一种电子级无水氟化氢阴离子去除用加料装置制造方法及图纸

技术编号:31353774 阅读:28 留言:0更新日期:2021-12-13 09:05
本实用新型专利技术公开了一种电子级无水氟化氢阴离子去除用加料装置,设置在反应池上方,包括固定架、设置在所述固定架上且设有出料口的存储器、设置在所述存储器上的出料控制装置,以及与所述出料口连接设置的输料装置。所述出料控制装置通过旋转调节所述出料口的大小,所述输料装置一端与所述出料口对应,另一端伸入反应池内。物料由出料口排出存储器然后直接进入输料装置,并由输料装置输送至反应池中。设置在存储器上的出料控制装用于改变出料口大小,以实现对物料出料量的控制,保证原料充分反应的同时不造成原料浪费。反应的同时不造成原料浪费。反应的同时不造成原料浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种电子级无水氟化氢阴离子去除用加料装置


[0001]本技术涉及电子级无水氟化氢制备
,更具体地说,涉及一种电子级无水氟化氢阴离子去除用加料装置。

技术介绍

[0002]电子级无水氟化氢,英文名(hydrofluoric acid),分子式HF,分子量20.01。为无色透明液体,相对密度1.15

1.18,沸点112.2℃,在空气中发烟,有刺激性气味,剧毒。能与一般金属、金属氧化物以及氢氧化物发生反应,生成各种盐类。腐蚀性极强,能侵蚀玻璃和硅酸盐而生成气态的四氟化硅。易溶于水、难溶于其他有机溶剂。高纯氢氟酸为强酸性清洗、腐蚀剂,可与硝酸、冰醋酸、双氧水及氢氧化铵等配置使用。
[0003]电子级无水氟化氢制备工艺中,用到的主要原料时萤石粉和硫酸,制备的副产物主要为SO
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离子。在制备反应后需要对SO
42

离子进行去除,现有的去除方法为向反应产物中加入石灰粉使得SO
42

离子与Ca
2+
结合生成沉淀物CaSO4。在进行反应加料时,多直接将石灰粉倒入反应池中,加入量无法控制、堆积倒入的石灰粉易发生飞溅现象,且会因石灰粉堆积使其无法与溶液SO
42

充分结合,石灰粉易发生结块现象。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种电子级无水氟化氢阴离子去除用加料装置,用以解决上述
技术介绍
中存在的技术问题。
[0005]本技术技术方案一种电子级无水氟化氢阴离子去除用加料装置,设置在反应池上方,包括固定架、设置在所述固定架上且设有出料口的存储器、设置在所述存储器上的出料控制装置,以及与所述出料口连接设置的输料装置;
[0006]所述出料控制装置通过旋转调节所述出料口的大小,所述输料装置一端与所述出料口对应,另一端伸入反应池内。
[0007]在一个优选地实施例中,所述出料口设置在所述存储器底部,且对称设置有两个,每个所述出料口均对应设置有一个所述出料控制装置和一个所述输料装置。
[0008]在一个优选地实施例中,所述出料口设置为半圆形,所述出料控制装置设置在所述出料口一侧,所述出料控制装置沿盖合或打开所述出料口方向转动。
[0009]在一个优选地实施例中,所述出料控制装置包括由所述存储器外竖直插入所述存储器内的转杆、固定在转杆底部的半圆形盖板,所述半圆形盖板的大小与所述出料口的大小相适应。
[0010]在一个优选地实施例中,所述输料装置包括依次连通设置的输料管、输料盘和输料支管,所述输料支管设置为若干个,且伸入反应池。
[0011]在一个优选地实施例中,所述输料管包括与所述出料口连接的斗形管和与所述斗形管一体注塑的柱形管,所述柱形管与所述输料盘连通。
[0012]在一个优选地实施例中,所述固定架上设置有放置槽,所述存储器卡设在所述放
置槽内。
[0013]本技术技术方案的有益效果是:
[0014]1.物料由出料口排出存储器然后直接进入输料装置,并由输料装置输送至反应池中。设置在存储器上的出料控制装用于改变出料口大小,以实现对物料出料量的控制,保证原料充分反应的同时不造成原料浪费。
[0015]2.半圆形盖板位于出料口一侧,通过转动转杆可使半圆形盖板转动至出料口上方。通过观察输料装置的出料速度来判断半圆形盖板对出料口的覆盖情况。
[0016]3.输料支管可以保证物料分散进入反应池,提升反应速率的同时保证反应的充分性。
附图说明
[0017]图1为本技术整体结构示意图,
[0018]图2为本技术存储器内部结构图,
[0019]图3为本技术出料口在存储器底面设置图,
[0020]图4为本技术侧视剖视图。
[0021]附图标记说:1固定架、2放置槽、3存储器、4出料口、5出料控制装置、6转杆、7半圆形盖板、8输料装置、9斗形管、10柱形管、11输料盘、12输料支管,13限位管、14反应池。
具体实施方式
[0022]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。本技术的实施例是为了示例和描述方便起见而给出的,而并不是无遗漏的或者将本技术限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本技术的原理和实际应用,并且使本领域的普通技术人员能够理解本技术从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
[0023]参照图1

图4,本技术技术方案一种电子级无水氟化氢阴离子去除用加料装置,设置在反应池14上方,用于对反应池14实时加料。该装置包括固定架1、设置在所述固定架1上且设有出料口4的存储器3、设置在所述存储器3上的出料控制装置5,以及与所述出料口4连接设置的输料装置8。
[0024]所述固定架1上设置有放置槽2,所述存储器3卡设在所述放置槽2内。存储器3上设置入料门,通过入料门进行物料补给。物料由出料口4排出存储器3然后直接进入输料装置8,并由输料装置8输送至反应池14中。设置在存储器3上的出料控制装置5用于改变出料口4大小,以实现对物料出料量的控制,保证原料充分反应的同时不造成原料浪费。
[0025]所述出料口4设置在所述存储器3底部,且对称设置有两个,每个所述出料口4均对应设置有一个所述出料控制装置5和一个所述输料装置8。所述出料口4设置为半圆形,所述出料控制装置5设置在所述出料口4一侧,所述出料控制装置5沿盖合或打开所述出料口4方向转动
[0026]两个出料口4设置在储料器两侧可同时进行出料,也可只使用其一进行出料。当出料速度过快或者反应接近结束时,可以通过出料控制装置5减小出料口4的大下来降低出料速度;同样,当出料速度过快时可通过出料控制装置5增大出料口4的大小来提高出料速度。
[0027]所述出料控制装置5通过旋转调节所述出料口4的大小。所述出料控制装置5包括由所述存储器3外竖直插入所述存储器3内的转杆6、固定在转杆6底部的半圆形盖板7,所述半圆形盖板7的大小与所述出料口4的大小相适应。
[0028]存储器3内设置有限位管13,转杆6穿过限位管13并延伸至存储器3底部。通过设置限位管13保证转杆6竖直插入且不会发生倾斜。半圆形盖板7位于出料口4一侧,通过转动转杆6可使半圆形盖板7转动至出料口4上方。通过观察输料装置8的出料速度来判断半圆形盖板7对出料口4的覆盖情况。
[0029]所述输料装置8一端与所述出料口4对应,另一端伸入反应池14内。所述输料装置8包括依次连通设置的输料管、输料盘11和输料支管12,所述输料支管12设置为若干个,且伸入反应池14。所述输料管包括与所述出料口4连接的斗形管9和与所述斗形管9一体注塑的柱形管10,所述柱形管10与所述输料盘11连通。
[0030]由出料口4排出的物料会进行斗形本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子级无水氟化氢阴离子去除用加料装置,设置在反应池上方,其特征在于:包括固定架、设置在所述固定架上且设有出料口的存储器、设置在所述存储器上的出料控制装置,以及与所述出料口连接设置的输料装置;所述出料控制装置通过旋转调节所述出料口的大小,所述输料装置一端与所述出料口对应,另一端伸入反应池内。2.根据权利要求1所述的一种电子级无水氟化氢阴离子去除用加料装置,其特征在于:所述出料口设置在所述存储器底部,且对称设置有两个,每个所述出料口均对应设置有一个所述出料控制装置和一个所述输料装置。3.根据权利要求1所述的一种电子级无水氟化氢阴离子去除用加料装置,其特征在于:所述出料口设置为半圆形,所述出料控制装置设置在所述出料口一侧,所述出料控制装置沿盖合或打开所述出料口方向转动。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:江伟胡洪峰金国军谢钺
申请(专利权)人:宣城亨泰电子化学材料有限公司
类型:新型
国别省市:

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