【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示面板
[0001]本申请涉及显示领域,具体涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
[0002]迁移率和漏电流是表征薄膜晶体管性能的两项重要指标。迁移率是指载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度,即载流子在电场作用下运动速度的快慢。载流子运动得越快,迁移率越大;载流子运动得越慢,迁移率越小。漏电流也称作薄膜晶体管的关态电流,影响着像素的漏电快慢程度,理想的薄膜晶体管在关态没有电流。
[0003]显示装置根据驱动电路频率的不同,对薄膜晶体管的要求也不相同。高频驱动电路下要求晶体管迁移率高,器件充电率高,刷新率高;而低频驱动电路下则要求晶体管漏电流低,减少闪烁、降低功耗。但是当前显示装置的阵列基板难以兼顾高频和低频状态下的使用要求,因此亟需一种能够兼顾高频和低频进行使用的阵列基板及显示装置。
技术实现思路
[0004]本申请提供一种阵列基板及显示面板,以改善当前的阵列基板难以兼顾高频和低频状态下的使用要求的技术问题刷新率。
[0005]为解决上述技术问题,本申请提供的技
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底;阵列驱动层,位于所述衬底上,所述阵列驱动层包括多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一有源层和位于所述第一有源层上的第一源漏极层,所述第二薄膜晶体管包括第二有源层和位于所述第二有源层上的第二源漏极层;以及像素电极层,位于所述阵列驱动层上;其中,所述第一有源层和所述第二有源层异层设置,所述第一有源层和所述第二有源层的材料不相同,所述第一源漏极层的漏极和所述第二源漏极层的漏极分离且绝缘设置,所述第一源漏极层的漏极、所述第二源漏极层的漏极与所述像素电极层电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一有源层包括晶硅材料层,所述第二有源层包括金属氧化物材料层。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二有源层与所述第一有源层在所述衬底上的正投影间隔设置,在所述第一方向和所述第二方向上,所述第二有源层的尺寸小于所述第一有源层的尺寸;其中,所述第一方向为所述第二有源层在所述衬底上的正投影与所述第一有源层在所述衬底上的正投影的连线方向,所述第二方向与所述第一方向垂直。4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极层,所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极层;其中,所述第一栅极层、第二栅极层设置于所述第一有源层...
【专利技术属性】
技术研发人员:马涛,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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