一种PWM控制方法和装置制造方法及图纸

本申请提供了一种PWM控制方法和装置，该方法包括：获取逆变电路中N个功率半导体器件的结温，N为大于1的整数；当N个功率半导体器件中M个功率半导体器件的结温大于第一阈值时，向调制波注入共模电压，共模电压用于减小所述M个功率半导体器件中K个功率半导体器件的导通占空比，K为大于0且小于或者等于M的整数，M为大于0且小于或者等于N的整数；根据注入共模电压后的调制波，发出控制信号。在上述技术方案中，通过在调制波中注入共模电压，调整逆变电路中功率半导体器件的导通占空比，可以实现合理分配逆变电路中功率半导体器件的损耗，有助于降低功率半导体器件损坏的概率，从而提高系统的安全性。系统的安全性。系统的安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种PWM控制方法和装置


[0001]本申请涉及电力电子
，并且具体地，涉及一种脉冲宽度调制(pulse width modulation，PWM)控制方法和装置。

技术介绍

[0002]对于应用逆变电路的系统，当逆变电路的调制比、输出功率因数或输出频率较小时，逆变电路中的电流可以看作是直流，会出现逆变电路中的部分功率半导体器件持续承担该电流的情况。承担该电流的功率半导体器件损耗会比较大，而不承担该电流的功率半导体器件损耗几乎为0。也就是说，逆变电路中的功率损耗非常不均匀。这样，有可能会导致个别功率半导体器件损耗超标，进而导致功率半导体器件结温过高，引起功率半导体器件损坏，影响系统的安全。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种PWM控制方法和装置，能够调整逆变电路中功率半导体器件的导通占空比，可以实现合理分配逆变电路中功率半导体器件的损耗，有助于降低功率半导体器件损坏的概率，从而提高系统的安全性。
[0004]第一方面，本申请提供了一种PWM控制方法，所述方法可以由PWM控制装置执行，该PWM控制装置可以是独立本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PWM控制方法，其特征在于，所述方法包括：获取逆变电路中N个功率半导体器件的结温，N为大于1的整数；当所述N个功率半导体器件中M个功率半导体器件的结温大于第一阈值时，向调制波注入共模电压，所述调制波用于生成控制所述N个功率半导体器件中至少部分功率半导体器件的开通或者关断的信号，所述共模电压用于减小所述M个功率半导体器件中K个功率半导体器件的导通占空比，K为大于0且小于或者等于M的整数，M为大于0且小于或者等于N的整数；根据注入共模电压后的所述调制波，发出控制信号，所述控制信号用于控制所述至少部分功率半导体器件的开通或者关断。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述共模电压还用于增大P个功率半导体器件的导通占空比，所述P个功率半导体器件属于所述N功率半导体器件中除所述M个功率半导体器件以外的功率半导体器件，P为大于0的整数。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述当所述N个功率半导体器件中M个功率半导体器件的结温大于第一阈值时，向调制波注入共模电压，包括：当所述N个功率半导体器件中M个功率半导体器件的结温大于所述第一阈值且所述逆变电路的调制比低于第二阈值时，向所述调制波注入所述共模电压；或者，当所述N个功率半导体器件中M个功率半导体器件的结温大于所述第一阈值且所述逆变电路的输出功率因数低于第三阈值时，向所述调制波注入所述共模电压；或者，当所述N个功率半导体器件中M个功率半导体器件的结温大于所述第一阈值且所述逆变电路的输出频率低于第四阈值时，向所述调制波注入所述共模电压。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述N个功率半导体器件一一对应于N个所述第一阈值，所述M个功率半导体器件中的每个功率半导体器件的结温大于所述功率半导体器件对应的第一阈值。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述逆变电路为单相或多相逆变电路。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述逆变电路采用两电平拓扑结构或多电平拓扑结构。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，当所述逆变电路采用I型三电平拓扑结构或T型三电平拓扑结构时，所述共模电压的幅值为所述逆变电路的直流输入电压的四分之一。8.一种PWM控制装置，其特征在于，所述装置包括：获取单元，用于获取逆变电路中N个功率半导体器件的结温，N为大于1的整数；处理单元，用于当所述N个功率半导体器件中M个功率半导体器件的结温大于第一阈值时，向调制波注入共模电压，所述调制波用于生成控制所述N个功率半导体器件中至少部分功率半导体器件的开通或者关断的信号，所述共模电压用于减小所述M个功率半导体器件中K个功率半...

【专利技术属性】
技术研发人员：周原，章雪亮，封宁波，
申请(专利权)人：华为数字能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：