一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构，涉及微波功率器件技术领域。一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构，包括基板，所述基板顶部固定连接有固定机构，所述固定机构包括固定框，所述固定框内部固定连接有盖板，所述盖板顶部固定连接有固定块，所述盖板外侧均固定连接有第二斜块，所述固定框内部均固定连接有第一斜块，且第二斜块和第一斜块相适配，所述固定框内部开设有凹槽，所述凹槽内部均固定连接有限位块。本实用新型专利技术通过固定框、盖板和橡胶垫的设置，实现了能够通过固定框、盖板和橡胶垫的配合，进而使得不需要利用冲压设备便可将管帽固定密封，进而避免了在冲压设备下工作的安全隐患。而避免了在冲压设备下工作的安全隐患。而避免了在冲压设备下工作的安全隐患。

【技术实现步骤摘要】
一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构


[0001]本技术涉及微波功率器件
，具体为一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构。

技术介绍

[0002]氮化镓属第三代半导体材料，六角纤锌矿结构，是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一，器件1990年开始用于发光二极管中，开启了其商业化大门，氮化镓具有作为一种宽禁带半导体，其具有禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子迁移速率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特性，适合制作高频、大功率、高密度集成和抗辐射的电子器件，广泛应用智能电网、高速轨道交通等电力电子领域及5G基站、雷达等微波射频，在电子器件领域，氮化镓更适合高频、高功率、低压应用领域，在射频应用方面，氮化镓具有更高的电子饱和漂移速度和更大的禁带宽度，导通损耗较低，适用于大功率、高频的射频应用。
[0003]在利用氮化镓制作微波功率器件时，往往采用陶瓷材料做管帽结构，陶瓷材料特别昂贵，为此提出一种成本低廉的LCP材料作为GaN微波功率器件的管帽结构。而LCP材料的管帽结构如何设计，散热结构如何处理，则成为本行业技术人员的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)顶部固定连接有固定机构(2)，所述固定机构(2)包括固定框(201)，所述固定框(201)内部固定连接有盖板(207)，所述盖板(207)顶部固定连接有固定块(203)，所述盖板(207)外侧均固定连接有第二斜块(214)，所述固定框(201)内部均固定连接有第一斜块(210)，且第二斜块(214)和第一斜块(210)相适配。2.根据权利要求1所述的一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构，其特征在于：所述固定框(201)内部开设有凹槽(205)，所述凹槽(205)内部均固定连接有限位块(212)，所述限位块(212)内部开设有滑动槽(215)，所述滑动槽(215)内部滑动连接有滑动条(213)，且滑动条(213)一侧和盖板(207)固定连接，所述凹槽(205)底部固定连接有橡胶垫(206)，且橡胶垫(206...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎荣林，王静辉，崔健，段磊，郭跃伟，
申请(专利权)人：河北博威集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：