【技术实现步骤摘要】
一种高纯二氧化硅球形超微粉的制备装置
[0001]本技术提供了一种高纯二氧化硅球形超微粉的制备装置,属于石英矿石除杂提纯和物理加工的
技术介绍
[0002]目前市面上的高纯二氧化硅球形微粉的制备装备有熔融雾化炉、等离子体直喷球化炉等,传统微粉的制备装置目前存在的问题有制备的球形微粉的粒度范围过大、球形度不均,球化过程中团聚副作用大,工艺过程中高速碰撞副作用较大且也会引入新的杂质,球化过程中微粉损耗过大且泄露的微粉会对环境造成风险, 整个过程的能耗也过大,针对上述问题,本技术提供了一种高纯二氧化硅球形超微粉的制备装备,本技术优势微粉球形化程度高,球化过程中产生团聚的比例大幅降低,工艺过程中各种高速碰撞发生的机率降低、对球形微粉产生的破坏降低,几乎不存在微粉泄露,生产过程中几乎不带入新的杂质,环保效果好,几乎没有固体颗粒物排放,生产成本大幅降低。
技术实现思路
[0003]为了解决传统微粉的制备装置的制备的球形微粉的粒度范围过大、球形度不均,球化过程中团聚副作用大,工艺过程中高速碰撞副作用较大且也会引入新的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高纯二氧化硅球形超微粉的制备装置,其特征在于,包括氩气混料机构(1),所述氩气混料机构包括第一氩气入口(101)、微粉入口(102)和混料腔(103),所述氩气混料机构(1)的一侧设置有所述第一氩气入口(101),所述第一氩气入口(101)与所述混料腔(103)连通,所述第一氩气入口(101)下方设置有所述微粉入口(102),所述微粉入口(102)与所述混料腔(103)连通;前端集束管水平直喷口(2),所述前端集束管水平直喷口(2)的一端与所述混料腔(103)一侧相连通,所述前端集束管水平直喷口(2)的表面设置有水平等离子体加热机构(3),所述前端集束管水平直喷口(2)的另一端与球化釜(4)的表面一侧相连通;球化釜(4),所述球化釜(4)包括外壁(401)、氩气出气管口(402)、球形微粉出料口(403)和螺旋冲缝(404)、内壁(405)和内腔室(406),所述外壁(401)顶部设置有所述氩气出气管口(402),所述氩气出气管口(402)贯穿所述内壁(405),所述外壁(401)底部设置有所述球形微粉出料口(403),所述球形微粉出料口(403)贯穿所述内壁(405),所述内壁(405)表面设置有所述螺旋冲缝(404),所述外壁(401)的一侧设置有冷凝器(5),所述氩气出气管口(402)的另一端与纯水清洗釜(6)相连通。2.根据权利要求1所述的一种高纯二氧化硅球形超微粉的制备装置,其特征在于,所述第一氩气入口(101)和微粉入...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵同坚,高玉海,崔军荣,曹焕苹,高华军,
申请(专利权)人:山东阿莫斯新材料科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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