【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于中压开关设备的带屏蔽的真空断路器室。已知在紧凑结构中为真空断路器室装备烧损用于大量短路电流切断的一个防烧损屏蔽。真空断路器室被用于低压技术、中压技术和高压技术中。上述用于真空断路器室的屏蔽主要由材料铜和/或精炼钢构成。对于主要用于低压技术、中压技术或高压技术中的真空断路器室,在紧凑结构的真空断路器室中,包围电路系统的屏蔽被很高地热加载。这个加载来源于金属蒸气电弧的等离子辐射,并且在磨损的弧中通过与屏蔽的直接接触而产生。在最后提到的那种情况下,防烧损材料是有利的。在大量应用中,短路电流切断的可实现数量受到精炼钢屏蔽或铜屏蔽的熔断的限制。在要求短路电流切断的数量特别高的情况下,通过使用铜铬气缸管截面(复合材料-铜铬)而增强包围接触系统的屏蔽。已知,屏蔽由铬含量大于15%重量的复合材料铜铬构成。此外,出于成本的原因,不使用由CuCr构成的附加屏蔽。而且,为此已知通过粉末烧结处理形成的铜铬屏蔽的烧结处理。为此,对于不同直径,用于生成生坯的挤压工具是必需的。随后,通过在氢环境、惰性气体环境或真空环境中在摄氏1000度左右温度下烧结生坯而实现紧密材料的生产。另一种方法是等离子金属喷镀,即用于涂覆铜铬层的热处理。等离子金属喷镀通过有利的方式,基于铬在惰性气体环境中强的吸气效应来执行。但是,不可避免的是喷镀层中更高的气体含量。另一种方法是所谓的MLC处理。这使用于生成真空断路器室屏蔽或真空断路器室接触块的板形(Blechform)的处理。这在DE 19747242 C2中已知。通过铜铬屏蔽的使用,用于构造紧凑真空断路器室的设计带宽更大了。但这样会带 ...
【技术保护点】
用于中压设备的带屏蔽的真空断路器室,其特征在于,整个屏蔽由低合金的并因此防烧损的合金构成,其中所述合金由具有0.01和10%重量的铬和/或锆的铜构成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2004-2-11 102004006609.41.用于中压设备的带屏蔽的真空断路器室,其特征在于,整个屏蔽由低合金的并因此防烧损的合金构成,其中所述合金由具有0.01和10%重量的铬和/或锆的铜构成。2.用于中压设备的带屏蔽的真空断路器室,其特征在于,整个屏蔽由低合金的并因此防烧损的合金构成,其中所述合金由具有0.1到0.5%重量的铬和/或银的铜构成。3.根据权利要求1的真空断路器室,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:迪特玛尔根茨克,
申请(专利权)人:ABB技术股份公司,
类型:发明
国别省市:CH[瑞士]
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