低温环境下低损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种低介电损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法。本陶瓷材料的组成为Ca1‑

【技术实现步骤摘要】
低温环境下低损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于电介质陶瓷合成
，具体涉及一种低温环境下低介电损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]CaCu3Ti4O
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（简称CCTO）陶瓷材料是一种具有高介电常数以及高热稳定性的新型介电陶瓷，在科研领域中受到了广泛关注。CCTO陶瓷具有巨大的介电常数、良好的频率稳定性和温度稳定性，突出的非欧姆特性（J
‑
E曲线非线性），这使得CCTO陶瓷在大容量电容器小型化方面充满了潜力。然而，CCTO陶瓷还伴随着相对较高的介电损耗，不利于其作为电子材料的应用，应用范围被限制。若可以保持CCTO的巨介电常数以及良好的温度稳定性，对其进行取代或掺杂改性，降低介电损耗，便可使其更好的在实际应用中发挥作用。针对于低温环境下介电陶瓷的研究还很少。
[0003]目前，国内外的许多研究结果表明：室温下，CCTO的介电损耗较高，普遍在0.05以上（王行行，蔡会武. (2018). CaCu3Ti4O
12
（CCTO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温环境下低介电损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料，其特征在于，其化学式为：Ca1‑
x
La
x
Cu3Ti4O
12+0.5x
，其中0＜x＜1。2.如权利要求1所述的低温环境下低介电损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料，其特征在于，0.04≤x≤0.10。3.如权利要求2所述的低温环境下低介电损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料，其特征在于，x=0.06。4.一种低温环境下低介电损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料的制备方法，用于制备如权利要求1~3任一项所述的低温环境下低介电损耗钛酸铜镧钙介电陶瓷材料，其特征在于，所述制备方法具体包括以下步骤：（1） CLCTO陶瓷前驱体粉末的制备；根据Ca1‑
x
La
x
Cu3Ti4O
12+0.5x
的化学计量比称取硝酸铜、硝酸钙、硝酸镧与柠檬酸原料，柠檬酸物质的量为硝酸铜、硝酸钙、硝酸镧和钛酸四丁酯中金属阳离子摩尔数之和的1.5倍；将称好的原料倒入无水乙醇中，不断搅拌使原料充分溶解后将钛酸四丁酯倒入混合液中，将聚乙二醇加入到混合液中，搅拌至完全溶解形成溶胶；把溶胶放入恒温85 ℃的水浴锅中不断搅拌，使之形成凝胶；将凝胶放入到蒸发皿中，用电炉对其进行去除...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建花，郭斯琪，卢文敏，陈子成，王大伟，郭向阳，郝嵘，雷志鹏，李媛媛，田慕琴，
申请(专利权)人：太原理工大学，
类型：发明
国别省市：