一种大功率开关磁阻变频器结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率开关磁阻变频器结构，包括SR1散热片、SR2散热片、SR3散热片与SR4散热片，所述SR4散热片上设有Q1IGBT、D1二极管、Q2IGBT与D2二极管，所述SR3散热片上设有Q3IGBT、D3二极管、Q4IGBT与D4二极管，所述SR2散热片上设有Q5IGBT、D5二极管、Q6IGBT与D6二极管。本实用新型专利技术减小了单个散热片的面积，利于生产加工并减低加工成本，而且拆修方便，相比传统结构，极大地降低了检修所需要的时间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率开关磁阻变频器结构


[0001]本技术涉及变频器
，尤其涉及一种大功率开关磁阻变频器结构。

技术介绍

[0002]开关磁阻电机因其转子结构简单、启动电流小、起动转矩大等优势，在一些特种行业(比如电动螺旋压力机)得到广泛切不可替代的应用。随着这类行业的发展，所需的开关磁阻电机的功率不断增大，目前国内能做到的开关磁阻电机已经到了630kW这一功率段。随着开关磁阻电机功率的增加，电机配套用变频器的功率也在不断增加。
[0003]传统的单散热片结构设计存在以下问题：1、单散热片体积过大，对加工设备要求过高，加工成本太高；2、单散热片风道长度过长，风阻大，散热片整体散热效果较差，有时甚至需要铜基材的散热片，成本大幅度提高；3、单散热片安装到柜体中，需要精确计算其重心，用以保持柜体的平衡，结构设计过于繁琐；4、单散热片上安装IGBT等功率元件，结构堆叠复杂，不利于变频器的后期维护。
[0004]为了解决上述问题，需要设计一种大功率开关磁阻变频器结构。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种大功率开关磁阻变频器结构。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0007]一种大功率开关磁阻变频器结构，包括SR1散热片、SR2散热片、SR3散热片与SR4散热片，所述SR4散热片上设有Q1IGBT、D1二极管、Q2IGBT与D2二极管，所述SR3散热片上设有Q3IGBT、D3二极管、Q4IGBT与D4二极管，所述SR2散热片上设有Q5IGBT、D5二极管、Q6IGBT与D6二极管。
[0008]优选地，所述Q1IGBT与D1二极管构成A相上桥臂功率电路，所述Q2IGBT与D2二极管构成A相下桥臂功率电路。
[0009]优选地，所述Q3IGBT与D3二极管构成B相上桥臂功率电路，所述Q4IGBT与D4二极管构成B相下桥臂功率电路。
[0010]优选地，所述Q5IGBT与D5二极管构成C相上桥臂功率电路，所述Q6IGBT与D6二极管构成C相下桥臂功率电路。
[0011]优选地，所述SR1散热片下端设有FJ1风道，所述SR2散热片下端设有FJ2风道，所述SR3散热片下端设有FJ3风道，所述SR4散热片下端设有FJ4风道。
[0012]优选地，所述SR1散热片上设有制动IGBT模块，所述SR1散热片上设有三相整流桥。
[0013]本技术具有以下有益效果：
[0014]1、本技术设置有多个独立的散热片，减小了单个散热片的面积，利于生产加工并减低加工成本；
[0015]2、本技术上的每个散热片及安装在表面的元器件构成一个简单的小系统，互
为独立，拆修方便，相比传统结构，极大地降低了检修所需要的时间；
[0016]3、本技术在每个散热片上都设有单独的风道，热循环效率比单散热片系统进一步得到提高，散热效果更佳；
[0017]4、本技术降低了对散热风机风速和风压的要求，延长了散热风机的使用寿命，变相降低了维护成本。
附图说明
[0018]图1为本技术提出的一种大功率开关磁阻变频器结构的结构示意图；
[0019]图2为本技术提出的一种大功率开关磁阻变频器结构的功率回路拓扑结构。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0021]参照图1
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2，一种大功率开关磁阻变频器结构，包括SR1散热片、SR2散热片、SR3散热片与SR4散热片，SR1散热片下端设有FJ1风道，用于SR1散热片的对流散热，SR1散热片上设有制动IGBT模块，SR1散热片上设有三相整流桥；SR4散热片上设有Q1IGBT、D1二极管、Q2IGBT与D2二极管，Q1IGBT与D1二极管构成A相上桥臂功率电路，Q2IGBT与D2二极管构成A相下桥臂功率电路，Q1IGBT、Q2IGBT、D1二极管和D2二极管构成了开关磁阻用变频器A相完整的功率回路，SR4散热片下端设有FJ4风道，用于SR4散热片的对流散热；SR3散热片上设有Q3IGBT、D3二极管、Q4IGBT与D4二极管，Q3IGBT与D3二极管构成B相上桥臂功率电路，Q4IGBT与D4二极管构成B相下桥臂功率电路，Q3IGBT、Q4IGBT、D3二极管和D4二极管构成了开关磁阻用变频器B相完整的功率回路，SR3散热片下端设有FJ3风道，用于SR3散热片的对流散热；SR2散热片上设有Q5IGBT、D5二极管、Q6IGBT与D6二极管，Q5IGBT与D5二极管构成C相上桥臂功率电路，Q6IGBT与D6二极管构成C相下桥臂功率电路，Q5IGBT、Q6IGBT、D5二极管和D6二极管构成了开关磁阻用变频器C相完整的功率回路，SR2散热片下端设有FJ2风道，用于SR2散热片的对流散热。
[0022]上文中，IGBT指的是绝缘栅双极性晶闸管。
[0023]本技术可通过以下操作方式阐述其功能原理：本技术通过设置多个散热片，能够减小单个散热片的面积，利于生产加工并减低加工成本20％，每个散热片及安装在表面的IGBT与二极管等元器件构成一个简单的小系统，互为独立，拆修方便，相比传统结构，可以将检修时间降低80％以上，并且，每个散热片上有自身独立的风道，热循环效率比单散热片系统提高25％～30％，散热效果更好。
[0024]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率开关磁阻变频器结构，包括SR1散热片、SR2散热片、SR3散热片与SR4散热片，其特征在于：所述SR4散热片上设有Q1IGBT、D1二极管、Q2IGBT与D2二极管，所述SR3散热片上设有Q3IGBT、D3二极管、Q4IGBT与D4二极管，所述SR2散热片上设有Q5IGBT、D5二极管、Q6IGBT与D6二极管。2.根据权利要求1所述的一种大功率开关磁阻变频器结构，其特征在于：所述Q1IGBT与D1二极管构成A相上桥臂功率电路，所述Q2IGBT与D2二极管构成A相下桥臂功率电路。3.根据权利要求1所述的一种大功率开关磁阻变频器结构，其特征在于：所述Q3IGBT与D3二极管构成B相...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志宏，齐霞，孙小梅，
申请(专利权)人：山东翔讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：