【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体
,具体而言,涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]半导体器件需要封装后使用,使用焊料将半导体器件的贴片焊接至封装基板时,因半导体器件背面、焊料表面不平整,贴片完成后容易在半导体器件表面与焊料交界处形成空洞。空洞会导致半导体器件与焊料之间的导电、导热变差,影响半导体器件的性能和可靠性。
[0003]现有技术通常采用在半导体器件背面覆盖金属层、在半导体器件背面涂布散热材料等方法增加散热,但无法解决封装空洞问题,而且容易增加工艺步骤,提高成本。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法,其能够减少封装空洞,且制造工艺简单,成本较低。
[0005]本专利技术的实施例是这样实现的:一种半导体器件,其包括基底结构,基底结构具有相对的第一表面和第二表面,第一表面上设有功能结构,第二表面上设有条形凹槽,条形凹槽的延伸方向具有第一端部和第二端部,第一端部在第二表面的投影位于第二表面的内部,第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括基底结构,所述基底结构具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面上设有功能结构,所述第二表面上设有条形凹槽,所述条形凹槽的延伸方向具有第一端部和第二端部,所述第一端部在所述第二表面的投影位于所述第二表面的内部,所述第二端部在所述第二表面的投影位于所述第二表面的边缘,所述条形凹槽的深度由所述第一端部向所述第二端部逐渐增加。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述条形凹槽包括多个,多个所述条形凹槽的第二端部彼此分离。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述基底结构包括层叠设置的衬底层和第一背部金属层,所述第一背部金属层包括至少一层,所述衬底层与所述第一背部金属层贴合的表面设有沟槽,所述第一背部金属层最远离所述衬底层的表面设有条形凹槽,所述条形凹槽与所述沟槽位置对应。4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述基底结构包括层叠设置的衬底层、第一背部金属层和第二背部金属层,所述条形凹槽设置在所述第二背部金属层远离所述第一背部金属层的表面。5.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述第一背部金属层在所述衬底层上的投影位于所述衬底层的边缘之内。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体器件,其特征在于,所述第二表面上设有背孔,所述条形凹槽的第二端部与所述背孔连接。7.一种半导体器件的制备方法,其特征在于,包括:在基底结构的第一表面形成功能结构;在所述基底结构上与所述第一表面相对的第二表面上形成条形凹槽,其中...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨天应,刘丽娟,吴文垚,
申请(专利权)人:深圳市时代速信科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。