一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线制造技术

本发明专利技术公开了一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线，包括介质基板，介质基板的顶面沿纵向中心线呈对称设置有矩形的第一辐射贴片和第二辐射贴片，沿第一辐射贴片和第二辐射贴片的纵向一端分别固定有第一馈电微带线和第二馈电微带线，第一馈电微带线和第二馈电微带线相靠近的侧边分别设置有第一倒L型寄生微带线枝节和第二倒L型寄生微带线枝节，第一辐射贴片和第二辐射贴片之间的间隙处设置有长方体型解耦介质墙，长方体型解耦介质墙的两个侧面上均设置有条形金属带。通过使用该解耦结构，使得MIMO天线在5.4GHz处的隔离度提高至60dB。能够很好地应用于极近距离阵列天线耦合抑制中，具有良好的应用价值。具有良好的应用价值。具有良好的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线


[0001]本专利技术属于电磁场与微波
，具体涉及一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线。

技术介绍

[0002]多天线间的耦合是多输入多输出(multiple
‑
input
‑
multiple
‑
output，MIMO)通信系统、分集天线系统和自适应天线阵列等众多应用中不可避免的一个问题。在MIMO通信系统中，天线互耦会使得通道间信号相关度增加，导致系统容量下降；在自适应天线阵中，互耦会造成信噪比降低，很大程度上恶化系统的通信质量。由于这些应用中互耦的不利影响，天线单元之间低互耦的需求显得尤为迫切，特别是天线单元放置紧密时。大量文献已经报道了各类抑制MIMO天线之间相互耦合的技术。如超表面解耦，极化旋转隔离器，缺陷地结构，中和线技术等。
[0003]场对消解耦方法具有设计简单，相比极化旋转隔离器和中线技术，场对消解耦方法对天线阻抗匹配影响较小；相比超表面解耦，所占用系统的空间也明显减小。

技术实现思路
r/>[0004]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线，其特征在于，包括介质基板(1)，所述介质基板(1)的顶面沿纵向中心线呈对称设置有矩形的第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)，沿所述第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)的纵向一端分别固定有第一馈电微带线(4)和第二馈电微带线(5)，所述第一馈电微带线(4)和第二馈电微带线(5)相靠近的侧边分别设置有第一倒L型寄生微带线枝节(6)和第二倒L型寄生微带线枝节(7)，所述第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)之间的间隙处设置有长方体型解耦介质墙(9)，所述长方体型解耦介质墙(9)沿纵向设置，所述长方体型解耦介质墙(9)的两个侧面上均设置有条形金属带(10)。2.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线，其特征在于，所述介质基板(1)的背面设置有金属层(8)；所述第一倒L型寄生微带线枝节(6)和第二倒L型寄生微带线枝节(7)呈对称设置。3.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线，其特征在于，所述长方体型解耦介质墙(9)的底部通过两个插头(11)固定在第一辐射贴片(2)和第二辐射贴片(3)之间的间隙中；两个所述插头(11)的长度为2mm+0.1mm，宽度为1mm+0.01mm，高度为1mm+0.1mm。4.根据权利要求1所述的一种基于场对消解耦的高隔离度MIMO天线，其特征在于，所述介质基板(1)的长度为32.0mm
±
0.1mm，宽度为39.0mm
±
0.1mm，厚度为1mm

【专利技术属性】
技术研发人员：席晓莉，杜忠红，原艳宁，秦沛瑜，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：