一种硅胶制品的表面活化处理工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种硅胶制品的表面活化处理工艺，包括以下步骤：准备硅胶制品、紫外灯，调整硅胶制品与紫外灯之间的距离，对硅胶制品的表面进行清洗；确定紫外灯所发出紫外线的波长参数，开启紫外灯，利用紫外线对硅胶制品的表面进行光照处理，直至紫外线的能量密度达到特定范围，停止光照，取出硅胶制品后自然冷却，得到表面活化的硅胶制品。本发明专利技术的表面活化处理工艺，通过紫外光照对硅胶制品表面进行纳米级的改性，降低硅胶制品表面的摩擦系数，从而提升硅胶制品的防尘抗静电能力，同时赋予硅胶制品表面更加顺滑的手感。制品表面更加顺滑的手感。制品表面更加顺滑的手感。

【技术实现步骤摘要】
一种硅胶制品的表面活化处理工艺


[0001]本专利技术涉及硅胶表面处理
，具体涉及一种硅胶制品的表面活化处理工艺。

技术介绍

[0002]硅胶是一种具有开放的多孔结构，其吸附性强，能吸附物质的材料。硅胶常被制作成各种硅胶制品，由于硅胶的特性，导致其表面容易吸附粉尘，并且抗静电能力不足。为了解决这一问题，常规的手段是在硅胶制品表面喷涂一层手感油，以提升硅胶制品表面的细腻程度，让硅胶制品的表面的手感变的更好。但是喷涂工艺是一种高污染工艺，在喷涂过程中会有废气、废水、废物质产生，对环境造成污染。

技术实现思路

[0003]针对以上问题，本专利技术提供一种硅胶制品的表面活化处理工艺，通过紫外光照对硅胶制品表面进行纳米级的改性，降低硅胶制品表面的摩擦系数，从而提升硅胶制品的防尘抗静电能力，同时赋予硅胶制品表面更加顺滑的手感。
[0004]为实现上述目的，本专利技术通过以下技术方案来解决：
[0005]一种硅胶制品的表面活化处理工艺，包括以下步骤：
[0006]准备硅胶制品、紫外灯，调整硅胶制品与紫外灯之间的距离，对硅胶制品的表面进行清洗；
[0007]确定紫外灯所发出紫外线的波长参数，开启紫外灯，利用紫外线对硅胶制品的表面进行光照处理，直至紫外线的能量密度达到特定范围，停止光照，取出硅胶制品后自然冷却，得到表面活化的硅胶制品。
[0008]具体的，紫外线的能量密度达到9000mJ/cm2‑
20000mJ/cm2，得到表面具有防尘等级的硅胶制品。
[0009]具体的，紫外线的能量密度达到20000mJ/cm2‑
30000mJ/cm2，得到表面具有防尘等级并且手感顺滑的硅胶制品。
[0010]具体的，所述紫外线的波长为125nm～260nm。
[0011]具体的，所述硅胶制品经过冷却后，还需要将硅胶制品进行清洗、烘干工序，清洗时间不低于10分钟。
[0012]具体的，所述清洗的方式为水洗，水洗时间为10～30分钟。
[0013]具体的，所述紫外灯与所述硅胶制品表面之间的距离为10mm
‑
30mm。
[0014]具体的，使用喷枪对硅胶制品的表面进行清洗。
[0015]具体的，光照处理过程中，温度控制在50～70℃范围内。
[0016]本专利技术的有益效果是：
[0017]1.本专利技术公开的硅胶制品的表面活化处理工艺，对硅胶制品依次进行前处理、紫外光照处理、冷却、后处理，能够得到表面顺滑的硅胶制品，无需进行喷涂工艺，对环境无污
染；
[0018]2.利用特定温度以及特定能量密度的紫外光对硅胶制品表面进行活化，使氢氧根转换成二氧化碳和水分子，以除去硅胶表层表面的氢氧根，改变硅胶制品表面的硅胶分子结构，降低硅胶制品表面的摩擦系数，从而提升硅胶制品的防尘抗静电能力，同时赋予硅胶制品表面更加顺滑的手感。
附图说明
[0019]图1为硅胶分子活化前、活化时、活化后的结构示意图。
具体实施方式
[0020]为了能进一步了解本专利技术的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合具体实施方式和附图对本专利技术作进一步的详细描述。
[0021]实施例1
[0022]一种硅胶制品的表面活化处理工艺，包括以下步骤：
[0023]准备硅胶制品、紫外灯，调整硅胶制品与紫外灯之间的距离为20mm，使用喷枪对硅胶制品的表面进行清洗；
[0024]紫外灯所发出紫外线的波长为200nm，开启紫外灯，利用紫外线对硅胶制品的表面进行光照处理，直至紫外线的能量密度达到25000mJ/cm2，停止光照，取出硅胶制品后自然冷却，得到表面具有防尘等级并且手感顺滑的硅胶制品，由于紫外灯光照过程中会产生热量，高于70℃或低于50℃会影响硅胶制品的表面处理效果，从而影响手感，因此需要在光照处理过程需要严格控制温度在50～70℃范围内；
[0025]紫外灯光照过程如图1所示，活化前硅胶制品的表层硅胶分子具有氢氧根，在紫外光照射下，表层硅胶分子的氢氧根转换成二氧化碳和水分子，经过自然冷却后(活化后)二氧化碳和水分子消失，整个活化过程目的除去硅胶表层表面的氢氧根，改变硅胶制品表面的硅胶分子结构，降低硅胶制品表面的摩擦系数，从而提升硅胶制品的防尘抗静电能力，同时赋予硅胶制品表面更加顺滑的手感；
[0026]将硅胶制品进行水洗、烘干，清洗时间为20分钟。
[0027]测试：根据GB10006
‑
1988《塑料薄膜和薄片摩擦系数测定方法》的测试方法，对经过表面处理的硅胶制品进行摩擦系数测试，测试结果参照如下表1。
[0028]实施例2
[0029]一种硅胶制品的表面活化处理工艺，包括以下步骤：
[0030]准备硅胶制品、紫外灯，调整硅胶制品与紫外灯之间的距离为20mm，使用喷枪对硅胶制品的表面进行清洗；
[0031]紫外灯所发出紫外线的波长为200nm，开启紫外灯，利用紫外线对硅胶制品的表面进行光照处理，直至紫外线的能量密度达到10000mJ/cm2，停止光照，取出硅胶制品后自然冷却，得到表面具有防尘等级的硅胶制品，由于紫外灯光照过程中会产生热量，高于70℃或低于50℃会影响硅胶制品的表面处理效果，从而影响手感，因此需要在光照处理过程需要严格控制温度在50～70℃范围内；
[0032]紫外灯光照过程如图1所示，活化前硅胶制品的表层硅胶分子具有氢氧根，在紫外
光照射下，表层硅胶分子的氢氧根转换成二氧化碳和水分子，经过自然冷却后(活化后)二氧化碳和水分子消失，整个活化过程目的除去硅胶表层表面的氢氧根，改变硅胶制品表面的硅胶分子结构，降低硅胶制品表面的摩擦系数，从而提升硅胶制品的防尘抗静电能力；
[0033]将硅胶制品进行水洗、烘干，清洗时间为20分钟。
[0034]测试：根据GB10006
‑
1988《塑料薄膜和薄片摩擦系数测定方法》的测试方法，对经过表面处理的硅胶制品进行摩擦系数测试，测试结果参照如下表1。
[0035]对比例
[0036]根据GB10006
‑
1988《塑料薄膜和薄片摩擦系数测定方法》的测试方法，对未进行表面处理的硅胶制品进行摩擦系数测试，测试结果参照如下表1。
[0037]项目对比例实施例1实施例2静摩擦系数0.70.250.37
[0038]由上表1可看出，实施例1～2相比对比例1，静摩擦系数明显降低，说明本专利技术能够降低硅胶制品表面的摩擦系数，从而提升硅胶制品的防尘抗静电能力，同时赋予硅胶制品表面顺滑的手感。
[0039]实施例1相比实施例2，提高了紫外光照的能量密度，使得硅胶制品表面的静摩擦系数更低，手感更加顺滑。
[0040]以上实施例仅表达了本专利技术的2种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅胶制品的表面活化处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：准备硅胶制品、紫外灯，调整硅胶制品与紫外灯之间的距离，对硅胶制品的表面进行清洗；确定紫外灯所发出紫外线的波长参数，开启紫外灯，利用紫外线对硅胶制品的表面进行光照处理，直至紫外线的能量密度达到特定范围，停止光照，取出硅胶制品后自然冷却，得到表面活化的硅胶制品。2.根据权利要求1所述的一种硅胶制品的表面活化处理工艺，其特征在于，紫外线的能量密度达到9000mJ/cm2‑
20000mJ/cm2，得到表面具有防尘等级的硅胶制品。3.根据权利要求1所述的一种硅胶制品的表面活化处理工艺，其特征在于，紫外线的能量密度达到20000mJ/cm2‑
30000mJ/cm2，得到表面具有防尘等级并且手感顺滑的硅胶制品。4.根据权利要求1所述的一种硅胶制...

【专利技术属性】
技术研发人员：段光录，
申请(专利权)人：广东烨嘉光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：