【技术实现步骤摘要】
一种3d堆叠芯片的键合键布设结构
[0001]本申请涉及光子感测芯片设计
,尤其涉及一种3d堆叠芯片的键合键布设结构。
技术介绍
[0002]TOF(Time of Flight,飞行时间)技术用于各种电子设备中,诸如手机、数码相机、汽车、医学成像设备、安全系统,以及用于增强现实、虚拟现实等应用中,属于光学测距领域中的技术。应用了该TOF技术的光子感测芯片通常包括光电探测器阵列和逻辑电路。其中,可用于图像传感器的一种光电探测器类型是SPAD(Single Photon Avalanche Diode,单光子雪崩二极管)。SPAD区域为光敏区,它被配置为检测光子并且发信号通知光子的到达时间,以实现测距的目的。
[0003]SPAD区域中SPAD单元的尺寸一般大于 10μm,集成难度高难以小型化。目前为了减小光子感测芯片的面积,将光子感测芯片分为光电二极管阵列芯片和逻辑芯片两个芯片,采用3d堆叠技术制造光子感测芯片。然而即使采用该3d堆叠技术,最终得到的光子感测芯片面积依然较大。
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种3d堆叠芯片的键合键布设结构,包括上下位置堆叠设置的SPAD芯片和逻辑芯片,其特征在于,所述SPAD芯片包括多个SPAD单元,每个所述SPAD单元对应布设多个第一键合键,所述逻辑芯片包括与所述SPAD单元数量相同的淬灭复位电路单元,所述淬灭复位电路单元的面积小于所述SPAD单元的面积,每个所述淬灭复位电路单元对应布设至少一个第二键合键,每个所述淬灭复位电路单元通过至少一个所述第二键合键与对应的所述SPAD单元的至少一个所述第一键合键电连接,其中,用于电连接的所述第一键合键为有效第一键合键,用于电连接的所述第二键合键为有效第二键合键。2.根据权利要求1所述的布设结构,其特征在于,同一行的所述淬灭复位电路单元的所述有效第二键合键布设在相同的一行或N行上,同一列的所述淬灭复位电路单元的所述有效第二键合键布设在相同的一列或N列上,其中N>1。3.根据权利要求1所述的布设结构,其特征在于,所述布设结构还包括:每个所述淬灭复位电路单元的端口与一个或多个所述第二键合键电连接,其中,在所述第二键合键的选取阶段,在剩余未选取的所述第二键合键中,选取距离所述淬灭复位电路单元的端口最近的所述第二键合键作为与所述淬灭复位电路单元的端口电连接的所述第二键合键。4.根据权利要求1所述的布设结构,其特征在于,相邻两个所述SPAD单元中心之间的间隔距离为相邻两个所述第一键合键中心之间的间隔距离的整数倍。5.根据权利要求1所述的布设结构,其特征在于,所述SPAD芯片和所述逻辑芯片采用相同数量的分区布设,所述SPAD芯片和所述逻辑芯片各自至少包括第一分区和第二分区,所述第一分区和所述第二分区相同。6.根据权利要求5所述的布设结构,其特征在于,所述每个所述淬灭复位电路单元通过至少一个所述第二键合键与对应的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱春艳,张超,吕京颖,
申请(专利权)人:深圳市灵明光子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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