的数据恢复方法、装置及系统。

技术介绍

[0002]闪存(Flash)尤其是NAND闪存是非挥发存储器的一种，被广泛的应用于手机、笔记本电脑、云存储等存储领域，闪存的基本功能是保存数据，保证写入的数据和读出的数据的一致性是存储系统的基本要求。差错控制编码(Error Correcting Code，ECC)可以纠正读出数据的错误，是保证写入数据和读出数据的一致性，提高存储系统可靠性的重要手段。但ECC也有一定的纠错范围，如果读出数据的原始误码率较高，将会超出差错控制编码的纠错能力，无法正确的恢复出写入的数据。
[0003]数据保持特性是影响NAND闪存数据存储可靠性的重要特征，在数据存储过程中，闪存会受到数据保持噪声的影响，当数据在闪存中存储一段时间后，存储在存储单元的电荷将会泄漏，闪存的阈值电压分布态(state)将会向阈值电压较小的一侧偏移，如果使用在数据存储初期使用的读电压进行读取操作，将会出现读出数据的误码率超过ECC纠错能力的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于闪存的数据恢复方法，其特征在于，所述闪存中存储有存储数据和校验信息，所述校验信息与所述存储数据的分解数据一一对应，且所述校验信息根据对应的所述分解数据得到，所述分解数据通过对所述存储数据分解得到，且与所述阈值电压分布态一一对应；所述方法包括：基于第一读电压对所述闪存进行读取，得到第一原始数据；对所述第一原始数据进行差错控制编码ECC译码和纠错得到第一纠错数据，所述第一纠错数据包括第一信息数据和第一校验数据；所述第一信息数据对应多个所述分解数据中的一个，所述第一校验数据对应多个所述校验信息中的一个；利用所述第一原始数据和所述第一纠错数据，对第三读电压进行补偿得到第三理论最佳读电压；所述第一读电压和所述第三读电压为所述闪存的两个读电压，且所述第一读电压小于所述第三读电压。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一读电压、第二读电压、所述第三读电压为依次相邻的四个阈值电压分布态两两之间的读电压；所述第一读电压小于所述第二读电压，所述第二读电压小于所述第三读电压；所述利用所述第一原始数据和所述第一纠错数据，对第三读电压进行补偿得到第三理论最佳读电压，包括：基于第二读电压对所述闪存进行读取，得到第二原始数据；对所述第二原始数据进行ECC译码和纠错得到第二纠错数据，所述第二纠错数据包括第二信息数据和第二校验数据；所述第二信息数据对应多个所述分解数据中的不同于所述第一信息数据的一个，所述第二校验数据对应多个所述校验信息中不同于所述第一校验数据的一个；利用所述第一原始数据、所述第一纠错数据和所述第二纠错数据，对第三读电压进行补偿得到第三理论最佳读电压。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用所述第一原始数据、所述第一纠错数据和所述第二纠错数据，对第三读电压进行补偿得到第三理论最佳读电压，包括：利用所述第一原始数据、所述第一纠错数据和所述第二纠错数据，计算得到所述第一读电压对应的第一实际最佳读电压；根据所述第一读电压的第一偏移量，确定第三读电压的第三偏移量；所述第一偏移量为所述第一读电压与所述第一实际最佳读电压的差值；基于所述第三偏移量对所述第三读电压进行补偿，得到第三理论最佳读电压。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用所述第一原始数据、所述第一纠错数据和所述第二纠错数据，计算得到所述第一读电压对应的第一实际最佳读电压，包括：根据第一原始数据、第一纠错数据、所述第二纠错数据，确定阈值电压介于所述第一读电压和所述第二读电压之间的第一部分存储单元的误码状态；根据所述误码状态确定所述第一读电压对应的第一实际最佳读电压，以降低所述第一部分存储单元的误码率。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一读电压和所述第三读电压为依次相邻的三个阈值电压分布态两两之间的读电压；所述利用所述第一原始数据和所述第一纠错数据，对第三读电压进行补偿得到第三理论最佳读电压，包括：
根据所述第一原始数据和所述第一纠错数据，得到所述第一读电压两侧的阈值电压分布态之间的交叠错误的误码率；根据所述第一读电压两侧的阈值电压分布态之间的交叠错误的误码率与所述第三读电压的第三偏移量之间的函数关系，确定所述第三读电压的第三偏移量；基于所述第三偏移量对所述第三读电压进行补偿，得到第三理论最佳读电压。6.根据权利要求1
‑
4任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：基于第三理论最佳读电压对所述闪存进行读取，得到第三原始数据；对所述第三原始数据进行ECC译码和纠错得到第三纠错数据，所述第三纠错数据包括第三信息数据和第三校验信息；所述第三信息数据对应多个所述分解数据中不同于所述第一信息数据和所述第二信息数据的一个，所述第三校验信息对应多个所述校验信息中不同于所述第一校验数据和所述第二校验数据的一个；利用所述第一原始数据、所述第二纠错数据和所述第三纠错数据，对第四读电压进行补偿得到第四理论最佳读电压；所述第三读电压、所述第四读电压为依次相邻的三个阈值电压分布态两两之间的读电压，所述第三读电压小于所述第四读电压。7.根据权利要求1
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4任意一项所述的方法，其特征在于，所述第二读电压通过对第二原始读电压补偿得到；或，所述第一读电压通过对第一原始读电压补偿得到，且所述第二读电压通过对第二原始读电压补偿得到。8.一种用于闪存的数据恢复装置，其特征在于，所述闪存中存储有存储数据和校验信息，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颀，李前辉，姜一扬，于晓磊，霍宗亮，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：