切割带用基材膜制造技术

切割带用基材膜包含直链状低密度聚乙烯和与乙烯共聚而成的嵌段聚丙烯或将丙烯单独进行聚合而成的均聚聚丙烯。进行聚合而成的均聚聚丙烯。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割带用基材膜


[0001]本专利技术涉及一种切割带用基材膜(以下有时简称为“基材膜”)。

技术介绍

[0002]作为IC芯片等半导体器件的制造方法，例如，广泛使用有如下方法：在晶圆用的切割带上，通过切割来分割在大致圆板形状的半导体晶圆上形成有电路的晶圆电路，并得到各个半导体器件。进而，在切割后，例如，在拉紧切割带而在半导体器件间形成间隙(即扩展)之后，用机器人等拾取各半导体器件。
[0003]切割带通常由固定晶圆的粘合层和含有聚烯烃等的基材膜构成。作为该基材膜，例如提出了由粒状热塑性丙烯酸类树脂成型的层和包含聚乙烯系树脂的层层叠而成的基材膜(参见专利文献1)，其中，所述粒状热塑性丙烯酸类树脂由包含软质的丙烯酸酯系树脂的芯层和包含半硬质或硬质的甲基丙烯酸酯系树脂的壳层构成。另外，例如提出了包含乙烯
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甲基丙烯酸共聚物树脂的外层和包含乙烯
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乙酸乙烯酯共聚物树脂等的内层层叠而成的基材膜(参见专利文献2)。另外，例如提出了一种基材膜，该基材膜在一个表面包括粘接剂层，且由聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯
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乙酸乙烯酯共聚物、聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺等形成，在温度23℃、湿度50％下，基材的与粘接剂层相反侧的最外层表面对SUS430BA的动态摩擦力低于10.0N。并且，记载了包括该基材膜的切割带能够实现在纵向和横向均匀的扩展(参见专利文献3)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利第4643134号公报/>[0007]专利文献2：日本专利第5568428号公报
[0008]专利文献3：日本专利第6211771号公报

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的技术问题
[0010]然而，在上述专利文献1～2所记载的基材膜中，使用了聚乙烯系树脂，而由于使用了熔点低的树脂，因此存在在高温下发生热变形、缺乏耐热性的问题。
[0011]另外，在上述专利文献3中记载的包括基材膜的切割带中，记载了减小基材膜的机械轴(长度)方向(以下称为“MD”)和与该长度方向正交的方向(以下称为“TD”)的应力差，但是因该应力差而存在基材膜的各向同性(均匀的扩展性)不充分的问题。
[0012]因此，本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够兼顾耐热性和各向同性的切割带用基材膜。
[0013]用于解决技术问题的方案
[0014]为了实现上述目的，本专利技术的切割胶带用基材膜的特征在于，包含：
[0015]直链状低密度聚乙烯，和
[0016]与乙烯共聚而成的嵌段聚丙烯或将丙烯单独进行聚合而成的均聚聚丙烯。
[0017]专利技术效果
[0018]根据本专利技术，能够提供一种耐热性和各向同性优异的切割带用基材膜。
具体实施方式
[0019]下面，对本专利技术的切割带用基材膜具体地进行说明。需要说明的是，本专利技术并不限定于以下的实施形式，在不改变本专利技术的主旨的范围内，能够适当变更并应用。
[0020]本专利技术的基材膜是由聚烯烃系树脂形成的膜，包含：
[0021]直链状低密度聚乙烯，和
[0022]与乙烯共聚而成的嵌段聚丙烯(以下有时简称为“嵌段聚丙烯”。)或将丙烯单独进行聚合而成的均聚聚丙烯(以下有时简称为“均聚聚丙烯”。)。
[0023]<直链状低密度聚乙烯>
[0024]直链状低密度聚乙烯在高密度聚乙烯的直链结构中具有侧链分支。并且，由于该侧链分支为短链，且短链分支数少，因此与低密度聚乙烯相比，结晶度高且耐热性优异。另外，直链状低密度聚乙烯具有上述的侧链分支，因此与高密度聚乙烯相比，结晶度不会变得过高，柔软性也优异。
[0025]需要说明的是，从强度方面出发，可以使用利用茂金属系催化剂或齐格勒催化剂制造而成的直链状低密度聚乙烯。
[0026]另外，直链状低密度聚乙烯的密度优选为0.910～0.919g/cm3。在密度为0.910g/cm3以上的情况下，由于结晶度变高，因此能够提高耐热性，在密度为0.919g/cm3以下的情况下，能够抑制结晶度的过度上升，提高基材膜的各向同性。
[0027]另外，直链状低密度聚乙烯的熔体质量流动速率(MFR)优选为1.0～6.0g/10分钟，更优选为1.5～4.0g/10分钟，进一步优选为2.0～3.0g/10分钟。这是因为，在熔体质量流动速率(MFR)为1.0g/10分钟以上的情况下，分子量不会过大且能够提高柔软性和加工性，而在熔体质量流动速率(MFR)为6.0g/10分钟以下的情况下，分子量不会过小且能够提高耐热性。
[0028]需要说明的是，上述的熔体质量流动速率通过根据JIS K7210：1999的规定进行测定来得到。
[0029]综上所述，通过使用直链状低密度聚乙烯作为形成基材膜的树脂，能够提供耐热性和各向同性优异的基材膜。
[0030]<与乙烯共聚而成的嵌段聚丙烯、将丙烯单独进行聚合而成的均聚聚丙烯>
[0031]作为聚丙烯，通常可举出：将丙烯单独进行聚合而成的均聚聚丙烯；将乙烯与丙烯共聚而成的无规聚丙烯；以及，在将均聚聚丙烯聚合后，在均聚聚丙烯的存在下，将乙烯与丙烯共聚而成的嵌段聚丙烯(与乙烯共聚而成的嵌段聚丙烯)。
[0032]其中，无规聚丙烯的立构规整性低、结晶度低，因此虽然柔软性优异，但是熔点低。
[0033]另一方面，均聚聚丙烯由于立构规整性高、且有助于熔点的结晶度高，因此耐热性优异。另外，均聚聚丙烯由于结晶度高，因此刚性高，而通过与上述的直链状低密度聚乙烯混合，能够得到有助于基材膜的扩展性的柔软性。
[0034]另外，与乙烯共聚而成的嵌段聚丙烯是由丙烯和乙烯构成的嵌段聚丙烯，具有聚
乙烯(岛成分)分散在均聚聚丙烯(海成分)中的海岛结构，且在聚乙烯周围具有EPR相(橡胶相)。因此，在保有均聚聚丙烯所具有的耐热性的同时，在海岛的边界线部形成有EPR相，因此柔软性优异。
[0035]基于上述情况，作为形成基材膜的树脂，在使用上述的直链状低密度聚乙烯的同时，使用与乙烯共聚而成的嵌段聚丙烯或将丙烯单独进行聚合而成的均聚聚丙烯，由此能够提供耐热性和各向同性优异的基材膜。
[0036]<基材膜>
[0037]关于基材膜中的直链状低密度聚乙烯和与乙烯共聚而成的嵌段聚丙烯(或将丙烯单独进行聚合而成的均聚聚丙烯)的配合比，只要不损害本专利技术的基材膜的特征，就没有特别限制。此处，从更进一步提高基材膜的耐热性和各向同性的观点出发，上述配合比以质量比计优选为直链状低密度聚乙烯：嵌段聚丙烯(或均聚聚丙烯)＝30：70～90：10的范围，更优选为40：60～80：20的范围，进一步优选为50：50～80：20的范围。
[0038]另外，在将基材膜整体设为100质量份的情况下，包含直链状低密度聚乙烯和与乙烯共聚而成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种切割带用基材膜，其特征在于，所述切割带用基材膜包含：直链状低密度聚乙烯；和，与乙烯共聚而成的嵌段聚丙烯或将丙烯单独进行聚合而成的均聚聚丙烯。2.根据权利要求1所述的切割带用基材膜，其特征在于，所述直链状低密度聚乙烯与所述嵌段聚丙烯的质量比为直链状低密度聚乙烯：嵌段聚丙烯＝30：70～90：10。3.根据权利要求1所述的切割带用基材膜，其特征在于，所述直链状低密...

【专利技术属性】
技术研发人员：石本享之，味口阳介，小野仁美，
申请(专利权)人：日本他喜龙希爱株式会社，
类型：发明
国别省市：