一种晶体折射率测量方法、装置及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶体折射率测量方法、装置及存储介质，其中方法包括获取由干涉仪产生的参考干涉图像和晶体干涉图像；对参考干涉图像和晶体干涉图像进行重心点计算得到第一重心点坐标和第二重心点坐标；计算重心相对移动量，根据重心相对移动量、参考干涉图像的条纹宽度、晶体的厚度和源光束的波长得到折射率；无需对晶体进行加工改变晶体形状即可直接进行折射率测量，且测量精度高，测量速率高，大大提升了晶体折射率测量的效率和准确率。提升了晶体折射率测量的效率和准确率。提升了晶体折射率测量的效率和准确率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体折射率测量方法、装置及存储介质


[0001]本专利技术涉及折射率测量领域，特别是一种晶体折射率测量方法、装置及存储介质。

技术介绍

[0002]折射率是晶体的一个重要参数，能反映晶体的光学性质及物理性质。目前测量折射率的代表性方法主要有最小偏向角法、椭圆偏光法、油浸法等。最小偏向角法测量精度高，但存在操作复杂耗时的问题，需要对晶体特殊加工为棱镜，加工精度要求高、难度大，破坏了原材料的形状，对样品的重复利用造成限制。椭圆偏光法主要用于测量薄膜折射率。油浸法所使用的溶液配制繁杂，且油浸时会使晶体透明度降低，测量精度变差。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种晶体折射率测量方法、装置及存储介质。
[0004]本专利技术解决其问题所采用的技术方案是：
[0005]本专利技术的第一方面，一种晶体折射率测量方法，包括：
[0006]获取参考干涉图像和晶体干涉图像，所述参考干涉图像是源光束经过无放置晶体的干涉仪产生的，所述晶体干涉图像是所述源光束经过放置有所述晶体的干涉仪产生的；
[0007]对所述参考干涉图像和所述晶体干涉图像进行重心点计算，分别得到所述参考干涉图像的第一重心点坐标和所述晶体干涉图像的第二重心点坐标，所述重心点计算包括处理图像得到像素点的灰度值和以像素点的灰度值作为像素点的质量计算图像的重心点坐标；
[0008]根据所述第一重心点坐标和所述第二重心点坐标得到重心相对移动量，根据所述重心相对移动量、所述参考干涉图像的条纹宽度、所述晶体的厚度和所述源光束的波长得到所述晶体的折射率。
[0009]根据本专利技术的第一方面，所述源光束为氦氖激光器发出的激光。
[0010]根据本专利技术的第一方面，所述干涉仪通过分振幅法产生双光束以实现干涉。
[0011]根据本专利技术的第一方面，所述图像的重心点坐标通过以下式子表示：式中，X为所述重心点的横坐标，Y为所述重心点的纵坐标，m为所述图像的像素点数量，x
ij
表示所述图像的第i行第j列的像素点的横坐标，y
ij
表示所述图像的第i行第j列的像素点的纵坐标，g
ij
表示所述图像的第i行第j列的像素点的灰度值。
[0012]根据本专利技术的第一方面，所述根据所述第一重心点坐标和所述第二重心点坐标得到重心相对移动量具体为：对所述第一重心点坐标和所述第二重心点坐标求差，得到所述
重心相对移动量。
[0013]根据本专利技术的第一方面，所述晶体的折射率通过以下式子表示：式中，n为所述晶体的折射率，ΔY为所述重心相对移动量，y为所述参考干涉图像的条纹宽度，λ为所述源光束的波长，d为所述晶体的厚度。
[0014]本专利技术的第二方面，一种晶体折射率测量装置，包括：
[0015]干涉仪；
[0016]干涉图像获取模块，用于获取参考干涉图像和晶体干涉图像，所述参考干涉图像是源光束经过无放置晶体的所述干涉仪产生的，所述晶体干涉图像是所述源光束经过放置有所述晶体的所述干涉仪产生的；
[0017]重心点计算模块，用于对所述参考干涉图像和所述晶体干涉图像进行重心点计算，分别得到所述参考干涉图像的第一重心点坐标和所述晶体干涉图像的第二重心点坐标，所述重心点计算包括处理图像得到像素点的灰度值和以像素点的灰度值作为像素点的质量计算图像的重心点坐标；
[0018]折射率计算模块，用于根据所述第一重心点坐标和所述第二重心点坐标得到重心相对移动量，根据所述重心相对移动量、所述参考干涉图像的条纹宽度、所述晶体的厚度和所述源光束的波长得到所述晶体的折射率。
[0019]根据本专利技术的第二方面，所述干涉仪包括源光束产生器、第一透镜、第二透镜、第一分束镜、第二分束镜、衰减片和晶体放置台；所述源光束产生器产生的源光束依次经过所述第一透镜、所述第二透镜和所述第一分束镜，所述第一分束镜分束得到的其中一个光束经过所述衰减片和所述第二分束镜，所述第一分束镜分束得到的另一个光束经过所述晶体放置台和所述第二分束镜。
[0020]根据本专利技术的第二方面，所述干涉图像获取模块为CCD相机。
[0021]本专利技术的第三方面，一种存储介质，所述存储介质中存储有可执行指令，所述可执行指令被处理器执行时实现如本专利技术的第一方面所述的晶体折射率测量方法。
[0022]上述方案至少具有以下的有益效果：无需对晶体进行加工改变晶体形状即可直接进行折射率测量，且测量精度高，测量速率高，大大提升了晶体折射率测量的效率和准确率。
[0023]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0024]下面结合附图和实例对本专利技术作进一步说明。
[0025]图1是本专利技术实施例一种晶体折射率测量方法的流程图；
[0026]图2是本专利技术实施例一种晶体折射率测量装置的结构图；
[0027]图3是干涉仪和干涉图像获取模块的结构示意图；
[0028]图4是参考干涉图像的示意图；
[0029]图5是晶体干涉图像的示意图。
具体实施方式
[0030]本部分将详细描述本专利技术的具体实施例，本专利技术之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本专利技术的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本专利技术保护范围的限制。
[0031]在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0032]在本专利技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0033]本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术中的具体含义。
[0034]参照图1，本专利技术的第一方面的实施例，提供了一种晶体折射率测量方法。
[0035]晶体折射率测量方法包括：
[0036]步骤S100、获取参考干涉图像和晶体干涉图像，参考干涉图像是源光束经过无放置晶体的干涉仪100产生的，晶体干涉图像是源光束经过放置有晶体的干涉仪100产生的。
[0037]在步骤S100中，干涉仪100通过分振幅法产生双光束以实现干涉，干涉仪100具体为马赫曾德干涉仪100。
[0038]参照图3，干涉仪100包括源光束产生器10、第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体折射率测量方法，其特征在于，包括：获取参考干涉图像和晶体干涉图像，所述参考干涉图像是源光束经过无放置晶体的干涉仪产生的，所述晶体干涉图像是所述源光束经过放置有所述晶体的干涉仪产生的；对所述参考干涉图像和所述晶体干涉图像进行重心点计算，分别得到所述参考干涉图像的第一重心点坐标和所述晶体干涉图像的第二重心点坐标，所述重心点计算包括处理图像得到像素点的灰度值和以像素点的灰度值作为像素点的质量计算图像的重心点坐标；根据所述第一重心点坐标和所述第二重心点坐标得到重心相对移动量，根据所述重心相对移动量、所述参考干涉图像的条纹宽度、所述晶体的厚度和所述源光束的波长得到所述晶体的折射率。2.根据权利要求1所述的一种晶体折射率测量方法，其特征在于，所述源光束为氦氖激光器发出的激光。3.根据权利要求1所述的一种晶体折射率测量方法，其特征在于，所述干涉仪通过分振幅法产生双光束以实现干涉。4.根据权利要求1所述的一种晶体折射率测量方法，其特征在于，所述图像的重心点坐标通过以下式子表示：和式中，X为所述重心点的横坐标，Y为所述重心点的纵坐标，m为所述图像的像素点数量，x
ij
表示所述图像的第i行第j列的像素点的横坐标，y
ij
表示所述图像的第i行第j列的像素点的纵坐标，g
ij
表示所述图像的第i行第j列的像素点的灰度值。5.根据权利要求1所述的一种晶体折射率测量方法，其特征在于，所述根据所述第一重心点坐标和所述第二重心点坐标得到重心相对移动量具体为：对所述第一重心点坐标和所述第二重心点坐标求差，得到所述重心相对移动量。6.根据权利要求1所述的一种晶体折射率测量方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙佳乐，刘馨悦，张建民，杜梓浩，丁毅，
申请(专利权)人：五邑大学，
类型：发明
国别省市：