一种往复旋转升降的化学气相沉积设备制造技术

本发明专利技术提供一种往复旋转升降的化学气相沉积设备，包括腔体、基座、固定支架、升降机构及旋转机构。本发明专利技术利用磁流体密封原理实现设备密封，并实现旋转升降功能为一体，可同时满足往复旋转、升降移动、晶圆加热等的协同工作的同时互不影响，且往复式旋转可避免电气线在旋转过程中发生物理缠绕损毁的问题。另外，旋转机构内可设置吹气装置，避免腔体内形成的微颗粒对旋转机构（磁液）的影响，可保证旋转机构高效稳定的运行。相对于现有设备，本发明专利技术的往复旋转升降的化学气相沉积设备的整体结构精简了较多传动组件，由此减少了由于较多冗余组件造成的不稳定性以及产生的机械磨损，使升降和旋转控制的准确度更高，稳定性更强，制造成本和功耗更低。本和功耗更低。本和功耗更低。

【技术实现步骤摘要】
一种往复旋转升降的化学气相沉积设备


[0001]本专利技术属于半导体高端制造设备领域，涉及一种优化的往复旋转升降的化学气相沉积设备。

技术介绍

[0002]化学气相沉积（CVD）设备对反应腔体内真空度、薄膜沉积的均匀性具有较高的要求，现有公开技术中，有独立利用旋转装置和独立运用升降装置来提高薄膜均匀性的设计方案，考虑到制造成本、设备功耗和运行的稳定性，均不是适用于CVD设备的最佳选择，主要原因如下：（1）需要一定的真空密闭性，但没有物理气相沉积（PVD）要求那么高（腔体内压强决定），因此适用于PVD的设计方案的制造成本和功耗都较高，也比较复杂；（2）需要同时解决旋转、升降、电气线路缠绕、电磁波干扰等问题；（3）现有设备设计方案的传动组件太多，稳定性还有待进一步提升。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种优化的往复旋转升降的化学气相沉积设备，用于解决现有技术中化学气相沉积设备结构复杂、稳定性差等问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种往复旋转升降的化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于，包括：腔体，底部设有通孔；基座，包括基座台及基座轴，所述基座台位于所述腔体内，所述基座轴位于所述基座台下方并与所述基座台固定连接，所述基座轴的底端穿过所述通孔以延伸至所述腔体外；固定支架，位于所述腔体下方并与所述腔体底部固定连接；升降机构，位于所述腔体下方并与所述固定支架连接，所述升降机构包括升降支架；旋转机构，位于所述腔体下方并包括定子、转子、带动件、连接件、磁液密封件、磁液及可伸缩管型组件，所述定子与所述升降支架固定连接并套设于所述转子外围以驱动所述转子以所述基座轴为中心旋转，所述带动件位于所述转子上方并与所述转子固定连接，所述带动件还套设于所述基座轴外围并与所述基座轴固定连接，所述可伸缩管型组件位于所述带动件上方并套设于所述基座轴外围，所述可伸缩管型组件的顶部与所述腔体底部密封连接，所述可伸缩管型组件的底部与所述连接件的顶部密封连接，所述磁液密封件套设于所述带动件外围并与所述带动件的外侧壁之间形成一磁液收容空间，所述磁液位于所述磁液收容空间内，所述磁液密封件的顶部与所述连接件的底部密封连接，所述磁液密封件的底部与所述升降支架的顶部密封连接。2.根据权利要求1所述的往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于：所述升降机构还包括驱动电机、减速器、螺纹杆及螺纹块，所述驱动电机、所述减速器及所述螺纹杆自下而上依次连接，所述减速器还与所述固定支架固定连接，所述螺纹杆在所述减速器的带动下作旋转运动，所述螺纹块套设于所述螺纹杆外围以随所述螺纹杆的旋转而作升降运动，所述固定支架的一侧面设有导轨槽，所述螺纹块的一侧嵌入所述导轨槽内，所述螺纹块的另一侧与所述升降支架固定连接以带动所述升降支架作升降运动。3.根据权利要求2所述的往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于：所述固定支架包括支撑部及导轨块，所述支撑部的顶端与所述腔体底部固定连接，所述导轨块位于所述支撑部的侧面并与所述支撑部固定连接，所述减速器的顶端与所述导轨块的底端固定连接，所述导轨槽自所述导轨块背离所述支撑部的一面开口。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：金小亮，李中云，崔世甲，潘学勤，宋维聪，
申请(专利权)人：陛通半导体设备苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：