一种真空灭弧室制造技术

本发明专利技术涉及高压真空开关领域，公开了一种真空灭弧室。它包括：绝缘外壳结构，以及设置在绝缘外壳结构内的静触头、静导电杆、动触头、动导电杆，其特征在于，所述绝缘外壳结构包含外露屏蔽罩，外露屏蔽罩两端分别连接有第一陶瓷外壳和第二陶瓷外壳；所述静触头位于外露屏蔽罩内，与静导电杆的一端固定，静导电杆的另一端与设置在第一陶瓷外壳外端部的端盖固定连接；所述动触头位于外露屏蔽罩内，与动导电杆的一端固定，动导电杆的另一端滑动贯穿设置在第二陶瓷外壳外端部的端盖；所述第一和第二陶瓷外壳的内壁上设置有多个均衡屏蔽罩。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高压真空开关领域，特别涉及一种真空灭弧室。
技术介绍
在高电压等级，国内都是SF6的电力设备，SF6气体虽然具有很好的高 压特性，但SF6气体本身就是温室气体，加之开断后的分解物对人身有害， 并且设备内充有一定的压力而具有压力容器的危害性，特别在寒冷地区，SF6 气体出现液化现象影响开关设备的实际性能，危及电力电网的正常运行。因 此全球范围都在寻找可以减少其排放的可能性以及替换的可能性。真空技术在中压等级(3.6kV 40.5kV)日益成熟，鉴于真空开关具有的 诸多优势如优良的防爆性能，安全可靠性高；优良的环保性能；检修周期 长；操作功小，环境噪音小；低环境气温下不会出现液化现象而影响开断和 绝缘性能。因此，探索高电压真空应用技术，尤其是真空灭弧室，具有重要 意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种真空灭弧室，它能够提高高压开关或断路器 的耐压水平和开断能力。为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案予以实现 一种真空灭弧 室，包括绝缘外壳结构，以及设置在绝缘外壳结构内的静触头、静导电杆、 动触头、动导电杆，其特征在于，所述绝缘外壳结构包含外露屏蔽罩，外露 屏蔽罩两端分别连接有第一陶瓷外壳和第二陶瓷外壳；所述静触头位于外露 屏蔽罩内，与静导电杆的一端固定，静导电杆的另一端与设置在第一陶瓷外壳外端部的端盖固定连接；所述动触头位于外露屏蔽罩内，与动导电杆的一 端固定，动导电杆的另一端滑动贯穿设置在第二陶瓷外壳外端部的端盖；所 述第一和第二陶瓷外壳的内壁上设置有多个均衡屏蔽罩。 本专利技术的进一步改进和特点在于-所述均衡屏蔽罩设置在第一和第二陶瓷外壳的内壁中间，其结构为径向 相对的两个半圆筒，半圆筒的两个轴向自由端向内巻边。所述均衡屏蔽罩设置在第一和第二陶瓷外壳靠近外端部的内壁上，其结 构为径向相对的两个半圆筒，半圆筒远离所述外端部的轴向自由端向内巻边。所述第二陶瓷外壳内设置有波纹管，所述动导电杆贯穿波纹管，波纹管 的一端固定在所述第二陶瓷外壳外端部的端盖内侧，另一端固定在所述动导 电杆上。所述动、静触头的电极结构为沿直径方向通过加强筋连接的圆环，与所 述强筋垂直且在圆环的径向设置有两个凸耳，所述加强筋与两个凸耳之间均 有一缝隙。所述第一、第二陶瓷外壳与外露屏蔽罩分别通过过渡环焊接成一体。 所述均衡屏蔽罩与第一或第二陶瓷外壳通过过渡环焊接在一起。 所述均衡屏蔽罩由无氧铜制成。 所述外露屏蔽罩由不锈钢材料制成。由于本专利技术的在第一和第二陶瓷外壳的内壁上设置有多个均衡屏蔽罩， 能够均衡真空灭弧室内部触头间的电场分布，保证绝缘外壳能够承受更高的 电压，在保证开断性能的前提下大大缩小了真空灭弧室的直径，而且还具有 承接喷溅的电弧生成物的作用；均衡屏蔽罩的轴向自由端向内巻边，还能够 起到分割电弧的作用。附图说明图1为采用本专利技术的126kV真空灭弧室结构示意图； 图2为图1的绝缘外壳结构的连接示意图； 图3为图1中均衡屏蔽罩的安装示意图；图4为动、静触头的电极结构图中，l为端盖，2为静导电杆，3为第一陶瓷外壳，4为第二陶瓷外壳， 5为静触头，6为外露屏蔽罩，7为动触头，8为动导电杆，9为波纹管，10 为均衡屏蔽罩，ll为过渡环，12为圆环，13为加强筋，14为凸耳。具体实施例方式以下结合附图及实施例对本专利技术作进一步的详细说明。参照图l， 一种126kV真空灭弧室，包括绝缘外壳结构，以及设置在 绝缘外壳结构内的静触头5、静导电杆2、动触头7、动导电杆8。绝缘外壳 结构包含外露屏蔽罩6，外露屏蔽罩6两端分别通过焊接连接有第一陶瓷外 壳3和第二陶瓷外壳4。采用外露屏蔽罩6，可以获得稳定的开断环境。静触头5位于外露屏蔽罩6内，与静导电杆2的一端焊接固定，静导电 杆2的另一端与设置在第一陶瓷外壳3外端部的端盖1固定连接。动触头7 位于外露屏蔽罩6内，与动导电杆8的一端焊接固定，动导电杆8的另一端 滑动贯穿设置在第二陶瓷4外壳外端部的端盖1 。第一和第二陶瓷外壳3、 4的内壁上焊接有多个均衡屏蔽罩10。焊接在 第一和第二陶瓷外壳3、 4的内壁中间的均衡屏蔽罩10，其结构为径向相对 的两个半圆筒，半圆筒的两个轴向自由端向内巻边。焊接在第一和第二陶瓷 外壳3、 4靠近外端部的内壁上的均衡屏蔽罩10，其结构为径向相对的两个 半圆筒，半圆筒远离陶瓷外壳外端部的轴向自由端向内巻边。采用多个均衡 屏蔽罩IO，可以获得可靠的绝缘水平。第二陶瓷外壳4内设置有波纹管9，动导电杆8贯穿波纹管9，波纹管9 的一端固定在第二陶瓷外壳4外端部的端盖1内侧，另一端固定在所述动导 电杆8上。这样，既保证了气密性又保证了运动的可靠性。参照图2，第一、第二陶瓷外壳3、 4与外露屏蔽罩10通过过渡环11焊 接成一体，外露屏蔽罩IO采用不锈钢，不仅承接喷溅的电弧生成物而且均衡 真空灭弧室内部触头间的电场分布，保证开断性能的前提下大大縮小了真空 灭弧室的直径。参照图3，均衡屏蔽罩10采用无氧铜制成，通过过渡环ll焊接在第一、 第二陶瓷外壳3、 4内壁，均衡了内部的电场结构，使整个真空灭弧室的电场 得到了优化分布，保证绝缘外壳能够承受更高的电压。参照图4，动、静触头的电极结构为沿直径方向通过加强筋13连接的圆 环12,与加强筋13垂直且在圆环12的径向设置有两个凸耳14，加强筋13 与两个凸耳14之间均有一缝隙。这样的电极结构相当于四个电极并联，如图 中电流I的流向，合理安排了电极的电流流向，实现了数个电极并联的目的， 可以获得高的开断能力。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空灭弧室，包括：绝缘外壳结构，以及设置在绝缘外壳结构内的静触头、静导电杆、动触头、动导电杆，其特征在于，所述绝缘外壳结构包含外露屏蔽罩，外露屏蔽罩两端分别连接有第一陶瓷外壳和第二陶瓷外壳；所述静触头位于外露屏蔽罩内，与静导电杆的一端固定，静导电杆的另一端与设置在第一陶瓷外壳外端部的端盖固定连接；所述动触头位于外露屏蔽罩内，与动导电杆的一端固定，动导电杆的另一端滑动贯穿设置在第二陶瓷外壳外端部的端盖；所述第一和第二陶瓷外壳的内壁上设置有多个均衡屏蔽罩。

【技术特征摘要】
1、一种真空灭弧室，包括绝缘外壳结构，以及设置在绝缘外壳结构内的静触头、静导电杆、动触头、动导电杆，其特征在于，所述绝缘外壳结构包含外露屏蔽罩，外露屏蔽罩两端分别连接有第一陶瓷外壳和第二陶瓷外壳；所述静触头位于外露屏蔽罩内，与静导电杆的一端固定，静导电杆的另一端与设置在第一陶瓷外壳外端部的端盖固定连接；所述动触头位于外露屏蔽罩内，与动导电杆的一端固定，动导电杆的另一端滑动贯穿设置在第二陶瓷外壳外端部的端盖；所述第一和第二陶瓷外壳的内壁上设置有多个均衡屏蔽罩。2、 根据权利要求1所述的一种真空灭弧室，其特征在于，所述均衡屏 蔽罩设置在第一和第二陶瓷外壳的内壁中间，其结构为径向相对的两个半圆 筒，半圆筒的两个轴向自由端向内巻边。3、 根据权利要求1所述的一种真空灭弧室，其特征在于，所述均衡屏 蔽罩设置在第一和第二陶瓷外壳靠近外端部的内壁上，其结构为径向相对的 两个半圆筒，半圆筒远离所述外端部的轴向...

【专利技术属性】
技术研发人员：元复兴，颜莉萍，于文瑛，潘峰，
申请(专利权)人：中国西电电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]