【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置及其调节方法
[0001]本专利技术涉及等离子体刻蚀领域，具体涉及一种等离子体处理装置及其调节方法。
技术介绍
[0002]等离子体处理装置为利用真空反应室的原理对半导体基片进行处理加工。在等离子体处理进程中，等离子体具有扩散性，充满整个真空反应腔腔室，但是在现有的等离子体处理装置中，仍然存在诸多可能引起刻蚀不对称的因素，如腔体侧壁传输基片的基片传输口，下电极组件中各种接头的非对称分布等，甚至还有些很多未知的接触面电容的变化，都会有可能导致刻蚀结果的不对称。各接头之间的非对称分布可通过重新设计调节来改善对称性以及刻蚀工艺稳定性，但是像基片传输口这种无法避免的固定不对称因素，其对电容分布的影响很难调节。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种等离子体处理装置及其调节方法，在等离子体约束装置和接地环之间设置调节装置，通过调节装置改变两者不同相位角上的间距以调节两者之间的电容大小，可以对一些刻蚀工艺实现对称性补偿，以得到最优的工艺对称性效果。
[0004]为了达到上述目的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：真空反应腔，包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁设有基片传输口；下电极组件，设于所述真空反应腔内底部；等离子体约束装置，设于所述下电极组件的外围；接地环，设置于所述等离子体约束装置下方；调节装置，用于调节所述基片传输口周围所述等离子体约束装置和所述接地环之间不同相位角上的间距以改变两者之间的电容大小。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述接地环水平放置；所述等离子体约束装置的倾斜角度小于1度。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述调节装置包含一行星齿轮结构，其具体包含：外齿轮，所述外齿轮的上表面有高度差，所述外齿轮的上表面与所述等离子体约束装置的底部接触；内齿轮，设置于所述等离子体约束装置与接地环之间，所述内齿轮与所述外齿轮接触并带动所述外齿轮转动；传动轴，其顶部与所述内齿轮连接，其底部伸出所述真空反应腔。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述外齿轮上表面包含一个凸点，以使所述外齿轮上表面有高度差。5.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述外齿轮上表面至少包含三个凸点，以使所述外齿轮上表面有高度差。6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，三个所述凸点沿外齿轮的周向上均匀分布，其中一个所述凸点的高度高于另外两个所述凸点的高度，且另外两个所述凸点的高度相同。7.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述外齿轮上表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨金全，黄允文，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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