一种硅基有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法，硅基有源矩阵式有机发光显示器的阳极结构包括基板和依次生长在基板上的反射阳极金属层和像素隔离层，反射阳极金属层在基板形成台阶结构，像素隔离层覆盖在相邻反射阳极金属层间的基板上，像素隔离层将反射阳极金属层分隔成若干个相互隔离的像素电极；制作方法包括反射阳极金属层和像素隔离层采用两次图形化方式制作。本发明专利技术在提升阳极台阶结构高度的基础上，避免了像素边缘与有机膜层的接触，可降低像素间的电学串扰，实现高色域，并且避免器件的显示缺陷。并且避免器件的显示缺陷。并且避免器件的显示缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法


[0001]本专利技术属于OLED显示器
，具体涉及一种硅基有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法。

技术介绍

[0002]有机发光二极管（OLED）显示器是一种通过使用发光的有机发光二极管来显示图像的自发光显示装置，由于其轻薄、能耗低、色域高等优势，被广泛应用于手机和电视领域。而硅基OLED微显示器由于使用单晶硅作为其驱动背板，载流子迁移率高，可以实现非常高的分辨率，在AR、VR领域有着广泛的应用前景。相较于玻璃基版的OLED采用底发光方案，硅基OLED器件采用顶发光的方案，因此需要高反射率的阳极，以达到器件的高亮度，通常采用Al或Ag来实现高反射效果，并且利用光刻和干法刻蚀的方式实现反射阳极的图形化。同时，由于器件分辨率高，传统的精细金属掩膜版（FMM）已无法实现良好对准，因此在有机蒸发时采用整面蒸发的方案，这就造成了以下两个问题：一是在干法刻蚀金属形成的像素边缘，由于其状态不同于反射阳极正面，并且存在台阶，在后续有机材料的蒸发中，将很大程度上影响台阶处与反射阳极正面有机材料的厚度，其与台阶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基有源矩阵式有机发光显示器，其特征在于，其阳极结构包括基板（3）和依次生长在基板（3）上的高反射阳极金属层（1）和像素隔离层（2），高反射阳极金属层（1）在基板（3）形成台阶结构，像素隔离层（2）覆盖在相邻高反射阳极金属层（1）间的基板（3）上，像素隔离层（2）将高反射阳极金属层（1）分隔成若干个相互隔离的像素电极。2.根据权利要求1所述的一种硅基有源矩阵式有机发光显示器，其特征在于，所述像素隔离层（2）还覆盖在高反射阳极金属层（1）的侧壁和高反射阳极金属层（1）的凸起台阶面边缘，高反射阳极金属层（1）的凸起台阶面上的像素隔离层（2）不连通。3.根据权利要求1所述的一种硅基有源矩阵式有机发光显示器，其特征在于，所述像素隔离层（2）的材质为氧化硅或氮化硅，厚度范围为50nm~500nm。4.根据权利要求3所述的一种硅基有源矩阵式有机发光显示器，其特征在于，所述像素隔离层（2）通过物理气相沉积、化学气象沉积或原子层沉积的方式制作，图形化过程后，所述像素隔离层（2）侧壁的角度范围为30
°
~90
°
。5.根据权利要求1所述的一种硅基有源矩阵式有机发光显示器，其特征在于，所述高反射阳极金属层（1）的材质为铝，厚度范围为50nm~300nm。6.根据权利要求5所述的一种硅基有源矩阵式有机发光显示器，其特征在于，所述高反射阳极金属层（1）通过物理气相沉积或电子束蒸发的方式制作，图形化过程后，所述高反射阳极金属层（1）侧壁的角度范围为45
°...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛咏，杨建兵，张阳，秦昌兵，彭劲松，
申请(专利权)人：南京国兆光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：