【技术实现步骤摘要】
一种一体化表面等离子共振芯片及其制备方法
[0001]本专利技术涉及光学传感
,特别是涉及一种新型一体化表面等离子共振芯片制作方法。
技术介绍
[0002]表面等离子共振效应主要发生在两种不同折射率介质交界处,同时入射光满足全反射条件,临界面低折射率的一侧电磁分量出现了倏逝波。同时在入射光波的影响作用下,金属膜表面产生表面等离子激元,随后不断传播形成表面等离子波。当表面等离子波的频率与倏逝波的频率相同时,外部电磁场的能量被表面等离子波吸收而发生很强烈的衰减,这种现象被称为表面等离子共振。表面等离子体共振本质上来说就是一种特殊的“电荷振荡”,这需要材料的介电常数有一定的特点,通常只有Au、Ag、Al、Cu等金属材料才能够产生表面等离激元,目前最常用的就是Au和Ag。临近金属表面一侧介质介电常数的变化会改变表面等离子共振产生的条件(电磁波波长和入射光的入射角度),这也是表面等离子共振技术可以应用于生化检测的理论依据。
[0003]中国专利200710098527.2公开了线状光束扫描表面等离子体共振成像光强检测方法 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种一体化表面等离子共振芯片,其特征在于:整体结构中自上而下分别为芯片框架、传感芯片和匹配膜;芯片框架位于最上层,芯片框架上具有与流通池大小相同的镂空区域,用于对流通池的限位,增加芯片的整体强度;传感芯片位于芯片框架与匹配膜之间,传感芯片的金属面与芯片框架的镂空区域框架进行连接,同时非金属面与匹配膜紧密贴合,三层结构紧密配合作为整体。2.根据权利要求1所述的一种一体化表面等离子共振芯片,其特征在于:传感芯片包括玻璃基底和金属薄膜两部分。3.根据权利要求1所述的一种一体化表面等离子共振芯片,其特征在于:芯片框架为主体框架。4.根据权利要求1所述的一种一体化表面等离子共振芯片,其特征在于:匹配膜用于将一体化表面等离子共振芯片和棱镜的贴合。5.根据权利要求1所述的一种一体化表面等离子共振芯片,其特征在于:一体化表面等离子共振芯片制备时就已完成金属薄膜表面的分子修饰工作和非金属面的匹配膜压印工作,使用时直接和光学棱镜贴合即可,无需借助其他材料。6.根据权利要求1所述的一种一体化表面等离子共振芯片,其特征在于:匹配膜本身具有一定弹性,匹配膜与棱镜贴合后,传感芯片与棱镜贴合的一致性更好,有效减少因匹配液使用产生的干涉条纹;配合棱镜上的限位槽结构,实现光学棱镜、一体化表面等离子共振芯片和流通池水平位置的一致性。7.利用权利要求1所述一体化表面等离子共振芯片进行的制备方法,其特征在于:该制备方法的实施步骤如下,1)玻璃芯片依次进行预处理、镀膜和金属表面分子修饰;2)使用点胶机在芯片框架上匀涂一定量紫外胶,将传感芯片分子修饰面贴合在紫外胶上;3)在传感芯片非金属面匀涂一层液体软胶,并将采用软光刻工艺制作的软模具放置在液体软胶上...
【专利技术属性】
技术研发人员:张璐璐,王洪刚,王会翔,刘润野,郑非凡,邱宪波,
申请(专利权)人:北京化工大学,
类型:发明
国别省市:
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