【技术实现步骤摘要】
移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置
[0001]本专利技术涉及显示领域,特别涉及一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。
技术介绍
[0002]在显示领域特别是有机发光二极管显示装置中,动态显示画面的切换过程容易产生动态图像拖影现象,即在由上一帧显示画面切换到下一帧显示画面时,会感受到上一帧画面的拖影。为了克服动态图像拖影现象,相关技术中在像素发光期间增加了画面切黑的过程,通过增加画面切黑过程减少像素的正常显示时间,从而能有效改善动态图像拖影现象。
技术实现思路
[0003]第一方面,本公开实施例提供了一种移位寄存器单元,包括:
[0004]显示输入电路,包括:第一显示输入子电路,所述第一显示输入子电路与显示级联信号输入端和第一聚集节点耦接,所述第一显示输入子电路配置为在所述显示级联信号输入端提供的显示级联信号的控制下,将有效电平信号写入至所述第一聚集节点;
[0005]插黑输入电路,包括:第一插黑输入子电路,所述第一插黑输入子电路与插黑级联信号输入端、所述第一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器单元,其特征在于,包括:显示输入电路,包括:第一显示输入子电路,所述第一显示输入子电路与显示级联信号输入端和第一聚集节点耦接,所述第一显示输入子电路配置为在所述显示级联信号输入端提供的显示级联信号的控制下,将有效电平信号写入至所述第一聚集节点;插黑输入电路,包括:第一插黑输入子电路,所述第一插黑输入子电路与插黑级联信号输入端、所述第一聚集节点、第一控制时钟信号端和第二控制时钟信号端耦接,所述第一插黑输入子电路配置为在所述第一控制时钟信号端提供的第一控制时钟信号的控制下,将所述插黑级联信号输入端提供的插黑级联信号写入至插黑控制节点,以及在所述插黑控制节点处电压和所述第二控制时钟信号端提供的第二控制时钟信号的控制下,将有效电平信号写入至所述第一聚集节点;控压电路,与控压节点、第一上拉节点和第一工作电压端耦接,配置为在所述第一上拉节点处电压的控制下,将所述第一工作电压端提供的第一工作电压写入至所述控压节点,所述第一聚集节点与所述控压节点耦接;第一防漏电电路,与所述第一聚集节点和所述第一上拉节点耦接,配置为在所述第一聚集节点处电压的控制下,将所述第一聚集节点处电压写入至所述第一上拉节点。2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述第一防漏电电路包括:第一防漏电晶体管;所述第一防漏电晶体管的控制极与所述第一聚集节点耦接,所述第一防漏电晶体管的第一极与所述第一聚集节点耦接,所述第二防漏电晶体管的第二极与所述第一上拉节点耦接。3.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,还包括:感测输入电路,包括:第一感测输入子电路,所述第一感测输入子电路与所述第一聚集节点、感测级联信号输入端、随机感测信号端和感测控制信号端耦接,所述第一感测输入子电路配置为在所述随机感测信号端提供的随机感测信号的控制下将所述感测级联信号输入端提供的感测级联信号写入至感测控制节点,以及在所述感测控制节点处电压和所述感测控制信号端提供的感测控制信号的控制下,将有效电平信号写入至所述第一聚集节点。4.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,还包括:显示辅助输入电路,与所述显示级联信号输入端、所述第一聚集节点、所述第一上拉节点耦接,配置为在所述显示级联信号输入端提供的显示级联信号的控制下,将所述第一聚集节点处电压写入至所述第一上拉节点。5.根据权利要求4所述的移位寄存器,其特征在于,显示辅助输入电路包括:辅助输入晶体管;所述辅助输入晶体管的控制极与所述显示级联信号输入端耦接,所述辅助输入晶体管的第一极与所述第一聚集节点耦接,所述辅助输入晶体管的第二极与所述第一上拉节点耦接。6.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,还包括:显示复位电路和插黑复位电路,所述显示复位电路包括:第一显示复位子电路和第二显示复位子电路,所述插黑复位电路包括:第一插黑复位子电路和第二插黑复位子电路;所述第一显示复位子电路,与显示复位信号输入端、所述第一上拉节点耦接,所述第一
显示复位子电路配置为在所述显示复位信号输入端所提供的显示复位信号的控制下,将非有效电平信号写入至所述第一上拉节点;所述第二显示复位子电路,与显示复位信号输入端、第二上拉节点耦接,所述第二显示复位子电路配置为在所述显示复位信号输入端所提供的显示复位信号的控制下,将非有效电平信号写入至所述第二上拉节点;所述第一插黑复位子电路,与插黑全局复位输入端、所述第一上拉节点和所述插黑控制节点耦接,所述第一插黑复位子电路配置为在所述插黑全局复位输入端提供的插黑全局复位信号和所述插黑控制节点处电压的控制下,将非有效电平信号写入至所述第一上拉节点;所述第二插黑复位子电路,与插黑全局复位输入端、所述第二上拉节点和所述插黑控制节点耦接,所述第二插黑复位子电路配置为在所述插黑全局复位输入端提供的插黑全局复位信号和所述插黑控制节点处电压的控制下,将非有效电平信号写入至所述第二上拉节点。7.根据权利要求6所述的移位寄存器单元,在特征在于,所述第一显示复位子电路还与第二聚集节点耦接,所述第一显示复位电路具体配置为在所述显示复位信号输入端所提供的显示复位信号的控制下,将所述第二聚集节点处的非有效电平信号写入至所述第一上拉节点;所述第一插黑复位子电路还与所述第二聚集节点耦接,所述第一插黑复位子电路具体配置为在所述插黑全局复位输入端提供的插黑全局复位信号和所述插黑控制节点处电压的控制下,将所述第二聚集节点处的非有效电平信号写入至所述第一上拉节点;所述第二聚集节点与所述控压节点耦接;所述移位寄存器单元还包括:第二防漏电电路,与所述第二聚集节点、所述控压电路和第二工作电压端耦接,配置为在所述控压电路未向所述控压节点写入所述第一工作电压时将所述第二工作电压端提供的处于非有效电平状态的第二工作电压写入至所述第二聚集节点;和/或,所述第二显示复位子电路还与第三聚集节点耦接,所述第二显示复位电路具体配置为在所述显示复位信号输入端所提供的显示复位信号的控制下,将所述第三聚集节点处的非有效电平信号写入至所述第二上拉节点;所述第二插黑复位子电路还与所述第三聚集节点耦接,所述第二插黑复位子电路具体配置为在所述插黑全局复位输入端提供的插黑全局复位信号和所述插黑控制节点处电压的控制下,将所述第三聚集节点处的非有效电平信号写入至所述第二上拉节点;所述第三聚集节点与所述控压节点耦接;所述移位寄存器单元还包括:第三防漏电电路,与所述第三聚集节点、所述控压电路和第二工作电压端耦接,配置为在所述控压电路未向所述控压节点写入所述第一工作电压时将所述第二工作电压端提供的处于非有效电平状态的第二工作电压写入至所述第三聚集节点。8.根据权利要求7所述的移位寄存器单元,其特征在于,还包括:感测复位电路,包括:第一感测复位子电路和第二显示复位子电路;
所述第一感测复位子电路与第一上拉节点、预设感测复位控制信号输入端、第二聚集节点耦接,所述第一感测复位子电路配置为在预设感测复位控制信号输入端提供的预设感测复位控制信号的控制下,将所述第二聚集节点处的非有效电平信号写入至所述第一上拉节点;所述第二感测复位子电路与第二上拉节点、预设感测复位控制信号输入端、第三聚集节点耦接,所述第二感测复位子电路配置为在预设感测复位控制信号输入端提供的预设感测复位控制信号的控制下,将所述第三聚集节点处的非有效电平信号写入至所述第二上拉节点。9.根据权利要求7所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述第二防漏电电路包括:第二防漏电晶体管,所述第二防漏电晶体管的控制极与所述第二聚集节点耦接,所述第二防漏电晶体管的第一极与所述第二聚集节点耦接,所述第二防漏电晶体管的第二极与所述第二工作电压端耦接;所述第三防漏电电路包括:第三防漏电晶体管,所述第三防漏电晶体管的控制极与所述第三聚集节点耦接,所述第三防漏电晶体管的第一极与所述第三聚集节点耦接,所述第三防漏电晶体管的第二极与所述第二工作电压端耦接。10.根据权利要求3所述的移位寄存器单元,其特征在于,还包括:感测复位电路,包括:第一感测复位子电路和第二感测复位子电路;所述第一感测复位子电路与第一上拉节点、预设感测复位控制信号输入端耦接,所述第一感测复位子电路配置为在预设感测复位控制信号输入端提供的预设感测复位控制信号的控制下,将非有效电平信号写入至所述第一上拉节点;所述第二感测复位子电路与第二上拉节点、预设感测复位控制信号输入端耦接,所述第二感测复位子电路配置为在预设感测复位控制信号输入端提供的预设感测复位控制信号的控制下,将非有效电平信号写入至所述第二上拉节点;其中,所述预设感测复位控制信号输入端为感测全局复位信号输入端,所述预设感测复位控制信号为感测全局复位信号;或者,所述预设感测复位控制信号输入端为所述随机感测信号端和所述感测控制信号端,所述预设感测复位控制信号为所述随机感测信号和所述感测控制信号。11.根据权利要求10所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述预设感测复位控制信号输入端为所述随机感测信号端和所述感测控制信号端,所述预设感测复位控制信号为所述随机感测信号和所述感测控制信号;所述第一感测复位子电路包括:第一感测复位晶体管和第二感测复位晶体管,所述第二感测复位子电路包括:第三感测复位晶体管和第四感测复位晶体管;所述第一感测复位晶体管的控制极与所述随机感测信号端耦接,所述第一感测复位晶体管的第一极与所述第一上拉节点耦接,所述第一感测复位晶体管的第二极与所述第二感测复位晶体管的第一极耦接;所述第二感测复位晶体管的控制极与所述感测控制信号端耦接,所述第二感测复位晶体管的第二极与第二工作电压端或所...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯雪欢,程雪连,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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