LED磊晶片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED磊晶片结构，其中，上述结构包括：多量子阱MQW有源层；所述多量子阱MQW有源层包括前多量子阱MQW有源层和后多量子阱MQW有源层，所述前多量子阱MQW有源层和所述后多量子阱MQW有源层中均具有交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述后多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度均大于所述前多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度。采用上述技术方案，解决了相关技术中，没有被限制在有源层的电子会在有源层之外发生复合发光，降低有源层电子与空穴的复合几率等问题。降低有源层电子与空穴的复合几率等问题。降低有源层电子与空穴的复合几率等问题。

【技术实现步骤摘要】
LED磊晶片结构


[0001]本技术涉及半导体器件领域，具体而言，涉及一种LED磊晶片结构。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light
‑
emitting Diode，简称为LED)可有效的将电能转化为光能，通过电子与空穴的复合释放能量发光，如今，高亮度磷化铝铟镓AlGaInP发光二极管广泛应用，高亮度磷化铝铟镓AlGaInP发光二极管是通过半导体材料中导带电子和价带空穴的辐射复合产生光子，将电能直接转化为光能的电子元器件，与传统光源相比，其具有高效、节能、环保和长寿等优点，在节能减排、绿色发展中发挥了重要作用。半导体的发展与应用也正使此理念逐步深入，所以提高LED的发光效率是目前半导体市场的必然选择。
[0003]在半导体AlGaInP发光LED中，电子的有效质量比空穴小，但电子的迁移率比空穴大，进而没有被限制在有源层的电子会在有源层之外发生复合发光，产生其他波段光源，进而减少有源层内载流子数目，降低有源层电子与空穴的复合几率，导致影响LED的内量子效率。
[0004]针对相关技术中，没有被限制在有源层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED磊晶片结构，其特征在于，包括：多量子阱MQW有源层；所述多量子阱MQW有源层包括前多量子阱MQW有源层和后多量子阱MQW有源层，所述前多量子阱MQW有源层和所述后多量子阱MQW有源层中均具有交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述后多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度均大于所述前多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度。2.根据权利要求1所述的LED磊晶片结构，其特征在于，所述后多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度为7nm，所述前多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度为5nm。3.根据权利要求1所述的LED磊晶片结构，其特征在于，所述后多量子阱MQW有源层中每层量子垒层的厚度为5nm，所述前多量子阱MQW有源层中每层量子垒层的厚度为5nm。4.根据权利要求1所述的LED磊晶片结构，其特征在于，所述前多量子阱MQW有源层包括：17层量子阱层和17层量子垒层，所述后多量子阱MQW有源层包括：5层量子阱层和4层量子垒层。5.根据权利要求1至4任一项所述的LED磊晶片结构，其特征在于，所述LED磊晶片结构包括：衬底、缓冲层、分布式布拉格反射镜DBR反射层、第一限制层、第一波导层、所述前多量子阱MQW有源层、所述后多量子阱MQW有源层、第二波导层、第二限制层和电流扩展层，其中，所述衬底、所述缓冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷鹏军，杨顺贵，林雅雯，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：