一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法技术

本发明专利技术属于ETFE薄膜领域，公开了一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，包括以下步骤：1)按配比称取物料投入到高混机中，充分混合，所述物料包含：ETFE原料50～90份、抗氧剂1～3份、抗静电剂2～4份、抗拉伸剂1～2份、耐磨剂6～12份、阻燃剂1～2份、相容剂2～3份及结晶抑制剂20～30份。本发明专利技术通过采用添加耐磨剂的方式直接生产出高耐磨性的ETFE薄膜，并配合相容剂和结晶抑制剂使各原料之间相互协同，使ETFE薄膜具备耐磨性能的同时，兼具抗静电、阻燃、抗拉伸等优良性能，另外本发明专利技术的耐磨剂采用多种原料复配，有效提高薄膜的耐磨性能，本发明专利技术的ETFE薄膜在半导体封装及其他工业封装领域市场前景广阔。领域市场前景广阔。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法


[0001]本专利技术涉及ETFE薄膜
，具体为一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法。

技术介绍

[0002]ETFE的中文名为乙烯
‑
四氟乙烯共聚物，是一种透明膜材，不仅具有优良的抗冲击性能、电性能、热稳定性和耐化学腐蚀性，而且机械强度高、环保可回收，加工性能好，应用领域广，能适用于半导体封装领域。
[0003]在现有技术中的ETFE薄膜，虽然个方面的性能优异，但是在半导体或其他封装领域，对薄膜的耐磨性要求较高，要求产品在刮蹭、摩擦后，不影响外观质量，而现有的ETFE薄膜的耐磨性能还比较薄弱。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，包括以下步骤：
[0007]1)按配比称取物料投入到高混机中，充分混合，所述物料包含：ETFE原料50～90份、抗氧剂1～3份、抗静电剂2～4份、抗拉伸剂1～2份、耐磨剂6～12份、阻燃剂1～2份、相容剂2～3份及结晶抑制剂20～30份；
[0008]2)将上述混合后的物料投入双螺杆挤出机，进行挤出造粒，双螺杆挤出机挤出加工温度为200～300℃；
[0009]3)将造粒好的物料置于流延挤出机中熔融挤出成膜，熔体温度为330
‑
350℃，一次冷却辊直径800～1000mm，一次冷却辊温度为60～90℃，最终制得20～50μm的薄膜。
[0010]作为上述方案的进一步描述；
[0011]所述ETFE原料为粉末形状，堆积密度为1
‑
3g/ml，熔融指数为30
‑
40g/10min，熔点为210
‑
250℃。
[0012]作为上述方案的进一步描述；
[0013]所述抗氧剂为半受阻酚抗氧剂、亚磷酸酯抗氧剂、硫醚类抗氧剂中的一种或多种。
[0014]作为上述方案的进一步描述；
[0015]所述耐磨剂由以下重量份的原料组成：二硫化钼0.6～0.8％、三氟丙基甲基聚硅氧烷1.0～2.0％、三羟乙基甲基季铵硫酸甲酯盐3.0～4.0％，余量为聚对苯二甲酸丁二酯。
[0016]作为上述方案的进一步描述；
[0017]所述结晶抑制剂选择聚甲基丙烯酸全氟烷基甲酯和/或聚乙基丙烯酸全氟烷基甲酯。
[0018]作为上述方案的进一步描述；
[0019]所述抗静电剂为乙炔炭黑。
[0020]与现有技术相比，本专利技术提供了一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，具备以下有益效果：
[0021]本专利技术通过采用添加耐磨剂的方式直接生产出高耐磨性的ETFE薄膜，并配合相容剂和结晶抑制剂使各原料之间相互协同，使ETFE薄膜具备耐磨性能的同时，兼具抗静电、阻燃、抗拉伸等优良性能，另外本专利技术的耐磨剂采用多种原料复配，有效提高薄膜的耐磨性能，本专利技术的ETFE薄膜在半导体封装及其他工业封装领域市场前景广阔。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术的实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]实施例一：
[0024]一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，包括以下步骤：
[0025]1)按配比称取物料投入到高混机中，充分混合，物料包含：ETFE原料50份、半受阻酚抗氧剂1份、乙炔炭黑2份、抗拉伸剂1份、耐磨剂6份、阻燃剂1份、相容剂2份及聚甲基丙烯酸全氟烷基甲酯20份；
[0026]2)将上述混合后的物料投入双螺杆挤出机，进行挤出造粒，双螺杆挤出机挤出加工温度为200℃；
[0027]3)将造粒好的物料置于流延挤出机中熔融挤出成膜，熔体温度为330℃，一次冷却辊直径800mm，一次冷却辊温度为60℃，最终制得50μm的薄膜。
[0028]进一步的，ETFE原料为粉末形状，堆积密度为1
‑
3g/ml，熔融指数为30
‑
40g/10min，熔点为210
‑
250℃。
[0029]进一步的，耐磨剂由以下重量份的原料组成：二硫化钼0.6％、三氟丙基甲基聚硅氧烷1.0％、三羟乙基甲基季铵硫酸甲酯盐3.0％，余量聚对苯二甲酸丁二酯。
[0030]实施例二：
[0031]一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，包括以下步骤：
[0032]1)按配比称取物料投入到高混机中，充分混合，物料包含：ETFE原料90份、抗氧剂3份、抗静电剂4份、抗拉伸剂2份、耐磨剂12份、阻燃剂2份、相容剂23份及结晶抑制剂30份；
[0033]2)将上述混合后的物料投入双螺杆挤出机，进行挤出造粒，双螺杆挤出机挤出加工温度为300℃；
[0034]3)将造粒好的物料置于流延挤出机中熔融挤出成膜，熔体温度为350℃，一次冷却辊直径1000mm，一次冷却辊温度为90℃，最终制得20μm的薄膜。
[0035]进一步的，ETFE原料为粉末形状，堆积密度为1
‑
3g/ml，熔融指数为30
‑
40g/10min，熔点为210
‑
250℃。
[0036]进一步的，抗氧剂为半受阻酚抗氧剂、亚磷酸酯抗氧剂、硫醚类抗氧剂中的一种或多种。
[0037]进一步的，耐磨剂由以下重量份的原料组成：二硫化钼0.8％、三氟丙基甲基聚硅
氧烷2.0％、三羟乙基甲基季铵硫酸甲酯盐4.0％，余量聚对苯二甲酸丁二酯。
[0038]进一步的，结晶抑制剂选择聚甲基丙烯酸全氟烷基甲酯和/或聚乙基丙烯酸全氟烷基甲酯。
[0039]进一步的，抗静电剂为乙炔炭黑。
[0040]本方案通过采用添加耐磨剂的方式直接生产出高耐磨性的ETFE薄膜，并配合相容剂和结晶抑制剂使各原料之间相互协同，使ETFE薄膜具备耐磨性能的同时，兼具抗静电、阻燃、抗拉伸等优良性能，另外本方案的耐磨剂采用多种原料复配，有效提高薄膜的耐磨性能，本方案的ETFE薄膜在半导体封装及其他工业封装领域市场前景广阔。
[0041]以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式；但本专利技术的保护范围并不局限于此。任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)按配比称取物料投入到高混机中，充分混合，所述物料包含：ETFE原料50～90份、抗氧剂1～3份、抗静电剂2～4份、抗拉伸剂1～2份、耐磨剂6～12份、阻燃剂1～2份、相容剂2～3份及结晶抑制剂20～30份；2)将上述混合后的物料投入双螺杆挤出机，进行挤出造粒，双螺杆挤出机挤出加工温度为200～300℃；3)将造粒好的物料置于流延挤出机中熔融挤出成膜，熔体温度为330
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350℃，一次冷却辊直径800～1000mm，一次冷却辊温度为60～90℃，最终制得20～50μm的薄膜。2.根据权利要求1所述的一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，其特征在于：所述ETFE原料为粉末形状，堆积密度为1
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3g/ml，熔融指数为30

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：安徽一星新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：