【技术实现步骤摘要】
电路保护装置
[0001]本技术的实施例涉及电路保护装置领域,更具体地说,涉及一种用于浪涌保护的金属氧化物压敏电阻堆叠。
技术介绍
[0002]过压保护装置被用于保护电子电路和元件免受由于过压故障状况而引起的损坏。过压保护装置可以包括金属氧化物变阻器(MOV),其连接在要保护的电路和地线之间。变阻器是与电压相关的非线性装置,其电气特性类似于背靠背齐纳二极管。变阻器主要由氧化锌ZnO组成,并少量添加其他金属氧化物,诸如铋、钴、锰等。MOV在制造操作过程中烧结成陶瓷半导体,并形成晶体微结构,其允许MOV在整个装置的体积上耗散非常高水平的瞬态能量。因此,MOV通常用于工业或交流AC线路应用中雷电和其他高能量瞬变的抑制。此外,MOV还用于直流DC电路,诸如低压电源和汽车应用。它们的制造工艺允许许多不同的外形尺寸,其中径向引线盘是最常见的。
[0003]变阻器主体结构由晶界隔开的导电氧化锌晶粒的基质组成,提供了P
‑
N结半导体特性。这些晶界负责在低电压下阻断传导,并且是高电压下非线性导电的来源。MOV的对称、尖锐击穿特性使其能够提供优良的瞬态电压抑制性能。当暴露于高电压瞬变时,变阻器阻抗变化了多个数量级,从近乎开路到高导电水平,从而将瞬态电压钳制到安全水平。输入的瞬态脉冲的潜在破坏性能量被MOV吸收,从而保护易受损害的电路元件。
[0004]元件小型化增加了对电应力的敏感性。例如,微处理器的结构和导电路径无法处理静电放电(ESD)瞬时形成的大电流。这些元件在极低的电压下工作,因此必须控制电压干 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电路保护装置,其特征在于,包括:第一金属氧化物变阻器,所述第一金属氧化物变阻器包括第一圆角矩形立方体,所述第一圆角矩形立方体具有:具有第一表面积的第一侧;具有所述第一表面积的第二侧;耦合到所述第一侧的第一金属端子;第二金属氧化物变阻器,包括第二圆角矩形立方体,所述第二圆角矩形立方体具有:具有所述第一表面积的第三侧;和具有所述第一表面积的第四侧;第二金属端子,耦合在所述第二侧和所述第三侧之间;以及第三金属端子,耦合到所述第四侧。2.根据权利要求1所述的电路保护装置,其特征在于,所述第一金属端子还包括:固定地附接到所述第一侧的矩形部分;和延伸至所述第一金属氧化物变阻器的边缘之外的腿部;其中所述矩形部分和所述腿部形成q形。3.根据权利要求2所述的电路保护装置,其特征在于,所述第一金属端子布置在所述第一金属氧化物变阻器的第一侧上,使得所述矩形部分与所述第一金属氧化物变阻器的边缘是等距的。4.根据权利要求1所述的电路保护装置,其特征在于,所述第二金属端子还包括:固定地附接在所述第二侧和所述第三侧之间的矩形部分;和延伸至所述第一金属氧化物变阻器的边缘之外和所述第二金属氧化物变阻器的第二边缘之外的腿部;其中所述矩形部分和所述腿部形成p形。5.根据权利要求4所述的电路保护装置,其特征在于,所述第二金属端子布置在所述第一金属氧化物变阻器的第二侧和所述第二金属氧化物变阻器的第三侧上,使得所述矩形部分与所述第一金属氧化物变阻器的边缘和所述第二金属氧化物变阻器的第二边缘是等距的。6.根据权利要求1所述的电路保护装置,其特征在于,所述第三金属端子还包括:固定地附接到所述第四侧的矩形部分;延伸至所述第一金属氧化物变阻器的边缘和所述第二金属氧化物变阻器的第二边缘之外的腿部;其中所述矩形部分和所述腿部形成q形。7.根据权利要求1所述的电路保护装置,其特征在于,所述第一金属端子建立第一相线连接,所述第二金属端子建立组合的零线/底线连接,以及所述第三金属端子建立第二相线连接,其中所述第一相线连接、所述组合的零线/地线连接以及所述第二相线连接使得所述电路保护装置能够被耦合在电源和要保护的装置或电路之间。8.一种电路保护装置,其特征在于,包括:第一金属端子;第一金属氧化物变阻器,所述第一金属端子固定地附接到所述第一金属氧化物变阻
器;第二金属端子;第二金属氧化物变阻器,所述第二金属端子固定地附接到所述第二金属氧化物变阻器;第三金属端子;和第三金属氧化物变阻器,所述第三金属端子固定地附接到所述第三金属氧化物变阻器;其中所述第二金属端子设置在所述第二金属氧化物变阻器和所述第三金属氧化物变阻器之间。9.根据权利要求8所述的电路保护装置,其特征在于,所述第一金属端子和所述第三金属端子为q形,并且所述第二金属端子为p形。10.根据权利要求8所述的电路保护装置,其特征在于,还包括:第一金属部分,固定地附接在所述第一金属氧化物变阻器和所述第二金属氧化物变阻器之间;绝缘体;以及第二金属部分,固定地附接在所述第三金属氧化物变阻器和所述绝缘体之间。11.根据权利要求10所述的电路保护装置,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐海浪,宋东健,刘树英,
申请(专利权)人:东莞令特电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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