功率模块制造技术

技术编号:31487410 阅读:57 留言:0更新日期:2021-12-18 12:23
本申请提供一种功率模块,包括基板、多个芯片、引线框架、壳体以及封装胶。所述多个芯片间隔设置于所述基板上,所述引线框架设置于所述多个芯片和所述基板上并电连接所述多个芯片和所述基板,所述壳体设置于所述基板上并与所述基板合围形成收容腔,所述多个芯片和所述基板收容于所述收容腔中,所述封装胶填充于所述收容腔中并包覆所述多个芯片和所述引线框架。本申请提供的功率模块,通过引线框架对相连接的多个芯片实现均热,提高了散热效率。提高了散热效率。提高了散热效率。

【技术实现步骤摘要】
功率模块


[0001]本申请涉及半导体领域,尤其涉及一种功率模块。

技术介绍

[0002]功率模块是将功率电力电子器件按一定的功能组合后再灌封形成的一个模块,例如芯片封装结构。芯片一般通过引线(铝线)键合的方式与基板实现电气连接。然而,应用于大功率场景的碳化硅芯片在工作时会产生大量的热,其对封装的散热能力要求高,传统的引线键合方式并不能满足碳化硅芯片的散热要求。

技术实现思路

[0003]有鉴于此,有必要提供一种解决上述技术问题的功率模块。
[0004]本申请提供一种功率模块,包括基板、多个芯片、引线框架、壳体以及封装胶。所述多个芯片间隔设置于所述基板上,所述引线框架设置于所述多个芯片和所述基板上并电连接所述多个芯片和所述基板,所述壳体设置于所述基板上并与所述基板合围形成收容腔,所述多个芯片和所述基板收容于所述收容腔中,所述封装胶填充于所述收容腔中并包覆所述多个芯片和所述引线框架。
[0005]在一些实施方式中,每个芯片包括相对设置的第一表面和第二表面,所述芯片的第一表面通过第一焊锡层焊接于所述基板,所述引线框架通过第二焊锡层焊接于所述芯片的第二表面,所述第二焊锡层的熔点低于所述第一焊锡层的熔点。
[0006]在一些实施方式中,所述引线框架包括相互连接的多个第一连接部和第二连接部,每个第一连接部通过所述第二焊锡层焊接于相应芯片的第二表面,所述第二连接部通过所述第二焊锡层焊接于所述基板上。
[0007]在一些实施方式中,所述引线框架还包括多个第三连接部,每个第一连接部和所述第二连接部为L形,每个第三连接部为“一”字形,每个第三连接部连接相应的第一连接部和所述第二连接部。
[0008]在一些实施方式中,所述功率模块还包括热敏电阻、针型端子和主端子,所述热敏电阻通过所述第一焊锡层焊接于所述基板上,所述针型端子和所述主端子分别通过所述第二焊锡层焊接于所述基板上,所述针型端子通过引线键合于相应的芯片上,且所述封装胶还包覆所述热敏电阻、所述针型端子的部分以及所述主端子位于所述壳体中的部分。
[0009]在一些实施方式中,所述基板、所述引线框架、所述针型端子和所述主端子的表面均设有镀层。
[0010]在一些实施方式中,所述基板上的镀层的厚度大于0.02μm,所述引线框架、所述针型端子以及所述主端子上的镀层的厚度均大于0.2μm。
[0011]在一些实施方式中,所述基板包括基材层、第一导电层和第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层分别设置于所述基材层相对的两个表面上。
[0012]在一些实施方式中,所述功率模块还包括盖板,所述盖板设置于所述壳体远离所
述基板的一端并封盖所述收容腔。
[0013]在一些实施方式中,所述盖板与所述壳体相接触的位置处以及所述壳体与所述基板相接触的位置处均设置有密封胶,以密封所述收容腔。
[0014]本申请实施方式提供的功率模块,通过引线框架实现芯片与基板的电连接,且所述引线框架与多个芯片均相接,使得在一个芯片工作发热时,其热量可通过所述引线框架传递至其余的芯片上,实现均热,进而提高该工作芯片的散热效果。
附图说明
[0015]图1是本申请一实施方式提供的功率模块的结构示意图。
[0016]主要元件符号说明
[0017]功率模块
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100
[0018]基板
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10
[0019]芯片
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20
[0020]壳体
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41
[0021]封装胶
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50
[0022]基材层
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11
[0023]第一导电层
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12
[0024]第二导电层
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13
[0025]第一焊锡层
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61
[0026]热敏电阻
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70
[0027]第二焊锡层
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62
[0028]第一连接部
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31
[0029]第二连接部
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32
[0030]第三连接部
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33
[0031]针型端子
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80
[0032]主端子
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90
[0033]收容腔
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42
[0034]盖板
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43
[0035]密封胶
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101
[0036]安装孔
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411
[0037]通孔
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431
[0038]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
[0039]下面将结合本申请实施方式中的附图,对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本申请保护的范围。
[0040]除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的

技术人员通常理解的含义相同。本文中在说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。
[0041]请参阅图1,本申请一实施方式提供一种功率模块100,包括基板10、多个芯片20、引线框架30、壳体41以及封装胶50。
[0042]所述基板10为电路板。所述基板10包括基材层11、第一导电层12和第二导电层13。所述第一导电层12和所述第二导电层13分别设置于所述基材层11相对的两个表面上。所述基材层11的材质可包括陶瓷、玻璃、半导体以及聚合物中的一种或多种。本实施方式中,所述基材层11的材质为陶瓷。所述第一导电层12和所述第二导电层13的材质可以包括金属或其他导电材料。本实施方式中,所述第一导电层12和所述第二导电层13的材质为铜。所述第一导电层12包括本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率模块,其特征在于,包括基板、多个芯片、引线框架、壳体以及封装胶,所述多个芯片间隔设置于所述基板上,所述引线框架设置于所述多个芯片和所述基板上并电连接所述多个芯片和所述基板,所述壳体设置于所述基板上并与所述基板合围形成收容腔,所述多个芯片和所述基板收容于所述收容腔中,所述封装胶填充于所述收容腔中并包覆所述多个芯片和所述引线框架。2.如权利要求1所述的功率模块,其特征在于,每个芯片包括相对设置的第一表面和第二表面,所述芯片的第一表面通过第一焊锡层焊接于所述基板,所述引线框架通过第二焊锡层焊接于所述芯片的第二表面,所述第二焊锡层的熔点低于所述第一焊锡层的熔点。3.如权利要求2所述的功率模块,其特征在于,所述引线框架包括相互连接的多个第一连接部和第二连接部,每个第一连接部通过所述第二焊锡层焊接于相应芯片的第二表面,所述第二连接部通过所述第二焊锡层焊接于所述基板上。4.如权利要求3所述的功率模块,其特征在于,所述引线框架还包括多个第三连接部,每个第一连接部和所述第二连接部为L形,每个第三连接部为“一”字形,每个第三连接部连接相应的第一连接部和所述第二连接部。5.如权利要求2所述的功率模块,...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨柳喻双柏孙军和巍巍汪之涵蝶名林幹也
申请(专利权)人:深圳基本半导体有限公司
类型:新型
国别省市:

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