一种高速LVDS接口电路及芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高速LVDS接口电路及芯片，属于模拟集成电路技术领域。该芯片中的接口电路包括第一电荷泵电路、第二电荷泵电路、四象开关电路和共模反馈电路，此外，该芯片还采用了补偿结构。该电路采用共模反馈电路电路稳定输出共模电压，电荷泵电路在时钟信号跳变沿进行充放电来减小山升/下降时间，通过高频补偿电路来提升高速接口电路的性能。频补偿电路来提升高速接口电路的性能。频补偿电路来提升高速接口电路的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高速LVDS接口电路及芯片


[0001]本技术属于模拟集成电路
，尤其涉及一种高速LVDS接口电路及芯片。

技术介绍

[0002]LVDS(Low
‑
Voltage Differential Signaling，低电压差分信号)接口电路在时钟电路、高速数字信号系统中应用非常广泛。它的具体应用主要体现在以下两个方面：
[0003]第一，高速的模数据转换器需要高速接口芯片输出数据。随着通信系统的工作频率不断提高，带宽不断增加，对接口芯片速度要求也越来越高。同时伴随着数字信号处理技术的不断突破，高速数字系统应运而生。因此设计高速接口电路显得尤其重要。
[0004]第二，在大规模高速数字系统中，需要多种丰富的逻辑电压去实现复杂的功能。寄生电容必然对高速率与高信号质量的接口电路提出了严峻的课题。因此设计一款高速、高质量LVDS接口电路具有重要的意义。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术提出一种高速LVDS接口电路及芯片，其利用电荷泵技术与高频补偿技术，可提高接口电路的工作速率。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高速LVDS接口电路，其特征在于，包括第一电荷泵电路、第二电荷泵电路、四象开关电路和共模反馈电路；所述四象开关电路包括第一至第四晶体管(M1‑
M4)，所述第一电荷泵电路包括第五、第六晶体管(M5、M6)以及第一电容(C1)，所述第二电荷泵电路包括第七、第八晶体管(M7、M8)以及第二电容(C2)，所述共模反馈电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电容(C3)、运算放大器(OPA)、第一电流源(I1)以及第二电流源(I2)；第一电流源(I1)的一端与电压源连接，另一端与第一、第二、第五、第七晶体管(M1、M2、M5、M7)的源极连接；第一晶体管(M1)的漏极与第三晶体管(M3)的漏极连接，第二晶体管(M2)的漏极与第四晶体管(M4)的漏极连接，第一晶体管(M1)的源极与第二晶体管(M2)的源极连接，第三晶体管(M3)的源极与第四晶体管(M4)的源极连接；第三晶体管(M3)的栅极连接时钟信号(CLK)，第四晶体管(M4)的栅极连接反向时钟信号(NCLK)；第一、第三晶体管(M1、M3)漏极之间的节点分别与第一电阻(R1)和第一电容(C1)的一端连接，第二、第四晶体管(M2、M4)漏极之间的节点分别与第二电阻(R2)和第二电容(C2)的一端连接；第一电阻(R1)的另一端和第二电阻(R2)的另一端均与共模电压(V
cm
)连接，运算放大器(OPA)的正向输入端口与共模电压(V...

【专利技术属性】
技术研发人员：王尧，杨格亮，吴迪，王楠，刘鹏，孙宇凯，廖春连，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十四研究所，
类型：新型
国别省市：