芯片检测方法、芯片检测结构以及芯片承载结构技术

本发明专利技术公开一种芯片检测方法、芯片检测结构以及芯片承载结构。芯片检测方法包括：提供一芯片检测结构、一芯片承载结构以及多个熔接材料组，芯片检测结构包括多个微加热器组，芯片承载结构用于承载多个芯片，多个熔接材料组设置于芯片承载结构与芯片检测结构之间；将芯片承载结构与芯片检测结构彼此靠近，以使得每一熔接材料组同时接触芯片承载结构与芯片检测结构，每一熔接材料组包括低温熔接材料组以及高温熔接材料组；多个低温熔接材料组分别通过多个微加热器组的加热后再固化；以及，对多个芯片进行检测，以使得多个芯片被区分成多个良好的芯片以及多个不良的芯片。借此，芯片能够预先通过芯片检测结构的检测而筛选出良好的芯片。的芯片。的芯片。

【技术实现步骤摘要】
芯片检测方法、芯片检测结构以及芯片承载结构


[0001]本专利技术涉及一种检测方法、检测结构以及承载结构，特别是涉及一种芯片检测方法、芯片检测结构以及芯片承载结构。

技术介绍

[0002]现有技术中，多个发光二极管芯片可以在一晶圆上制作出来，但是多个发光二极管芯片必须先从晶圆上切割下来后，才能进行光学检测，不仅造成发光二极管芯片在光学检测上的困难度，也降低发光二极管芯片的检测效率。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种芯片检测方法、芯片检测结构以及芯片承载结构。
[0004]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是提供一种芯片检测方法，其包括：提供一芯片检测结构、一芯片承载结构以及多个熔接材料组，芯片检测结构包括多个微加热器组，芯片承载结构用于承载多个芯片，多个熔接材料组设置于芯片承载结构与芯片检测结构之间；将芯片承载结构与芯片检测结构彼此靠近，以使得每一熔接材料组同时接触芯片承载结构与芯片检测结构，每一熔接材料组包括一低温熔接材料组以及熔点高于低温熔接材料组的一高温熔接材料组；多个低温熔接材料组分别通过多个微加热器组的加热后再固化，以使得多个芯片分别通过已固化后的多个低温熔接材料组而电性连接于芯片检测结构；以及，对多个芯片进行检测，以使得多个芯片被区分成多个良好的芯片以及多个不良的芯片。
[0005]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案是提供一种芯片检测结构，其包括：一芯片检测基板以及多个微加热器组。芯片检测基板包括多个基板焊垫组。多个微加热器组设置在芯片检测基板上或者芯片检测基板的内部。其中，芯片检测基板的多个基板焊垫组分别用于承载多个低温熔接材料组。
[0006]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外再一技术方案是提供一种芯片承载结构，其包括：一芯片承载基板，芯片承载基板用于承载多个芯片。其中，多个芯片分别用于承载多个熔接材料组，每一熔接材料组包括设置在相对应的芯片上的一高温熔接材料组以及设置在高温熔接材料组上的一低温熔接材料组。
[0007]本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术所提供的一种芯片检测方法、芯片检测结构以及芯片承载结构，其能通过“将芯片承载结构与芯片检测结构彼此靠近，以使得每一熔接材料组同时接触芯片承载结构与芯片检测结构，每一熔接材料组包括一低温熔接材料组以及熔点高于低温熔接材料组的一高温熔接材料组”、“多个低温熔接材料组分别通过多个微加热器组的加热后再固化，以使得多个芯片分别通过已固化后的多个低温熔接材料组而电性连接于芯片检测结构”以及“对多个芯片进行检测，以使得多个芯片被区分成多个良好的芯片以及多个不良的芯片”的技术方案，使得当芯片在被固晶在一电路基板上之前，芯片
能够预先通过芯片检测结构的检测而筛选出良好的芯片，以确保只有良好的芯片可以被固晶在电路基板上。
[0008]本专利技术的另外一有益效果在于，本专利技术所提供的一种芯片检测结构，其能通过“芯片检测基板包括多个基板焊垫组”、“多个微加热器组设置在芯片检测基板上或者芯片检测基板的内部”以及“芯片检测基板的多个基板焊垫组分别用于承载多个低温熔接材料组”的技术方案，以使得每一芯片能够通过相对应的低温熔接材料组以电性连接于芯片检测基板。借此，当芯片在被固晶在一电路基板上之前，芯片能够预先通过芯片检测结构的检测而筛选出良好的芯片，以确保只有良好的芯片可以被固晶在电路基板上。
[0009]本专利技术的另外一有益效果在于，本专利技术所提供的一种芯片承载结构，其能通过“芯片承载基板用于承载多个芯片”以及“每一熔接材料组包括设置在相对应的芯片上的一高温熔接材料组以及设置在高温熔接材料组上的一低温熔接材料组”的技术方案，以使得每一芯片能够通过相对应的低温熔接材料组以电性连接于一芯片检测结构的一芯片检测基板。借此，当芯片在被固晶在一电路基板上之前，芯片能够预先通过芯片检测结构的检测而筛选出良好的芯片，以确保只有良好的芯片可以被固晶在电路基板上。
[0010]为使能进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。
附图说明
[0011]图1为本专利技术第一、二实施例的芯片检测方法的流程图。
[0012]图2为多个熔接材料组的多个低温熔接材料组分别设置在芯片承载结构的多个芯片上的示意图。
[0013]图3为多个熔接材料组的多个低温熔接材料组分别设置在芯片检测结构的多个基板焊垫组上的示意图。
[0014]图4为每一低温熔接材料组的第一低温熔接材料以及第二低温熔接材料分别通过相对应的微加热器组的一第一微加热器以及一第二微加热器进行加热的示意图。
[0015]图5为多个芯片进行检测的示意图。
[0016]图6为本专利技术第一实施例的芯片检测方法的步骤S108的示意图。
[0017]图7为多个良好的芯片从芯片检测结构的一芯片检测基板上分离的示意图。
[0018]图8为多个良好的芯片移转到电路基板上之前的示意图。
[0019]图9为多个良好的芯片移转到电路基板上之后的示意图。
[0020]图10为芯片承载基板分离多个良好的芯片的示意图。
[0021]图11为多个良好的芯片固晶在电路基板上的示意图。
[0022]图12为本专利技术第二实施例的芯片检测方法使用一材料移除模块的示意图。
具体实施方式
[0023]以下是通过特定的具体实施例来说明本专利技术所公开有关“芯片检测方法、芯片检测结构以及芯片承载结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的优点与效果。本专利技术可通过其他不同的具体实施例加以实行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本专利技术的构思下进行各种修改与变更。另
外，本专利技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本专利技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本专利技术的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[0024][第一实施例][0025]参阅图1至图11所示，本专利技术第一实施例提供一种芯片检测方法，其至少包括下列步骤：首先，配合图1至图3所示，提供一芯片检测结构1、一芯片承载结构2以及多个熔接材料组3，芯片检测结构1包括多个微加热器组11，芯片承载结构2用于承载多个芯片C，多个熔接材料组3设置于芯片承载结构2与芯片检测结构1之间(步骤S100)；接着，配合图1至图4所示，将芯片承载结构2与芯片检测结构1彼此靠近，以使得每一熔接材料组3同时接触芯片承载结构2与芯片检测结构1，每一熔接材料组3包括一低温熔接材料组3L以及熔点高于低温熔接材料组3L的一高温熔接材料组3H(步骤S102)；然后，配合图1与图4所示，多个低温熔接材料组3L分别通过多个微加热器组11的加热后再固化(先加热后再冷却固化)，以使得多个芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片检测方法，其特征在于，所述芯片检测方法包括：提供一芯片检测结构、一芯片承载结构以及多个熔接材料组，所述芯片检测结构包括多个微加热器组，所述芯片承载结构用于承载多个芯片，多个所述熔接材料组设置于所述芯片承载结构与所述芯片检测结构之间；将所述芯片承载结构与所述芯片检测结构彼此靠近，以使得每一所述熔接材料组同时接触所述芯片承载结构与所述芯片检测结构，每一所述熔接材料组包括一低温熔接材料组以及熔点高于所述低温熔接材料组的一高温熔接材料组；多个所述低温熔接材料组分别通过多个所述微加热器组的加热后再固化，以使得多个所述芯片分别通过已固化后的多个所述低温熔接材料组而电性连接于所述芯片检测结构；以及对多个所述芯片进行检测，以使得多个所述芯片被区分成多个良好的芯片以及多个不良的芯片。2.根据权利要求1所述的芯片检测方法，其特征在于，在提供所述芯片检测结构、所述芯片承载结构与多个所述熔接材料组的步骤中，所述芯片检测结构与所述芯片承载结构彼此分离，且多个所述熔接材料组的多个所述低温熔接材料组分别设置在所述芯片承载结构的多个所述芯片上或者所述芯片检测结构的多个基板焊垫组上；其中，每一所述低温熔接材料组包括一第一低温熔接材料以及一第二低温熔接材料，每一所述高温熔接材料组包括一第一高温熔接材料以及一第二高温熔接材料，且每一所述高温熔接材料组的所述第一高温熔接材料与所述第二高温熔接材料分别设置在相对应的所述芯片的两个芯片焊垫上；其中，每一所述第一低温熔接材料与每一所述第二低温熔接材料分别设置在相对应的所述第一高温熔接材料与相对应的所述第二高温熔接材料上。3.根据权利要求1所述的芯片检测方法，其特征在于，在提供所述芯片检测结构、所述芯片承载结构与多个所述熔接材料组的步骤中，所述芯片检测结构与所述芯片承载结构彼此分离，且多个所述熔接材料组的多个所述低温熔接材料组分别设置在所述芯片承载结构的多个所述芯片上或者所述芯片检测结构的多个基板焊垫组上；其中，每一所述低温熔接材料组包括一第一低温熔接材料以及一第二低温熔接材料，每一所述高温熔接材料组包括一第一高温熔接材料以及一第二高温熔接材料，且每一所述高温熔接材料组的所述第一高温熔接材料与所述第二高温熔接材料分别设置在相对应的所述芯片的两个芯片焊垫上；其中，每一所述低温熔接材料组的所述第一低温熔接材料与所述第二低温熔接材料分别设置在相对应的所述基板焊垫组的两个基板焊垫上。4.根据权利要求1所述的芯片检测方法，其特征在于，在提供所述芯片检测结构、所述芯片承载结构与多个所述熔接材料组的步骤中，所述芯片检测结构与所述芯片承载结构彼此分离，且多个所述熔接材料组的多个所述低温熔接材料组分别设置在所述芯片承载结构的多个所述芯片上或者所述芯片检测结构的多个基板焊垫组上；其中，在将所述芯片承载结构与所述芯片检测结构彼此靠近的步骤中，进一步包括：分别预先设置在所述芯片承载结构的多个所述芯片上的多个所述熔接材料组分别接触所述芯片检测结构的多个所述基板焊垫组。5.根据权利要求1所述的芯片检测方法，其特征在于，在提供所述芯片检测结构、所述芯片承载结构与多个所述熔接材料组的步骤中，所述芯片检测结构与所述芯片承载结构彼
此分离，且多个所述熔接材料组的多个所述低温熔接材料组分别设置在所述芯片承载结构的多个所述芯片上或者所述芯片检测结构的多个基板焊垫组上；其中，在将所述芯片承载结构与所述芯片检测结构彼此靠近的步骤中，进一步包括：分别预先设置在所述芯片检测结构的多个所述基板焊垫组上的多个所述熔接材料组分别接触所述芯片承载结构的多个所述芯片。6.根据权利要求1所述的芯片检测方法，其特征在于，在提供所述芯片检测结构、所述芯片承载结构与多个所述熔接材料组的步骤中，所述芯片检测结构与所述芯片承载结构彼此分离，且多个所述熔接材料组的多个所述低温熔接材料组分别设置在所述芯片承载结构的多个所述芯片上或者所述芯片检测结构的多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖建硕，张正杰，
申请(专利权)人：台湾爱司帝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：