一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法技术

技术编号:31481714 阅读:32 留言:0更新日期:2021-12-18 12:15
本发明专利技术公开了一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法,具体涉及陶瓷介质滤波器技术领域,包括以下步骤:S1:在陶瓷介质滤波器表面通过阳极层气体离子源对材料表面进行抛光、清洗处理;S2:在真空腔室内,对陶瓷表面进行离子注入处理,形成陶瓷

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷介质滤波器
,更具体地说,本专利技术涉及一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法。

技术介绍

[0002]陶瓷介质滤波器是由锆钛酸铅陶瓷材料制成的,把这种陶瓷材料制成片状,两面涂银作为电极,经过直流高压极化后就具有压电效应。陶瓷介质滤波器利用介质陶瓷材料的低损耗、高介电常数、小频率温度系数和热膨胀系数,在通信系统中的作用是对信号频率进行选择和控制,选择特定频率信号通过,抑制不需要的频率信号。陶瓷介质滤波器主要应用在航天、微波、移动通信等领域。
[0003]现有的陶瓷介质滤波器采用化学电镀、喷涂、溅射、丝网印刷等工艺,在陶瓷介质基体上覆银层,经过烘银炉烧银,可使用激光设备调节镀银层。现有工艺工序复杂,并且不环保。而银浆等原材料依靠进口。
[0004]在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题,本专利技术的实施例提供一种陶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:在陶瓷介质滤波器表面通过阳极层气体离子源对材料表面进行抛光、清洗处理;S2:在真空腔室内,对陶瓷表面进行离子注入处理,形成陶瓷

金属混合层;S3:通过磁控溅射技术,在陶瓷表面沉积一层致密铜层;S4:在致密铜层表面采用通过电子束蒸发技术进行铜层的增厚处理,即制备第二铜层;S5:最后通过电子束蒸发技术沉积一层Ag金属层。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法,其特征在于:所述步骤S1中,利用阳极层气体离子源技术对陶瓷表面进行抛光处理,氩气50

120sccm,电压100

450V,功率1

8kW,时间30

90min;粗糙度降低至0.5μm。3.根据权利要求1所述的一种陶瓷介质滤波器的金属层制备方法,其特征在于:所述步骤S2中,利用离子注入技术在陶瓷层表面进行离子注入处理,金属靶材为Ti、Cu、或其合金,注入电压4

12kV,注入剂量1*10
14

1*10
18
(ion/cm2)/(ion/cm3)。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐杰钟文森张磊郑逸
申请(专利权)人:深圳戴尔蒙德科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1