高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术提出一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷，其介电常数为78～80，Q

【技术实现步骤摘要】
高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电子功能材料
，具体涉及一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着高频通信技术的日益完善，移动通信的频率范围已拓展至微波频段(300MHz～300GHz)。相较于低频通信，微波通信具有高容量、大带宽、低时延等优点，但同时也对工作于微波频段下的元件和材料性能提出了更高的要求。一般希望移动设备中微波元件的组成材料：拥有高的介电常数，以减小元件体积；具有低的介质损耗，以降低信号衰减；保持良好的温度稳定性，以确保元件正常工作于各种环境。高介电常数微波介质陶瓷恰好具备上述特性，有希望被用于制造移动设备中的微波元件。
[0003]化学组成为Ba6‑
3x
Ln
8+2x
Ti
18
O
54
的钨青铜结构微波介质陶瓷，因具较高的介电常数(约80)和可调至零的谐振频率温度系数，已得到深入研究与广泛应用。然而，为满足高频应用需求，其Q
×
f值(约10000GHz)仍有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷，其特征在于：所述陶瓷的介电常数为78～80，Q
×
f值为13900～15200GHz，谐振频率温度系数为
‑
5～+5ppm/℃。2.如权利要求1所述的高介电常数低损耗微波介质陶瓷：所述陶瓷的原料组分包括质量分数分别为16％～17％的BaO、28％～29％的Sm2O3、15％～16％的Nd2O3、38％～39％的TiO2。3.如权利要求1所述的高介电常数低损耗微波介质陶瓷：所述陶瓷中还可以包括原料组分0.1％～1.0％的Al2O3。4.如权利要求1所述的高介电常数低损耗微波介质陶瓷：所述陶瓷中还可以包括原料组分0.25％～0.75％的氧化物掺杂剂。5.如权利要求4所述的高介电常数低损耗微波介质陶瓷：所述氧化物掺杂剂可以为SnO2、WO3或TiO2。6.权利要求1至5任一项所述高介电常数低损耗微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：第一步，按照上...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳振星，马志宇，郭蔚嘉，骆宇，陈雨谷，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：