一种电容式触摸屏制造技术

技术编号:31347362 阅读:18 留言:0更新日期:2021-12-13 08:50
本发明专利技术提供一种电容式触摸屏,其布线结构包括两组交叉的第一电极导线和第二电极导线,所述第二电极导线包括导电块与连接线,所述第二电极导线的导电块通过连接线相连。所述第一电极导线包括被与之交叉的第二电极导线分割为间断的导电块与架桥,所述导电块与连接线位于基板上,所述连接线上远离基板的一侧设置有绝缘层,所述绝缘层上远离连接线的一侧设有架桥,所述连接线与所述架桥被绝缘层隔开,且至少在基板上具有部分投影交叉重叠,所述第一电极导线被分割的相邻导电块之间采用架桥连接。所述连接线的宽度小于所述架桥的宽度,将静电由抗静电能力薄弱的架桥位置转移至连接线,降低架桥被静电击伤的概率。低架桥被静电击伤的概率。低架桥被静电击伤的概率。

【技术实现步骤摘要】
一种电容式触摸屏


[0001]本专利技术属于触控
,特别涉及一种电容式触摸屏。

技术介绍

[0002]现有的OGS结构电容式触摸屏的布线结构如图1所示,布线包括交叉的两组导线,其中一组导线被与之交叉的另一组导线分割为间断的导电块101,所述导电块101位于基板(图上未示出)上,被分割的相邻导电块101之间采用架桥104等结构连接,未被分割的这组导线的导电块101通过连接线102相连。
[0003]由于在生产时,先设置导电块101与连接线102位于基板上,再设置绝缘层103,然后设置架桥104,所述连接线102与架桥104之间采用绝缘层103隔开,所述架桥104跨台阶然后与导电块101相连。触摸屏在工作过程中,布线上的电,线路中的高电场会引起快速、自发的电荷转移,并伴随着静电放电,往往发生电量的转移、电流的产生和电磁场辐射,此过程会破坏原有的电路结构,尤其是在绝缘层103上方的架桥104上容易产生静电累积,击伤架桥104,对设备的可靠性造成影响,降低生产良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种电容式触摸屏,旨在克服触摸屏布线的静电放电,击伤触摸屏架桥的问题,提高产品良率。
[0005]本专利技术实现方案如下,本专利技术实施例提供一种电容式触摸屏,与传统触摸屏类似的,其还可以包括有触控模组及LCD显示模组,改进之处主要在于布线结构,通过对布线的全部或部分导线的结构进行改进,解决静电放电击伤触摸屏架桥的问题。
[0006]具体的,该电容式触摸屏的布线结构包括两组交叉的第一电极导线和第二电极导线,所述第二电极导线包括导电块与连接线,所述第二电极导线的导电块通过连接线相连。所述第一电极导线包括被与之交叉的第二电极导线分割为间断的导电块与架桥,所述导电块与连接线位于基板上,所述连接线上远离基板的一侧设置有绝缘层,所述绝缘层上远离连接线的一侧设有架桥,所述连接线与所述架桥被绝缘层绝缘隔开,且至少在基板上具有部分投影交叉重叠,所述第一电极导线被分割的相邻导电块之间采用架桥连接。
[0007]本专利技术与传统电容式触摸屏的区别在于,所述连接线的宽度小于所述架桥的宽度,由于连接线与架桥之间产生的电容较大,且传统的电容式触摸屏的架桥部分设置于基板上,部分设置于绝缘层上,类似于跨台阶布置,容易发生静电累积,进而静电击伤架桥,本专利技术减少架桥与连接线之间的电容,将静电薄弱位置由架桥转移至连接线,由于连接线全部位于基板上,没有跨台阶布置,抗静电能力强。
[0008]本专利技术通过对导线结构进行改进,将静电由抗静电能力薄弱的架桥位置转移至连接线,降低架桥被静电击伤的概率,提高触摸屏的可靠性,并提高产品良率。
附图说明
[0009]图1是现有技术中电容式触摸屏的布线结构局部示意图;
[0010]图2是本专利技术实施例提供的电容式触摸屏的第一布线结构示意图;
[0011]图3是本专利技术实施例提供的电容式触摸屏的第二布线结构示意图;
[0012]图4是本专利技术实施例提供的电容式触摸屏的第三布线结构示意图;
[0013]图5是本专利技术实施例提供的电容式触摸屏的第四布线结构示意图;
[0014]图6是本专利技术实施例提供的电容式触摸屏的第五布线结构示意图。
具体实施方式
[0015]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。
[0016]以下结合具体实施例对本专利技术的具体实现进行详细描述:
[0017]本专利技术实施例提供一种电容式触摸屏,与传统触摸屏类似的,其还可以包括有触控模组及LCD显示模组,改进之处主要在于布线结构,通过对布线的全部或部分导线的结构进行改进,解决静电放电击伤触摸屏架桥的问题。
[0018]具体的,该电容式触摸屏的布线结构如图2所示,布线包括两组交叉的导线,即多条第一电极导线1和多条第二电极导线2,所述第二电极导线2包括导电块101与连接线102,所述第二电极导线2的导电块101通过连接线102相连。所述第一电极导线1包括被与之交叉的第二电极导线2分割为间断的导电块101与架桥104,所述导电块101与连接线102位于基板(图上未示出)上,所述连接线102上远离基板的一侧设置有绝缘层103,所述绝缘层103上远离连接线102的一侧设有架桥104,所述连接线102与所述架桥104被绝缘层103绝缘隔开,且至少在基板上具有部分投影交叉重叠,所述第一电极导线1的相邻导电块101之间采用架桥104连接。
[0019]本专利技术与传统电容式触摸屏的区别在于,如图2所示,所述连接线102的宽度小于所述架桥104的宽度,由于连接线102与架桥104之间产生的电容较大,且传统的电容式触摸屏的架桥104部分设置于基板上,部分设置于绝缘层上,类似于跨台阶布置,容易发生静电累积,进而静电击伤架桥104,本专利技术减少架桥104与连接线102之间的电容,将静电薄弱位置由架桥104转移至连接线102,由于连接线102全部位于基板上,没有跨台阶布置,抗静电能力强。
[0020]应当说明的是,图2中仅示出局部布线结构,整体布线是以该局部结构向第一电极导线1和第二电极导线2的延伸方向分别进行有限延展形成。
[0021]进一步,如图3所示,所述电容式触摸屏的布线结构,所述第一电极导线1的导电块101包括主导电块1011和次导电块1012,所述主导电块1011不被绝缘层103所覆盖,所述次导电块1012被绝缘层103所覆盖,所述主导电块1011与次导电块1012为一体设计,所述次导电块1012与所述架桥104至少在基板上具有部分投影交叉重叠,至少可以将部分静电转移至次导电块1012。
[0022]如图3所示,优选的方案中,所述次导电块1012与所述架桥104之间的绝缘层103设有开孔1000,通过所述开孔1000将次导电块1012与架桥104电性导通。本实施例中,绝缘层
103上设计开孔1000,使得架桥104不通过跨台阶即可与导电块101电性导通,明显提升架桥104的抗静电能力。当然也可以使得架桥104既通过跨台阶也同时通过开孔1000与导电块101电性导通
[0023]在本实施例的图3中,所述主导电块1011与架桥104未电性导通,在其他的实施例中,所述主导电块1011也可以被绝缘层103所覆盖,将所述主导电块1011与架桥104也通过开孔1000做电性导通设计。
[0024]进一步,如图4所示,所述电容式触摸屏的布线结构,将所述导电块101上设置有尖部1010,尖部1010可以产生尖角放电效应,将静电转移至抗静电能力强的导电块101。优选的方案中,在一个或者多个所述导电块101上设置有多个尖部1010,其中至少部分尖部1010之间形成成对的尖端相对设置。
[0025]进一步,如图5所示,所述电容式触摸屏的布线结构,将所述导电块101中包含镂空空间105,所述镂空空间105设置有利于将本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容式触摸屏,包括布线,所述布线包括两组交叉的导线,即多条第一电极导线(1)和多条第二电极导线(2),所述第二电极导线(2)包括导电块(101)与连接线(102),所述第二电极导线(2)的导电块(101)通过连接线(102)相连;所述第一电极导线(1)包括被与之交叉的第二电极导线(2)分割为间断的导电块(101)与架桥(104),所述导电块(101)位于基板上,所述连接线(102)上远离基板的一侧设置有绝缘层(103),所述绝缘层(103)上远离连接线(102)的一侧设有架桥(104),所述连接线(102)与所述架桥(104)被绝缘层(103)绝缘隔开,所述连接线(102)与所述架桥(104)至少在基板上具有部分投影交叉重叠,所述第一电极导线(1)的相邻导电块(101)之间采用架桥(104)连接;其特征在于,所述连接线(102)位于基板上,所述连接线(102)的宽度小于所述架桥(104)的宽度。2.如权利要求1所述的电容式触摸屏,其特征在于,所述第一电极导线(1)的导电块(101)包括主导电块(1011)和次导电块(1012),所述次导电块(1012)被绝缘层(103)所覆盖,所述主导电块(1011)与次导电块(1012)为一体设计,所述次导电块(1012)与所述架桥(104)至少在...

【专利技术属性】
技术研发人员:景伦斌李计考宋小来王士敏朱泽力周威云
申请(专利权)人:深圳莱宝高科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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