【技术实现步骤摘要】
单波长半导体激光器自动电流控制系统
[0001]本技术涉及一种半导体激光器自动电流控制系统，用背向探测器的电流形成负反馈来控制激光器驱动电流，以达到恒流控制的目的，属于自动化控制领域。
技术介绍
[0002]半导体激光器作为一种重要的光源，在多种领域得到广泛的应用。实际应用中，半导体激光器会受到外加电源电压和温度变化影响，导致器输出功率的波动。此时，如果一味改变激光器的驱动电流，则可能会超过激光器的驱动阈值电流，使激光器性能急剧下降而损坏失效。因此，对半导体激光器驱动电路的稳定性和调制精度要求很高。
[0003]常规的半导体激光器设计有限压和限流模块，确保激光器LD工作在极限电压、电流范围之内。这种设计一般由单片机控制高精度的数/模转换器，外加分立器件来保证输出功率的稳定性，电路结构复杂、成本高、稳定性差。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是：保证半导体激光器安全可靠运行。
[0005]为了达到上述目的，本技术的技术方案是提供了一种单波长半导体激光器自动电流控制系统，所述单波长半导体激光...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单波长半导体激光器自动电流控制系统，所述单波长半导体激光器具有激光器LD和背向光探测器PD，激光器LD的阴极管脚以及背向光探测器PD的阳极管脚接地，激光器LD的阳极管脚LD+及背向光探测器PD的阴极管脚PD
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接正电压，其特征在于，所述自动电流控制系统包括镜像电流源电路、基准电压供给电路、N通道MOSFET Q7以及电阻R2，其中：镜像电流源电路的输入端连接恒压源DVDD，并具有两个输出端，镜像电流源电路的两个输出端输出的电流呈镜像关系；镜像电流源电路的一个输出端与激光器LD的阳极管脚LD+相连，另一个输出端连接N通道MOSFET Q7的漏极；基准电压供给电路提供的基准电压与耦合至背向光探测器PD的阴极管脚PD
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的光电流流经电阻R2后形成的电压差共同加载至N通道MOSFET Q7的栅极，N通道MOSFET Q7的源极接地。2.如权利要求1所述的一种单波长半导体激光器自动电流控制系统，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵番，司俊，朱旭晨，李晓军，
申请(专利权)人：上海市特种设备监督检验技术研究院，
类型：新型
国别省市：
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