像素电路及其外部补偿方法技术

本申请公开了一种像素电路及其外部补偿方法，该外部补偿方法通过n次迭代侦测驱动晶体管的实时源极电位，以人为可以设定的单次迭代侦测时间来限制每次迭代侦测驱动晶体管的实时源极电位所用的时间，直至驱动晶体管的实时源极电位等于目标源极电位，可以提高驱动晶体管的阈值电压侦测效率。体管的阈值电压侦测效率。体管的阈值电压侦测效率。

【技术实现步骤摘要】
像素电路及其外部补偿方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种像素电路及其外部补偿方法。

技术介绍

[0002]传统像素电路中驱动晶体管的阈值电压(Vth)侦测，通常给定驱动晶体管一个大于Vth的初始栅源电压(Vgs)，然后利用源跟随的方式，保持驱动晶体管的栅极电压不变，抬升驱动晶体管的源极电压至Vgs＝Vth，此时流过驱动晶体管的电流大小趋近于零，在此状态下，采样驱动晶体管的源极电压，进而计算得到Vth，再叠加得到的Vth至显示时的数据电压上，实现对Vth差异的补偿，消除由Vth差异导致的亮度显示不均匀。
[0003]但是，随着侦测中Vgs的减小以及侦测线路的寄生电容远大于单个像素电路的存储电容，驱动晶体管的源极电压抬升也越来越慢，如此，驱动晶体管的Vth差异侦测需要很长的时间。
[0004]需要注意的是，上述关于
技术介绍
的介绍仅仅是为了便于清楚、完整地理解本申请的技术方案。因此，不能仅仅由于其出现在本申请的
技术介绍
中，而认为上述所涉及到的技术方案为本领域所属技术人员所公知。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种像素电路及其外部补偿方法，以缓解驱动晶体管的阈值电压侦测效率较低的技术问题。
[0006]第一方面，本申请提供一种像素电路的外部补偿方法，其包括：确定像素电路中驱动晶体管的目标源极电位以及单次迭代侦测时间；n次迭代侦测驱动晶体管的实时源极电位，直至驱动晶体管的实时源极电位等于目标源极电位，n为正整数；基于目标源极电位、第1次至第n
‑
1次迭代侦测到的实时源极电位，确定第n
‑
1次补偿电压；根据第n
‑
1次补偿电压对驱动晶体管进行补偿。
[0007]在其中一些实施方式中，基于目标源极电位、第1次至第n
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1次迭代侦测到的实时源极电位，确定第n
‑
1次补偿电压的步骤包括：基于目标源极电位与第n
‑
1次迭代侦测到的实时源极电位的差值，确定第n
‑
1次类阈值电压；基于初始类阈值电压至第n
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1次类阈值电压的累加之和，得到第n
‑
1次补偿电压。
[0008]在其中一些实施方式中，若第n次迭代侦测中驱动晶体管的实时源极电位等于目标源极电位，则第n+1次数据信号的电位与第n次数据信号的电位相同。
[0009]在其中一些实施方式中，第n+1次及以后的预充电阶段、迭代侦测阶段中数据信号的电位均与第n次数据信号的电位相同。
[0010]在其中一些实施方式中，外部补偿方法还包括：确定驱动晶体管的初始栅极电位、驱动晶体管的初始源极电位；配置初始栅极电位与初始源极电位的差值大于驱动晶体管的阈值电压。
[0011]在其中一些实施方式中，外部补偿方法还包括：确定驱动晶体管的初始栅极电位、
驱动晶体管的初始源极电位；配置目标源极电位与初始源极电位的差值大于零。
[0012]在其中一些实施方式中，目标源极电位大于或者等于0V，且小于或者等于16V。
[0013]在其中一些实施方式中，单次迭代侦测时间大于或者等于0毫秒，且小于或者等于29毫秒。
[0014]在其中一些实施方式中，单次迭代侦测时间大于或者等于0.5毫秒，且小于或者等于20毫秒。
[0015]第二方面，本申请提供一种像素电路，其包括驱动晶体管和外部补偿模块，外部补偿模块与驱动晶体管电性连接，用于确定驱动晶体管的初始栅极电位、驱动晶体管的初始源极电位、驱动晶体管的目标源极电位以及单次迭代侦测时间，其中，同一单次迭代侦测时间内，驱动晶体管的栅极电位与数据信号的电位相同；n次迭代侦测驱动晶体管的实时源极电位，直至驱动晶体管的实时源极电位等于目标源极电位，n为正整数；基于目标源极电位、第1次至第n
‑
1次迭代侦测到的实时源极电位，确定第n
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1次补偿电压；叠加第n
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1次补偿电压至第n
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1次数据信号的电位以生成第n次数据信号，第n次数据信号为第n次迭代侦测中的数据信号。
[0016]本申请提供的像素电路及其外部补偿方法，通过n次迭代侦测驱动晶体管的实时源极电位，以人为可以设定的单次迭代侦测时间来限制每次迭代侦测驱动晶体管的实时源极电位所用的时间，直至驱动晶体管的实时源极电位等于目标源极电位，可以提高驱动晶体管的阈值电压侦测效率；再叠加第n
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1次补偿电压至第n
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1次数据信号的电位以生成第n次数据信号，可以提高驱动晶体管的阈值电压补偿效率，进而提高了像素电路的亮度显示均匀性。
附图说明
[0017]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0018]图1为本申请实施例提供的外部补偿方法的流程示意图。
[0019]图2为本申请实施例提供的像素电路的电路原理图。
[0020]图3为图2所示像素电路的时序示意图。
[0021]图4为本申请实施例提供的实时源极电位的电流特性示意图。
[0022]图5为本申请实施例提供的实时源极电位随时间变化的示意图。
[0023]图6为本申请实施例提供的初次侦测中不同驱动晶体管具有不同的阈值电压示意图。
[0024]图7为本申请实施例提供的随着迭代侦测次数的增加不同驱动晶体管具有一致的阈值电压示意图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0026]请参阅图1至图7，如图1所示，本实施例提供了一种像素电路的外部补偿方法，其包括以下步骤：
[0027]步骤S10：确定像素电路中驱动晶体管的目标源极电位以及单次迭代侦测时间。
[0028]步骤S20：n次迭代侦测驱动晶体管的实时源极电位，直至驱动晶体管的实时源极电位等于目标源极电位，n为正整数。
[0029]步骤S30：基于目标源极电位、第1次至第n
‑
1次迭代侦测到的实时源极电位，确定第n
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1次补偿电压。
[0030]步骤S40：根据第n
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1次补偿电压对驱动晶体管进行补偿。
[0031]可以理解的是，本实施例提供的外部补偿方法，通过n次迭代侦测驱动晶体管的实时源极电位，以人为可以设定的单次迭代侦测时间来限制每次迭代侦测驱动晶体管的实时源极电位所用的时间，直至驱动晶体管的实时源极电位等于目标源极电位，可以提高驱动晶体管的阈值电压侦测效率；再叠加第n
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1次补偿电压至第n
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1次数据信号的电位以生成第n次数据信号，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素电路的外部补偿方法，其特征在于，包括：确定所述像素电路中驱动晶体管的目标源极电位以及单次迭代侦测时间；n次迭代侦测所述驱动晶体管的实时源极电位，直至所述驱动晶体管的实时源极电位等于所述目标源极电位，n为正整数；根据所述目标源极电位、第1次至第n
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1次迭代侦测到的实时源极电位，确定第n
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1次补偿电压；根据所述第n
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1次补偿电压对所述驱动晶体管进行补偿。2.根据权利要求1所述的外部补偿方法，其特征在于，所述基于所述目标源极电位、第1次至第n
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1次迭代侦测到的实时源极电位，确定第n
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1次补偿电压的步骤，包括：根据所述目标源极电位与第n
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1次迭代侦测到的实时源极电位的差值，确定第n
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1次类阈值电压；根据初始类阈值电压至所述第n
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1次类阈值电压的累加之和，得到所述第n
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1次补偿电压。3.根据权利要求2所述的外部补偿方法，其特征在于，若第n次迭代侦测中所述驱动晶体管的实时源极电位等于所述目标源极电位，则第n+1次数据信号的电位与所述第n次数据信号的电位相同。4.根据权利要求3所述的外部补偿方法，其特征在于，第n+1次及以后的预充电阶段、迭代侦测阶段中数据信号的电位均与所述第n次数据信号的电位相同。5.根据权利要求1所述的外部补偿方法，其特征在于，所述外部补偿方法还包括：确定所述驱动晶体管的初始栅极电位、...

【专利技术属性】
技术研发人员：窦维，黄泰钧，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：